专利名称：一种增大芯片键合面积的方法
技术领域：
本发明专利涉及ー种用于増大芯片键合面积的方法
背景技术：
半导体照明产业在全球已经兴起，在国家中长期科技规划战略研讨会上，已将“新世纪照明工程”推荐为重大项目，发展半导体照明工程已经到了新时期。芯片键合技术是半导体光电子和电カ电子领域的重要技木，它是通过两芯片之间添加某种粘合剂，随后通过化学或物理方法将其键合在一起，成为新衬底片。目前，现有的芯片键合エ艺，芯片蒸发时采用背放式镀锅(如图2所示)，边缘处由于被蒸镀盖板(图幻环遮挡，蒸发材料不能沉积在晶圆片边缘处，从而导致键合面积小、键合区产生空洞、存在夹层，键合后衬底片边缘有键合材料溢出，在后续加工エ艺中出现键合层脱落、电压偏高、外观不良等异常，致使大量的晶粒损失、良品率低、制造成本提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对上述缺点，本发明提出一种用于増大芯片键合面积的方法。该方法可以将待键合晶圆片的边缘处均蒸发有键合材料，晶圆片可以很好的键合在一起，増大芯片键合的面积，提高键合率。本发明ー种增大芯片键合面积的方法，采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。采用本发明方法，晶圆片边缘处完全裸露在蒸镀腔体中。在蒸发时，蒸发材料可以直接沉积在晶圆片的任何裸露部位。在键合时由于晶圆片边缘处均有键合材料，致使键合面积增大、键合率提高。本发明与现有技术相比，具有以下优点1、键合面积大。正放式镀锅蒸发时可以在晶圆片边缘处沉积上蒸发材料。提高芯片边缘处利用率、键合后的衬底片将边缘0 5mm)处完美的键合在一起，可实现整个面积的键合，键合强度高。以及有利于后续エ艺的实施。2.键合率高，减少后续电极制作エ艺键合层脱落异常发生。3、エ艺简单。在装片或蒸发过程中晶圆片表面不需要进行专门的表面结合键增强处理，不仅省时、省力，而且可节省大量化学药品及设备使用率。4、蒸发周期短。蒸发好的晶圆片即可快速地进行下一步エ艺，不需等待。5、对设备没有额外要求，并且设备操作简单方便。
图1、正放式镀锅示意图；图2、背放式镀锅示意图3、蒸镀盖板示意图；图4、晶圆片承载垫片示意图；图5、弹簧夹固定晶圆片示意图。
具体实施例方式本发明可采用以下实施方法实现(1)将晶圆片清洗干净；(2)在镀膜机中放入蒸镀靶材，然后晶圆片放置在正放式的镀锅中，镀锅放入镀膜机中；(3)抽真空4.5X10_4Pa，开始蒸发。(4)蒸发完成后，将晶圆片从正放式镀锅中取下，进行键合作业。
权利要求
1. 一种增大芯片键合面积的方法，其特征在于采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。
全文摘要
一种增大芯片键合面积的方法，采用正放式的蒸镀锅将待键合的晶圆片放入晶圆垫片上，用弹簧夹将其固定进行键合材料的蒸发或沉积，随后将蒸发有键合材料的晶圆片放置于键合机中进行键合作业，将晶圆片/晶圆片或晶圆片/硅片键合在一起。用这种方法进行晶圆片/硅片或晶圆片/晶圆片键合，键合后衬底片键合面积高达99.99％以上、无键合材料外溢、无空洞，键合强度高，键合率高达99％以上，其制得的衬底片不但键合区不存在污染层、多晶层、氧化层，而且提高后续工艺的成品率，降低生产成本。从而可使制得到的二极管发光器件性能得到大大的提高，可制备高效率、高亮度、低阻值、性能稳定的LED发光二极管器件。
文档编号H01L21/60GK102569109SQ20121000159
公开日2012年7月11日 申请日期2012年1月5日 优先权日2011年7月7日
发明者杨继远 申请人:杨继远