专利名称：从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法
从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法
技术领域：
本发明涉及废水中除去特定溶解物的多级处理，特别涉及从印制电路板蚀刻废液中除去砷的方法，尤其涉及从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法。
背景技术：
印制电路板蚀刻废液(也称PCB蚀刻废液)包括碱性蚀刻废液和酸性蚀刻废液， 其中印制电路板酸性蚀刻废液中铜及氯离子含量高，属酸性，内含有砷等杂质；由印制电路板酸性蚀刻废液生产出来的碱式氯化铜对砷的含量有严格要求，砷含量越低越好，一般在用印制电路板酸性蚀刻废液生产碱式氯化铜前，需要对印制电路板酸性蚀刻废液进行除砷的前期处理。现有技术从印制电路板酸性蚀刻废液中除砷的方法包括中和沉淀法、硫化物沉淀法、铁氧体沉淀法和絮凝沉淀法，这些方法有的除砷效果不好，有的会造成二次污染，有的成本较高；如现有技术印制电路板酸性蚀刻液除砷的方法有一种是加入二氧化钛后，通过沉淀法把砷含量降低，该方法除砷效果好，但是使用二氧化钛的处理成本高；因此，本领域的技术人员在控制成本的前提下，找到一套从印制电路板酸性蚀刻废液中除砷效果好的方法是较为迫切的难题。
发明内容本发明要解决的技术问题在于避免上述现有技术的不足之处而提出一种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，用于从印制电路板酸性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，该除砷的PH值方法采用PH值调节法和絮凝沉淀法共同使用，在成本低廉的情况下实现对印制电路板酸性蚀刻废液的除砷处理，具有处理成本低、操作简单和设备投资小等优点，适合对大批量印制电路板酸性蚀刻废液的除砷处理。本发明解决所述技术问题采用的技术方案是一种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法，用于从印制电路板酸性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，包括如下步骤A、pH值调节调节待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在2. 0 3. 0之间；B、絮凝沉淀①称量，按每立方米待处理印制电路板酸性蚀刻废液称取0. 8 1. 5千克的絮凝剂；②配置絮凝剂溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液；③将配置好的絮凝剂溶液加入经所述pH值调节后的酸性蚀刻废液中，搅拌3 20 分钟，然后静置3 6小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板酸性蚀刻废液。所述步骤A中，采用铜氨液来调节所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在 2. 2 2. 8范围内，如pH值为2. 5。所述铜氨液的重量不少于所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液重量的20%。或者是，所述步骤A中，采用氨水来调节所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液的 pH值在2. 2 2. 8范围内，如pH值为2. 5。所述氨水的重量不少于所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液重量的20%。在配置所述絮凝剂溶液时，搅拌时间为20 35分钟。所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺(Polyacrylamide，简称PAM)。在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述絮凝剂重量的六倍。同现有技术相比较，本发明从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法之有益效果在于1、除砷所需物料调节待处理印制电路板酸性蚀刻废液之pH值的铜氨液或氨水成本较低，并且絮凝沉淀所用聚丙烯酰胺絮凝剂的成本也较低，这样使得整个除砷过程中所需物料的成本低廉；2、聚丙烯酰胺溶液、铜氨液或氨水的配置操作简单；3、整个除砷操作过程简单，易控制，沉淀易过滤，设备投资小；4、除砷率高；5、适合对大批量印制电路板酸性蚀刻废液的除砷处理。
具体实施方式下面结合各附图
对本发明作进一步详细说明。一种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法，用于从印制电路板酸性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，包括如下步骤AO、取样分析和检测对待处理的印制电路板酸性蚀刻废液，取样进行分析和检测该酸性蚀刻废液中的砷含量，同时需要检测该酸性蚀刻废液之PH值；A、pH值调节调节待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在2. 0 3. 0之间，其 PH最佳值在2. 2 2. 8之间，最好是pH值在2. 5左右；用来调节该待处理印制电路板酸性蚀刻废液的调酸液的量一般是根据待处理印制电路板酸性蚀刻废液之PH值、该待处理印制电路板酸性蚀刻废液的量、该调酸液的PH值和需要将该待处理酸性蚀刻废液调节到的 PH值来确定的；如若待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在-0. 8 -1. 3之间，则500 毫升的印制电路板酸性蚀刻废液约需要100 150克的铜氨液，就会使该酸性蚀刻废液的 PH值调节至2.0 3.0之间；B、絮凝沉淀①称量，按每立方米待处理印制电路板酸性蚀刻废液称取0. 8 1. 5千克的絮凝剂，所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺PAM ；②配置絮凝剂溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液，搅拌时间为 20 35分钟；③将配置好的絮凝剂溶液加入经所述pH值调节后的酸性蚀刻废液中，搅拌3 20 分钟，然后静置3 6小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液；该除砷后的印制电路板碱性蚀刻废液用于生产碱式氯化铜。
所述步骤A中，采用铜氨液来调节所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在 2. 2 2. 8范围内。一般来说，所述铜氨液的重量不少于所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液重量的20%。或者是，所述步骤A中，采用氨水来调节所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液的 pH值在2. 2 2. 8范围内。一般来说，所述氨水的重量也不少于所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液重量的20%。在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述絮凝剂重量的六倍。实施例一—种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，包括如下步骤Atl、取样分析和检测取待处理的印制电路板酸性蚀刻废液500毫升，对该待处理的印制电路板酸性蚀刻废液，取样进行分析和检测，其砷含量为3. Oppm,即3. 0毫克/升；A、pH值调节将500毫升的所述印制电路板酸性蚀刻废液倒入反应釜内，再将铜氨液缓慢滴入所述反应釜内，约需要120克的铜氨液，调节该反应釜内的所述酸性蚀刻废液的PH值为2. 5左右；B、絮凝沉淀①称量，称取0. 6克的聚丙烯酰胺PAM作为絮凝剂；②配置PAM溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，如将0. 6克的PAM加入4毫升的水中， 搅拌配置成粘稠溶液；③将配置好的PAM粘稠溶液加入步骤A所述酸性蚀刻废液中，搅拌5分钟，然后静置4小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板酸性蚀刻废液；D、取除砷后的所述酸性蚀刻废液进行分析检测，其砷含量为1. Oppm，砷的去除率为66. 7%，该除砷方法可行。实施例二一种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，包括如下步骤Atl、取样分析和检测取待处理的印制电路板酸性蚀刻废液500毫升，对该待处理的印制电路板酸性蚀刻废液，取样进行分析和检测，其砷含量为1. 5ppm,即1. 5毫克/升；A、pH值调节将500毫升的所述印制电路板酸性蚀刻废液倒入反应釜内，再将氨水缓慢滴入所述反应釜内，调节该反应釜内的所述酸性蚀刻废液的PH值为2. 2左右；B、絮凝沉淀①称量，称取0. 6克的聚丙烯酰胺PAM作为絮凝剂；②配置PAM溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，如将0. 6克的PAM加入4毫升的水中， 搅拌配置成粘稠溶液；③将配置好的PAM粘稠溶液加入步骤A所述酸性蚀刻废液中，搅拌5分钟，然后静置4. 5小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板酸性蚀刻废液；D、取除砷后的所述酸性蚀刻废液进行分析检测，其砷含量为0. 5ppm，砷的去除率为66. 7%，该除砷方法可行。实施例三
—种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，包括如下步骤Atl、取样分析和检测对60立方米的待处理的印制电路板酸性蚀刻废液，取样进行分析和检测，其砷含量为2. 5ppm，即2. 5毫克/升；A、pH值调节将60立方米待处理的印制电路板酸性蚀刻废液泵入处理池中，再借助泵将铜氨液加入所述处理池内，约需要14，400千克的铜氨液，调节该处理池内的所述酸性蚀刻废液的PH值为2. 5左右；在泵与处理池之间，设置有调节阀，通过调节阀来控制铜氨液加入时的流量；B、絮凝沉淀①称量，称取60千克的聚丙烯酰胺PAM作为絮凝剂；②配置PAM溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，如将60千克的PAM加入400升的水中，搅拌30分钟，配置成粘稠溶液；③将配置好的PAM粘稠溶液加入步骤A所述酸性蚀刻废液中，搅拌10分钟，然后静置4小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板酸性蚀刻废液；D、取除砷后的所述酸性蚀刻废液进行分析检测，其砷含量为0. 8ppm，砷的去除率为68%，在实际处理过程中该除砷方法可行。经过本发明除砷处理后的印制电路板酸性蚀刻废液用于生产碱式氯化铜，所得产品碱式氯化铜的砷含量非常低，符合规定的技术标准。以上所述实施例仅表达了本发明的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围；因此，凡跟本发明权利要求范围所做的等同变换与修饰，均应属于本发明权利要求的涵盖范围。
权利要求
1.一种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，用于从印制电路板酸性蚀刻废液生产出碱式氯化铜的前期处理，包括如下步骤A、pH值调节调节待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在2.0 3. 0之间；B、絮凝沉淀①称量，按每立方米待处理印制电路板酸性蚀刻废液称取0.8 1. 5千克的絮凝剂；②配置絮凝剂溶液，用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液；③将配置好的絮凝剂溶液加入经所述PH值调节后的酸性蚀刻废液中，搅拌3 20分钟，然后静置3 6小时；C、过滤将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板酸性蚀刻废液。
2.根据权利要求1所述的从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，其特征在于 所述步骤A中，采用铜氨液来调节所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在2. 2 2. 8范围内。
3.根据权利要求1所述的从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，其特征在于 所述步骤A中，采用氨水来调节所述待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在2. 2 2. 8范围内。
4.根据权利要求1至3任一项所述的从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法，其特征在于所述步骤A中，调节待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值为2. 5。
5.根据权利要求1所述的从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，其特征在于 在配置所述絮凝剂溶液时，搅拌时间为20 35分钟。
6.根据权利要求1所述的从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的PH值方法，其特征在于 所述絮凝剂包括聚丙烯酰胺PAM。
7.根据权利要求1或6所述的从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法，其特征在于在配置所述絮凝剂溶液时，所述水的重量至少是所述絮凝剂重量的六倍。
全文摘要
一种从印制电路板酸性蚀刻液中除砷的pH值方法，包括步骤调节待处理印制电路板酸性蚀刻废液的pH值在2.0～3.0之间；絮凝沉淀①按每立方米待处理印制电路板酸性蚀刻废液称取0.8～1.5千克的絮凝剂；②用水稀释称量好的絮凝剂，搅拌配置成粘稠溶液；③将絮凝剂溶液加入经pH值调节后的酸性蚀刻废液中，搅拌3～20分钟，然后静置3～6小时；将沉淀物过滤掉，得到除砷后的印制电路板酸性蚀刻废液。本发明除砷的pH值方法采用pH值调节法和絮凝沉淀法共同使用，在成本低廉的情况下实现对印制电路板酸性蚀刻废液的除砷处理，具有处理成本低、操作简单和设备投资小等优点，适合对大批量印制电路板酸性蚀刻废液的除砷处理。
文档编号C02F9/04GK102276080SQ20101024290
公开日2011年12月14日 申请日期2010年7月30日 优先权日2010年7月30日
发明者兰永辉, 孙荣斌, 彭韬, 肖华, 许世爱, 邝国生, 高仁富 申请人:深圳东江华瑞科技有限公司