技术总结
本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有牺牲材料层，在所述牺牲材料层中形成有延伸到所述基底中的第一沟槽；步骤S2：在所述牺牲材料层和所述第一沟槽中形成主悬梁臂材料层并图案化，以形成主悬梁臂；步骤S3：继续沉积所述牺牲材料层，以覆盖所述主悬梁臂；步骤S4：图案化所述牺牲材料层和所述基底，以在所述第一沟槽的一侧形成第二沟槽；步骤S5：在所述牺牲材料层上和所述第二沟槽中形成副悬梁臂，以覆盖所述牺牲材料层；步骤S6：去除所述牺牲材料层，以形成空腔。本发明所述MEMS器件中当主悬臂梁产生过载时，副悬臂梁的设计，可以适当起到缓冲与支撑作用，保护悬臂梁根部防止断裂。
技术研发人员：阮炯明;张冬平
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
文档号码：201510974153
技术研发日：2015.12.22
技术公布日：2017.06.30