技术特征：
技术总结
一种系统包括三个相关结构。第一结构包括插入在第一对侧壁之间的第一指形件。所述第一指形件具有第一长度和第一宽度，且与所述侧壁中的每个侧壁分开具有第一间距的第一间隙。第二结构包括插入在第二对侧壁之间的第二指形件。所述第二指形件具有第二长度和所述第一宽度，且与所述侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第二间隙。第三结构包括插入在第三对侧壁之间的第三指形件。所述第三指形件具有所述第二长度和第二宽度，且与所述侧壁中的每个侧壁分开具有第二间距的第三间隙。所述三个结构的电阻和电容测量用于提取由半导体装置制造工艺引起的临界参数。
技术研发人员：佩奇·M·霍尔姆;柳连俊
受保护的技术使用者：恩智浦美国有限公司
技术研发日：2017.08.18
技术公布日：2018.03.06