纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，该方法采用ZL200710134575.2的方法制备聚合物填充的石英纤维切片，然后放入HF酸腐蚀溶液中腐蚀一定时间，形成纺锤型阵列结构，最后去除松香，获得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。本发明具有低成本、无需复杂设备与技术、工艺简单等优点，可在光学、传感、生物等领域获得广泛应用。
【专利说明】纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种纳米和微米微结构材料的制备方法，特别是一种纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法。
【背景技术】
[0002]石英微结构的制备是一项具有重要应用背景的技术。石英在可见光波段透明，因此石英纤维是理想的光信号传输的材料；同时，光在介质中的传播受到介质折射率的调制会产生新奇的物理效应。纺锤形微米和亚微米石英棒阵列是一种新颖的微结构材料，其在光学、传感、生物等领域具有重要应用前景。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种工艺简单、成本低的纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法。
[0004]本发明的技术方案:
[0005]纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，包括以下步骤:
[0006](I)采用ZL200710134575.2的方法获得直径为200纳米-200微米石英纤维和松香复合结构的切片；
[0007](2)将上述切片放入浓度为0.1%-40%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀I分钟_24小时，形成纺锤型阵列结构；
[0008](3)去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
[0009]本发明与现有技术相比，具有以下突出优点:
[0010]1、极大地降低了微米和亚微米针阵列的制备成本。
[0011]2、不需微加工等昂贵复杂技术和设备。
[0012]3、工艺简单，对场地环境无特别要求，可在光学、传感、生物等领域获得广泛应用。【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1是本发明制备过程的示意图。
【具体实施方式】
[0014]本发明所述的纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，石英纤维和松香复合结构的切片根据ZL200710134575.2的方法获得。
[0015]实施例1:直径为200纳米石英纤维和松香复合结构切片放入浓度为0.1%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀24小时，形成纺锤型阵列结构，去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
[0016]实施例2:直径为200微米石英纤维和松香复合结构切片放入浓度为40%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀24小时，形成纺锤型阵列结构，去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
[0017]实施例3:直径为500纳米石英纤维和松香复合结构切片放入浓度为40%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀I分钟，形成纺锤型阵列结构，去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
[0018]实施例4:直径为8微米石英纤维和松香复合结构切片放入浓度为20%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀12小时，形成纺锤型阵列结构，去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
[0019]实施例5:直径为125微米石英纤维和松香复合结构切片放入浓度为10%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀12小时，形成纺锤型阵列结构，去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
[0020]实施例6:直径为I微米石英纤维和松香复合结构切片放入浓度为1%的HF酸腐蚀溶液中腐蚀2小时，形成纺锤型阵列结构，去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
【权利要求】
1.纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤: (1)采用ZL200710134575.2的方法获得石英纤维和松香复合结构的切片； (2)将上述切片放入HF酸腐蚀溶液中腐蚀一定时间，形成纺锤型阵列结构； (3)去除松香，即得纺锤形微米和亚微米石英棒阵列。
2.根据权利要求1所述的纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤(I)中，所述石英纤维的直径为200纳米-200微米。
3.根据权利要求1所述的纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述HF酸腐蚀溶液浓度为0.1%-40%。
4.根据权利要求1所述的纺锤形微米和亚微米石英棒阵列的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述腐蚀一定时间为I分钟-24小时。
【文档编号】B81C99/00GK103569958SQ201310562905
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年11月12日 优先权日:2013年11月12日
【发明者】卢明辉 申请人:无锡英普林纳米科技有限公司