1.一种生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，包括：
向下馈送同轴馈线，以将所述同轴馈线的第一线端设置在加热源处，所述同轴馈线包括：结晶线芯；和
无定形壳体，其围绕所述结晶线芯；
在所述加热源处加热所述同轴馈线的第一线端，从而在所述第一线端形成熔融悬滴；和
将多个封装的结晶颗粒由所述熔融悬滴掉落到设置在所述熔融悬滴下方的收集器上。
2.根据权利要求1所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，还包括将与所述同轴馈线的第一线端相反的第二线端连接到高压电源。
3.根据权利要求2所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，所述高压电源在所述结晶线芯上施加0-100kv的电压。
4.根据权利要求1所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，还包括鞘气流，所述鞘气流位于所述加热源上游的所述同轴馈线周围。
5.根据权利要求1所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，还包括接地电极，所述接地电极位于所述熔融悬滴下方。
6.根据权利要求1所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，所述多个封装结晶颗粒是一个或多个小芯颗粒或细芯线。
7.根据权利要求6所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，所述一个或多个小芯颗粒的直径小于1mm。
8.根据权利要求6所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，所述细芯线的直径小于100μm。
9.根据权利要求1所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，所述加热源可通过电阻加热、感应加热、炬加热、激光加热、微波加热、电子束加热或等离子体加热中的一种或多种以加热所述同轴馈线。
10.根据权利要求1所述的生产多个封装结晶颗粒的方法，其特征在于，所述收集器接地。
11.一种用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，包括：
同轴馈线，包括：
结晶线芯；和
无定形壳体，其围绕所述结晶线芯；
加热源，所述同轴馈线的第一线端位于所述加热源处；和
收集器，其设置在所述加热源下方；
其中在所述加热源处加热所述第一线端以在所述第一线端形成熔融悬滴，多个封装的结晶颗粒从所述第一线端掉落到所述收集器上。
12.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，还包括压力控制室，所述同轴馈线设置在所述压力控制室。
13.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，还包括位于所述加热源上游的所述同轴馈线周围的鞘气流。
14.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，还包括设置在所述熔融悬滴下方的接地电极。
15.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，还包括：
高压电源，其连接与所述同轴馈线的第一线端相反的第二线端；
其中所述高压电源在所述结晶线芯上施加0-100kv的电压。
16.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，所述多个封装结晶颗粒是一个或多个小芯颗粒或细芯线。
17.根据权利要求16所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，所述一个或多个小芯颗粒的直径小于1mm。
18.根据权利要求16所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，所述细芯线的直径小于100μm。
19.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，所述加热源可通过电阻加热、感应加热、炬加热、激光加热、微波加热、电子束加热或等离子体加热中的一种或多种以加热所述同轴馈线。
20.根据权利要求11所述的用于沉积多个封装结晶颗粒的设备，其特征在于，所述收集器接地。
21.一种形成同轴馈线的方法，其特征在于，包括：
将固体结晶芯送入管状无定形壳体中；
熔炉加热一部分所述固体结晶芯和管状无定形壳体；和
在所述管状无定形壳体中施加真空以控制结晶芯的加热熔融部分的流速。
22.根据权利要求21所述的形成同轴馈线的方法，其特征在于，通过所述管状无定形壳体中的密封件，将所述固体结晶芯送入所述管状无定形壳体中。
23.根据权利要求21所述的形成同轴馈线的方法，其特征在于，所述管状无定形壳体的熔融部分的流速大致等于所述结晶芯的加热熔融部分的流速。