变形花篮校正复原装置的制造方法
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及太阳能硅片生产辅助设备，尤其涉及硅片运输过程辅助小花篮变形校正复原装置。
【背景技术】
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[0002]随着近几年太阳能电池的飞速发展与不断的推广应用，市场对于太阳能电池的需求量越来越大。晶体硅太阳能电池越来越多的应用于能源领域，在晶体硅太阳能电池中含有若干硅片，硅片是由硅棒通过多线切割机切割制备而成的。硅片的形成要经过很多道工序，在工序与工序间，硅片需要周转，周转常用的工具为小花篮，在清洗车间插片小花篮经由插片机插片，再经过全自动清洗烘干机后循环重复使用，各环节温度不均，期间因为小花篮自身材质原因经过热胀冷缩后，每个小花篮都会产生不同程度的变形，变形严重的小花篮无法再装载硅片，就要将其丢弃，每年都要报废很多小花篮。小花篮的成本较高，平均每个小花篮的成本为200，每年报废小花篮1000个，每年小花篮的成本就在20万元，这样给厂家带来很大的损失。
【实用新型内容】:
[0003]本实用新型提供了一种变形花篮校正复原装置，可以让变形的小花篮校正复原，重复投入使用，节约生产成本。
[0004]本实用新型所采用的技术方案是:
[0005]一种变形花篮校正复原装置，其特征是:包括花篮整形外模型和花篮整形内模型，花篮整形外模型的内腔与小花篮的外壁相配合，两者间的配合间隙为0.05?0.1_，花篮整形内模型的外壁与小花篮的内腔相配合，两者间的配合间隙为0.05?0.1_，花篮整形外模型的内腔壁和花篮整形内模型的外壁围合成一个小花篮模腔，所述小花篮模腔与小花篮压制模的模腔结构相同。
[0006]变形花篮校正复原装置的使用方法为，先将变形的小花篮放入花篮整形外模型的内腔内，将其放入80°C热水中浸泡30分钟，再将花篮整形内模型插入变形小花篮的内腔中，即变形小花篮被围合在小花篮模腔中，变形小花篮一直放在80°C的热水中待变形小花篮的外壁与花篮整形外模型的内腔吻合，变形小花篮的内腔壁与花篮整形内模型的外壁吻合，变形小花篮即校正复原结束，然后将复原的小花篮取出，冷却后即可。
[0007]由于用花篮整形外模型和花篮整形内模型分别卡装在变形小花篮的内外壁上，花篮整形外模型和花篮整形内模型围合成的小花篮模腔与小花篮压制模的模腔结构相同，将装有变形小花篮的花篮整形外模型和花篮整形内模型的组合体放入热水中，将变形小花篮重塑，变形小花篮会根据花篮整形外模型和花篮整形内模型形成的小花篮模腔的结构重塑，这样重塑好的小花篮可再次投入生产循环使用，无需将变形小花篮丢弃，重新压铸新的小花篮，这样将旧的变形小花篮重塑，节约成本，每年可为公司节约20万的材料成本。【附图说明】:
[0008]图1为本实用新型的结构示意图；
[0009]图2为小花篮的结构示意图；
[0010]图3为图2的左视图；
[0011]图4为图2的俯视图；
[0012]图中:1_花篮整形外模型；2-花篮整形内模型；3-小花篮模腔。
【具体实施方式】
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[0013]下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方案:
[0014]一种变形花篮校正复原装置，如图1所示，包括花篮整形外模型I和花篮整形内模型2，花篮整形外模型I的内腔与小花篮的外壁相配合，两者间的配合间隙为0.05_，花篮整形内模型2的外壁与小花篮的内腔相配合，两者间的配合间隙为0.05_，花篮整形外模型I的内腔壁和花篮整形内模型2的外壁围合成一个与小花篮压制模的模腔结构相同的小花篮模腔3。
【主权项】
1.一种变形花篮校正复原装置，其特征是:包括花篮整形外模型(I)和花篮整形内模型(2)，花篮整形外模型(I)的内腔与小花篮的外壁相配合，两者间的配合间隙为0.05?0.1mm，花篮整形内模型(2)的外壁与小花篮的内腔相配合，两者间的配合间隙为0.05?0.1_，花篮整形外模型⑴的内腔壁和花篮整形内模型⑵的外壁围合成一个小花篮模腔(3)，所述小花篮模腔(3)与小花篮压制模的模腔结构相同。
【专利摘要】一种变形花篮校正复原装置，包括花篮整形外模型和花篮整形内模型，花篮整形外模型的内腔与小花篮的外壁相配合，花篮整形内模型的外壁与小花篮的内腔相配合，花篮整形外模型的内腔壁和花篮整形内模型的外壁围合成一个小花篮模腔，所述小花篮模腔与小花篮压制模的模腔结构相同。使用时，将变形的小花篮放入花篮整形外模型的内腔内，放入80℃热水中浸泡30分钟，再将花篮整形内模型插入变形小花篮的内腔中，放在80℃的热水中待变形小花篮的外壁与花篮整形外模型的内腔吻合，变形小花篮的内腔壁与花篮整形内模型的外壁吻合，然后将复原的小花篮取出即可。重塑好的小花篮再可次投入生产循环使用，每年可为公司节约20万的成本。
【IPC分类】B29C53-16
【公开号】CN204431715
【申请号】CN201420846544
【发明人】王德明, 谈军, 张方远
【申请人】国电兆晶光电科技江苏有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2014年12月26日