技术特征：
技术总结
本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
技术研发人员：G·阿勒加托;L·奥吉欧尼;M·加拉瓦利亚;R·索玛彻尼
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2018.01.05