技术总结
本发明提供一种改善惯性传感器中金属损失的方法，通过在MEMS器件的键合工艺之前，先在器件表面制备一层有机物薄膜，以作为后续硅通孔刻蚀工艺中的保护层，保护其下方的金属层不被过刻蚀，并且，在硅通孔刻蚀工艺完成之后，能够通过氧气等离子体工艺将剩余的位于器件传感区域开口中的有机物薄膜去除，从而保证了金属层的完整性，减少了金属损失，同时又不影响最终所形成的传感器的灵敏度。
技术研发人员：倪梁;汪新学
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510006098
技术研发日：2015.01.06
技术公布日：2017.04.05