一种除尘方法与流程

本发明涉及一种除尘方法，尤指一种对制造液晶显示器的工作腔室进行除尘的方法。

背景技术：

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)广泛应用在电脑、电视及行动电话等各种电子产品上。液晶显示器的玻璃基板是液晶显示器重要组成组件之一。除了平整度外，液晶显示器玻璃基板的洁净度亦直接影响液晶显示器制造的成本与合格率。

制造液晶显示器会经过如气相薄膜沉积、曝光、显影、蚀刻等多道工艺，各个工艺通常在个别独立的区间中进行。因此，玻璃基板需要在各个工艺的区间之间进行输送作业。

玻璃基板在每个工艺区间处的工作腔室中进行上述气相薄膜沉积、曝光、显影、蚀刻等工艺操作。在工作腔室中每进行一次相应的工艺操作后，其中会产生大量杂质颗粒。因此，现有技术中，在工作腔室中进行下次工艺操作之前，通常会向工作腔室中依序传输大量的伪基板，使散布在工作腔室中的杂质颗粒落在伪基板上，并随伪基板被带离工作腔室，以达到清除工作腔室内杂质的目的。然而，此除尘方法除尘效率低，耗费大量除尘时间的同时会浪费大量的伪基板，大大提高了制造成本。

技术实现要素：

针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种除尘效率高，能够大幅提高生产效率并降低制造成本的除尘方法。

本发明的除尘方法，包括如下步骤：

于伪基板上设置一黏着层；

将设置有所述黏着层的所述伪基板送入工作腔室进行一除尘操作；

当检测到所述工作腔室中杂质达到一预定标准时，停止所述除尘操作进行后续操作。

进一步，所述将设置有所述黏着层的所述伪基板送入工作腔室进行一除尘操作包括：

将设置有所述黏着层的第一数量的所述伪基板顺序送入一通有预定流量气体的工作腔室；

停止向所述工作腔室中通入气体，并将设置有所述黏着层的第二数量的所述伪基板顺序送入所述工作腔室；

将第二数量的所述伪基板顺序送入所述工作腔室后，再向所述工作腔室送入第三数量的未设置黏着层的伪基板。

进一步，所述工作腔室中通入气体为氩气，流量为100-300sccm。

进一步，所述将设置有所述黏着层的所述伪基板送入工作腔室进行一除尘操作包括：

将设置有所述黏着层的所述伪基板以及未设置所述黏着层的伪基板间隔送入所述工作腔室。

进一步，检测所述工作腔室中杂质是否达到预定标准包括：

测量设置有所述黏着层的所述伪基板上附着的杂质第一数量；

测量未设置所述黏着层的所述伪基板上附着的杂质第二数量；

根据所述杂质第一数量和所述杂质第二数量计算一杂质变化量；

当所述杂质变化量小于等于所述预定标准的阈值时，则所述工作腔室中杂质达到所述预定标准；

当所述杂质变化量大于所述预定标准的阈值时，则所述工作腔室中杂质未达到所述预定标准。

进一步，所述于伪基板上设置一黏着层包括：

于所述伪基板的上表面设置一黏着层。

进一步，当检测到所述工作腔室中杂质未达到所述预定标准时，继续向所述工作腔室中送入设置有所述黏着层的所述伪基板，直到检测到所述工作腔室中杂质达到所述预定标准时，停止所述除尘操作进行后续操作。

进一步，送入所述工作腔室中设置有所述黏着层的所述伪基板的数量与所述工作腔室中靶材的材质相关。

进一步，所述工作腔室中靶材为SIC时向所述工作腔室中送入带有所述黏着层的所述伪基板的数量大于靶材为Al、AlNd、Mo、MoW、Ti或ITO时向所述工作腔室中送入带有所述黏着层的所述伪基板的数量。

本发明的除尘方法，包括如下步骤：

于伪基板上设置一黏着层；

将设置有所述黏着层的所述伪基板循环送入工作腔室进行一除尘操作；当所述除尘操作的时间达到一预定时间时，停止所述除尘操作进行后续操作。

本发明向工作腔室中传输表面设置有黏着层的伪基板，提高了伪基板收集工作腔室内杂质的效率，如此大幅降低了进行各工艺操作之前所需的除尘时间，提高了工作效率，并且仅需向工作腔室中传输少量的伪基板就可以使其中的杂质浓度达到工作标准，有效降低了伪基板的使用量，降低了制造成本。

附图说明

图1为本发明一实施例的除尘方法的流程图；

图2为图1中本发明一实施例的具体除尘操作步骤的流程图；

图3为图1中本发明另一实施例的检测工作腔室中杂质达标的流程图；

图4为本发明另一实施例的除尘方法的流程图；

图5为本发明除尘方法的分析效果验证图。

具体实施方式

以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。

如图1所示，于一实施例中，本发明的除尘方法，包括如下步骤：

S10：于伪基板上设置一黏着层；

S20：将设置有所述黏着层的所述伪基板送入工作腔室进行一除尘操作；

S30：当检测到所述工作腔室中杂质达到一预定标准时，停止所述除尘操作进行后续操作。

本实施方式步骤S10，在用于除尘操作的伪基板的上表面贴附一层黏着 层，并覆盖伪基板的整个上表面。该黏着层的上表面用于黏着、吸附杂质，下表面具有粘胶，将黏着层带有粘胶的表面贴附在伪基板的上表面，以使黏着层固定于伪基板的整个上表面。其中，黏着层与伪基板的固定方式并不局限于以上所述，还可以利用其它固定件如夹具等，将黏着层夹持固定于伪基板上。

本实施方式步骤S20，将设置有黏着层的伪基板送入工作腔室进行除尘操作具体包括以下步骤：

步骤S201：将10片设置有所述黏着层的伪基板顺序送入一通有预定流量气体的工作腔室。其中，工作腔室中通入气体的一种实施方式为氩气，流量为200sccm，使工作腔室中散布的杂质颗粒被扬起，以便于带有黏着层的伪基板快速吸附和收集工作腔室中的杂质。本实施例方式中，以向工作腔室中送入10片带有黏着层的伪基板为例进行说明，但输送至工作腔室中的伪基板的数量并不此为限，其可以根据实际情况，例如根据机台和载台的数量以及工作腔室中的杂质数量进行任意调整。

步骤S202：停止向所述工作腔室中通入气体，并将7片设置有所述黏着层的所述伪基板顺序送入所述工作腔室。在步骤S201之后停止向工作腔室中通入上述气体，可以使得被气体扬起的杂质可以在重力作用下落下，以便被该顺序传送至工作腔室中的7片伪基板收集，并随之带出工作腔室。本实施方式中，以向工作腔室中送入10片带有黏着层的伪基板为例进行说明，但输送至工作腔室中的伪基板的数量并不此为限，其可以根据实际情况，例如根据机台和载台的数量以及工作腔室中的杂质数量进行任意调整。

步骤S203：将上述7片伪基板顺序送入所述工作腔室后，再向所述工作腔室送入3片未设置黏着层的伪基板，以便进行后续的工作腔室内所存杂质量是否达标的统计计算。同样的，本实施方式中，向工作腔室中送入3片未设置黏着层的伪基板再次收集其中的杂质，并与之前送入的带有黏着层伪基板中任意3片伪基板收集的杂质量进行比对计算，如此可以得到工作腔室内经过以上除尘操作后其中的杂质量是否已经达标。然而，需要说明的是，以上仅为一事例性实施例，上述带有黏着层的伪基板的用量并不局限于此，其可以根据实际情况增加或减少，例如带有黏着层的伪基板的伪基板的用量会随机台数量以及工作腔室中靶材的材质不同而改变。例如工作腔室中靶材为SIC时，该带有黏着层的伪基板的用量会相应增加，当靶材为Al、AlNd、Mo、MoW、Ti或ITO 时，该带有黏着层的伪基板的用量会相应减少。

上述实施方式步骤S20的除尘操作可以选择的还可以包括以下步骤：

将设置有所述黏着层的所述伪基板以及未设置所述黏着层的伪基板间隔送入所述工作腔室。本实施方式中，与上述除尘操作的主要区别在于，带有黏着层的伪基板和未带有黏着层的伪基板的输送顺序不同。本实施方式中，在输送一片带有黏着层的伪基板后，仅接着输送一片未带有黏着层的伪基板，并以此循环输送。

上述实施方式中，检测所述工作腔室中杂质是否达到预定标准具体包括以下步骤：

步骤S301：测量设置有所述黏着层的所述伪基板上附着的杂质第一数量；

步骤S302：测量未设置所述黏着层的所述伪基板上附着的杂质第二数量；

步骤S303：根据所述杂质第一数量和所述杂质第二数量计算一杂质变化量；

步骤S304：当所述杂质变化量小于等于所述预定标准的阈值时，则所述工作腔室中杂质达到所述预定标准；

步骤S305：当所述杂质变化量大于所述预定标准的阈值时，则所述工作腔室中杂质未达到所述预定标准。

为根更清楚的显示杂质的变化趋势，现以实际工作中测量的数据列表加以说明：

表1

上表1中，前值是代表未带有黏着层的伪基板上收集的杂质数量，后值是代表带有黏着层的伪基板上收集杂质数量，其中Total代表杂质总量，S代表小颗粒数量，M代表中颗粒数量，L代表大颗粒数量。利用后值中伪基板收集的杂质总量减去前值中伪基板收集的杂质总量可以计算得到杂质变化量，当计算得到的杂质变化量小于阈值1500时，则可以停止除尘操作进行后续的工艺步骤，例如气相薄膜沉积、曝光、显影、蚀刻等多道工艺。如表1中第1、7行计算得到杂质变换量分别为369、627均小于阈值1500，则此时可以停止除尘操作，进行后续的工艺。相反地，如表中第2-6行计算的杂质变换量分别为2222、2834、4004、1988、1728，则此时仍需要于工作腔室中输送带有黏着层的伪基板，继续进行除尘操作，直到杂质变换量达到预定标准时，再停止除尘进行后续工艺。

如图2所示，于另一实施例中，本发明的除尘方法，包括如下步骤：

S10:于伪基板上设置一黏着层；

S20:将设置有所述黏着层的所述伪基板循环送入工作腔室进行一除尘操作；

S30’:当所述除尘操作的时间达到一预定时间时，停止所述除尘操作进行后续操作。

本实施方式中，与上述图1中的实施方式相比，二者的主要区别在于停止除尘操作的判断原则不同。本实施方式中，判断是否继续进行除尘操作以输送伪基板的持续时间为标准，即向工作腔室中输送伪基板的持续时间达到一预定时间时，则停止除尘操作。以下通过机台和载台数量为10为例进行说明，当输送20片带有黏着层的伪基板后，通常来说工作腔室内杂质的量则可认为达标，可以停止除尘操作进行后续工艺。其中，向机台的工作腔室顺序输送10片伪基板需要40分钟，因此送入20片伪基板总共需要花费80分钟。则可以将上述预定时间设定为80分钟，当输送至机台工作腔室的伪基板的时间达到80分钟后，则停止向工作腔室继续送入带有黏着层的伪基板，转而进行后续工艺。这与现有技术中，在经过除尘17小时后才可进行后续工艺相比大幅缩减了除尘时间，同时节省了伪基板的使用量，降低了制造成本。然而，需要说明的是，以上仅为一事例性实施例，上述预定时间并不局限于80分钟，其可以根据实际情况延长或缩短，例如预定时间会随机台数量以及工作腔室中靶材 的材质不同而改变。例如工作腔室中靶材为SIC时，该预定时间会相应延长，当靶材为Al、AlNd、Mo、MoW、Ti或ITO时，该预定时间会相应缩短。

如图5所示，为以上实施方式除尘方法的效果验证图。图中横坐标表示送入伪基板的片数及对应的时间，纵坐标表示杂质总量。从图中可以看出随着设置有黏着层的伪基板送入片数的变化，工作腔室中杂质总量呈下降趋势，大约经过40分钟后，杂质总量达到预定标准1500以下。

以上具体地示出和描述了本发明的示例性实施方式。应该理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明意图涵盖包含在所附权利要求范围内的各种修改和等效置换。