分别与二极管D3的负极连接，电阻R2与二极管D3并联;芯片Ul的8脚经二极管Dl、电阻Rl与芯片Ul的I脚连接；电阻Rl和电容C2的连接点接电源VCC，电阻R4与电容C2的连接点接地。
[0034]在产生斩波前，先打开低边驱动模块7，电容Cl(自举电容)通过VCC、电阻Rl、二极管Dl、电容Cl、高速电磁阀负载6、低边驱动模块7、采样电阻R8(图4中)进行充电，当电容Cl两端的电压高于一定值后，第一高边驱动模块4或第二高边驱动模块5开始产生斩波，用于使第一高边驱动模块4或第二高边驱动模块5导通。电阻Rl的作用是防止电容Cl过充，二极管D2的作用是防止电容Cl在过冲时两端产生负压，二极管D3和电阻R2的作用是协调第一高边驱动模块4、第二高边驱动模块5的导通和关断速度。
[0035]如图3所示，所述低边驱动模块包括电阻R5、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、电流源U2、电流源U3、反相器U4、反相器U5、反相器U6、mos管Ml、mos管M2、mos管M3和mos管M4;各元器件的连接关系如下:
[0036I 所述mos管Ml的栅极经电阻R5、二极管D4、电流源U2与mos管Ml的漏极连接，所述mos管Ml的栅极还经二极管D5与mos管Ml的源极连接;所述mos管Ml的漏极与mos管M2的漏极连接，mos管M2的漏极经反相器U4与mos管M2的栅极连接，mos管M2的源极经电流源U3与mos管M3的源极连接，mos管M2的栅极依次经反相器U5、反相器U6后分别与mos管M3的栅极、mos管M4的栅极连接，mos管M3的漏极与mos管M4的漏极连接，mos管M4的源极经二极管D6、二极管D7与mos管M3的源极连接。
[0037]将输入的3.3V CMOS电平，经过逐级放大，产生15V、IA输出电平，用于控制低边开光管，使其导通的速度快、导通内阻低。
[0038]如图4所示，所述电流信号调节模块8包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Ql、放大器Al、补偿电路U7和驱动门U8;
[0039]所述三极管Ql的基极与放大器Al的3脚连接;所述三极管Ql的集电极与放大器Al的I脚连接，放大器Al的2脚经补偿电路U7接地，放大器Al的2脚还与电阻R6的一端连接;所述三极管Ql的发射极经电阻R7后接地;所述三极管Ql的发射极还与驱动门U8的一端连接；采样电阻R8的一端与Vin—连接，采样电阻R8的另一端与V1N+连接。
[0040]首先将经过采样电阻R8两端的小电压信号通过电阻R9、电阻R6分别流向放大器Al的正向端(即I脚)和反向端(即2脚)，从而产生一个差异电流IIN，再经过三极管Q1、电阻R7重新转换成电压信号，经过放大20倍之后，送入单片机9的FADC端口，该电流信号调节模块8可达到0.01%精度。
[0041]如图5所示，所述Boost升压模块I包括芯片U9、电容C皿、电容CiN2、电容C_pl、电容CCOmp2、电容 Csst、电容 Civcc、电容 Cciut、电感 Linput、电感 Lbqcist、二极管 Dbqqst、M0S 管 M5、电阻 Rcomp、电阻Rfrec1、电阻Rcs、电阻Rfbl和电阻Rfbh ；各兀器件的连接关系如下:
[0042]所述芯片U9(其型号为TLE8386)的I脚经电容Civcc接地;所述芯片U9的6脚经电阻Rfbl接地;所述芯片U9的6脚还经电阻Rfbh、电容Cqut接地;所述芯片U9的3脚接地;所述芯片U9的4脚经电阻Rcs接地，芯片U9的4脚还与MOS管M5的源极连接;所述芯片U9的2脚与MOS管M5的栅极连接，MOS管M5的漏极经二极管0_5了接电源VbcmMOS管M5的漏极还经电感1^0咖、电感Linput、电容Cin2后接地;所述芯片U9的14脚经电容C皿接地;所述芯片U9的8脚经电容C_p2接地;所述芯片U9的8脚还经电阻Rccimp、电容Ccotp1接地;所述芯片U9的11脚经电阻Rfreci接地;所述芯片U9的5脚经电容Csst接地;所述芯片U9的12脚接地。
[0043]采用经典的Boost电源拓扑结构，通过合理选择电阻Rfbh和电阻Rfbl的值来设置Boost升压模块的输出电压值，如果需要做成输出电压软件可调，只需要将电阻Rfbh或电阻RFBL换成可调电位计即可。
【主权项】
1.一种电流驱动电路，其特征在于:包括Boost升压模块(I)、高压电源(2)、24V电源(3)、单片机(9)、第一高边驱动模块(4)、第二高边驱动模块(5)、电流信号调节模块(8)和低边驱动模块(7)，所述单片机(9)分别与Boost升压模块(1)、第一高边驱动模块(4)、第二高边驱动模块(5)、电流信号调节模块(8)电连接，所述电流信号调节模块(8)与低边驱动模块(7)连接，所述第一高边驱动模块(4)与高压电源(2)连接，第二高边驱动模块(5)与24V电源(3)连接，所述高压电源(2)与Boost升压模块(I)连接。2.根据权利要求1所述的电流驱动电路，其特征在于:所述Boost升压模块(I)产生的电压在24V?10V范围内可调，用于控制电流上升时间；所述第一高边驱动模块(4)、第二高边驱动模块(5)及低边驱动模块(7)用于控制电流值以及电流波形纹波，在O?25A范围内可调;所述第一高边驱动模块(4)、第二高边驱动模块(5)均采用自举悬浮驱动;所述电流信号调理模块采用放大20倍的差分采集电路;所述单片机(9)通过FADC端口对电流信号进行采集。3.根据权利要求1或2所述的电流驱动电路，其特征在于:所述第一高边驱动模块(4)和第二高边驱动模块(5)的电路相同，其包括芯片Ul、电阻Rl、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容Cl、电容C2、二极管Dl、二极管D2和二极管D3; 所述芯片Ul的I脚经电容C2与芯片Ul的4脚连接，芯片Ul的2脚经电阻R4与芯片Ul的4脚连接，芯片Ul的5脚经电阻R3与芯片Ul的6脚连接，芯片Ul的5脚还经电容Cl与芯片Ul的8脚连接，二极管D2与电容Cl并联;芯片Ul的7脚分别与二极管D3的负极连接，电阻R2与二极管D3并联;芯片Ul的8脚经二极管Dl、电阻Rl与芯片Ul的I脚连接；电阻Rl和电容C2的连接点接电源，电阻R4与电容C2的连接点接地。4.根据权利要求1或2所述的电流驱动电路，其特征在于:所述低边驱动模块(7)包括电阻R5、二极管D4、二极管D5、二极管D6、二极管D7、电流源U2、电流源U3、反相器U4、反相器U5、反相器 U6、mos 管 Ml、mos 管 M2、mos 管 M3 和 mos 管 M4 ； 所述mos管Ml的栅极经电阻R5、二极管D4、电流源U2与mos管Ml的漏极连接，所述mos管Ml的栅极还经二极管D5与mos管Ml的源极连接;所述mos管Ml的漏极与mos管M2的漏极连接，mos管M2的漏极经反相器U4与mos管M2的栅极连接，mos管M2的源极经电流源U3与mos管M3的源极连接，mos管M2的栅极依次经反相器U5、反相器U6后分别与mos管M3的栅极、mos管M4的栅极连接，mos管M3的漏极与mos管M4的漏极连接，mos管M4的源极经二极管D6、二极管D7与mo s管M3的源极连接。5.根据权利要求1或2所述的电流驱动电路，其特征在于:所述电流信号调节模块(8)包括电阻R6、电阻R7、采样电阻R8、电阻R9、三极管Ql、放大器Al、补偿电路U7和驱动门U8 ； 所述三极管Ql的基极与放大器Al的3脚连接;所述三极管Ql的集电极与放大器Al的I脚连接，放大器Al的2脚经补偿电路U7接地，放大器Al的2脚还与电阻R6的一端连接;所述三极管Ql的发射极经电阻R7后接地;所述三极管Ql的发射极还与驱动门U8的一端连接;采样电阻R8的一端与Vin—连接，采样电阻R8的另一端与V1N+连接。6.根据权利要求1或2所述的电流驱动电路，其特征在于:所述Boost升压模块(I)包括芯片U9、电容ClNl、电容ClN2、电容Ccompl、电容C_p2、电容CSST、电容ClVCC、电容CdUT、电感LlNPUT、电感Lbqqst、二极管Dbqqst、M0S管M5、电阻Rcqmp、电阻Rfreck电阻Res、电阻Rfbl和电阻Rfbh; 所述芯片U9的I脚经电容Citcc接地;所述芯片U9的6脚经电阻Rfbl接地;所述芯片现的6脚还经电阻Rfbh、电容Cqut接地;所述芯片U9的3脚接地;所述芯片U9的4脚经电阻Rcs接地，芯片U9的4脚还与MOS管M5的源极连接;所述芯片U9的2脚与MOS管M5的栅极连接，MOS管M5的漏极经二极管Dbqcist接电源Vbci ; MOS管M5的漏极还经电感Lbqcist、电感Linput、电容Cin2后接地;所述芯片U9的14脚经电容Cin1接地;所述芯片U9的8脚经电容Cccimp2接地;所述芯片U9的8脚还经电阻Rcomp、电容C_pl接地;所述芯片U9的11脚经电阻Rfreq接地;所述芯片U9的5脚经电容Csst接地;所述芯片U9的12脚接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电流驱动电路，包括Boost升压模块、高压电源、24V电源、单片机、第一高边驱动模块、第二高边驱动模块、电流信号调节模块和低边驱动模块，所述单片机分别与Boost升压模块、第一高边驱动模块、第二高边驱动模块、电流信号调节模块电连接，所述电流信号调节模块与低边驱动模块连接，所述第一高边驱动模块与高压电源连接，第二高边驱动模块与24V电源连接，所述高压电源与Boost升压模块连接。本实用新型能够实现燃油喷射系统的高速电磁阀控制。
【IPC分类】H03K17/94, F02D41/30
【公开号】CN205190049
【申请号】CN201521002907
【发明人】黄都, 张鹏, 吴竞, 桑印
【申请人】重庆红江机械有限责任公司
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2015年12月7日