基于键合技术的SOI加速度敏感芯片制造方法与流程

技术特征：

技术总结
基于键合技术的SOI加速度敏感芯片制造方法，其特征在于：该方法是指加速度敏感芯片或相类似敏感芯片的制造方法，所述方法是利用硅硅直接键合技术将两片分别加工的SOI基片（A和B）键合并制成敏感芯片的技术方法。其具有灵敏度高、固有频率高、抗冲击性能好、交叉耦合系数小、重复性和稳定性好、耐高温以及制造工艺与IC工艺兼容等优点。

技术研发人员：揣荣岩;杨宇新;李新;张贺;张冰
受保护的技术使用者：沈阳工业大学
技术研发日：2017.07.27
技术公布日：2017.12.26