专利名称：半导体制造工艺中芯片回流的方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体制造工艺中芯片回流的方法。
背景技术：
制造互补金属氧化物半导体的简易工艺流程是定义N阱P阱一定义有源区一定义栅极一定义N型源漏一N型源漏注入一定义P型源漏一P型源漏注入一掺硼磷的氧化物生长一回流一定义孔层一金属及护层定义。对于制造好的芯片，芯片的耐压值是衡量芯片性能的一个重要参数，如果耐压值偏低，芯片在使用过程中就会发生漏电，导致芯片不能正常使用。以0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺为例，该工艺制造出的芯片的耐压值的典型值在8伏以上，约11伏左右。这样的电压值对于工作电压为5伏的应用是绰绰有余的。但是对于某些有特殊应用(如微波炉中的LED驱动)的芯片，它的工作电压在8. 5伏左右，而且随着供电电源的不稳定，供电电压会在7伏到11伏之间波动，传统的芯片耐压值11伏就比较危险，容易造成漏电大、不工作的现象。所以对于这种对耐压要求较高的特殊芯片，必须提高耐压值，使得芯片能够正常使用。在金属氧化物半导体制作工艺中，提高芯片耐压值的传统方法有两种第一种降低阱浓度。第二种增大栅极尺寸以增大沟道宽度。以上两种方法都有一些不可避免的缺点，其中第一种方法对器件参数影响较大， 而第二种方法只对源漏穿通(Punch through)造成的低耐压起作用，无法提高整个芯片的耐压值。
发明内容
本发明实施例提供一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，能够提高整个芯片耐压值，同时避免对器件参数影响较大和只对源漏穿通造成的低耐压起作用的缺点。本发明实施提供的半导体制造工艺中芯片回流的方法，包括将芯片放置在反应室内；控制反应室温度为第一温度，对芯片进行回流；其中，在0. 5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于850摄氏度；在0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于915摄氏度；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于950摄氏度。其中，在0. 5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在760摄氏度 820摄氏度之间。较佳的，在0. 5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是800摄氏度，
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其中，在0. 5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟 150分钟之间；在0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在 180分钟 240分钟之间。较佳的，在0. 5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是90 分钟；在0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是180分钟。其中，在0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在825摄氏度 885摄氏度之间；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在860摄氏度 920摄氏度之间。较佳的，在0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是850摄氏度； 在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是900摄氏度。其中，在0.8或1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在 90分钟 150分钟之间。较佳的，在0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120 分钟；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120分钟。由于本发明实施例通过改变回流温度，达到提高芯片耐压值的效果。避免对器件参数影响较大和只对源漏穿通造成的低耐压起作用的缺点。同时工艺上简单可行，不额外增加工艺步骤。
图IA为本发明实施例回流前源漏的结构示意图；图IB为本发明实施例回流后源漏横向扩散后的结构示意图；图2为本发明实施例半导体制造工艺中芯片回流的方法示意图。
具体实施例方式发明人在发明过程中，发现在半导体制造工艺流程中，回流过程中的温度越高，源漏横向扩散越多，导致芯片耐压值越低。参见图IA 图1B，图IA表示回流前的源漏的结构示意图，图IB表示回流后的源漏横向扩散后的结构示意图。本发明提供一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，通过改变回流温度，从而减少源漏横向扩散，达到提高整个芯片耐压值的目的。同时工艺上简单可行，不额外增加工艺步骤。下面结合说明书附图对本发明方案进行详细介绍。参见图2，本发明实施例提供一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，包括步骤201、将芯片放置在反应室内；步骤202、控制反应室温度为第一温度，对芯片进行回流。其中，所述第一温度小于第二温度。第二温度是指现有技术中不同工艺对应的回流温度C。具体的在0. 5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第二温度是850摄氏度；在0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第二温度是915摄氏度；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第二温度是950摄氏度。
由于本发明中第一温度小于第二温度，也就是说，本发明相比现有技术，是通过降低回流温度，从而减少源漏扩散，提高芯片耐压值。在实施中，环境、设备等外界因素的干扰，有可能无法一直维持温度在一个恒定不变的状态，所以第一温度可以在一定范围内波动，例如上下浮动3个摄氏度。下面简单介绍一下回流的目的，主要有两点(1)对掺硼磷的氧化层做平坦化回流做法是在沉积完掺杂硼和磷的二氧化硅后，将芯片推入高温炉管一段时间，该二氧化硅层即会“流动”，使芯片表面变得较平坦。这就是回流平坦化技术。(2)对源漏注入进行退火源漏注入都是大剂量的注入，注入完成后，需要一步高温过程对其进行激活。退火温度越高，激活越完全。为了实现回流目的，现有技术中不同工艺中回流温度(C)和回流时间(T)，如表1
所示
权利要求
1.一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，其特征在于，该方法包括将芯片放置在反应室内；控制反应室温度为第一温度，对芯片进行回流；其中，在0. 5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于850摄氏度；在0. 8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于915摄氏度；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度小于950摄氏度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在0.5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在760摄氏度 820摄氏度之间。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在0.5或0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是800摄氏度，
4.如权利要求1 3任一所述的方法，其特征在于，在0.5微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟 150分钟之间。在0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在180分钟 MO 分钟之间。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在0.5微米金属氧化物半导体制造工艺中， 对芯片进行回流的时间是90分钟；在0. 6微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是180分钟。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中， 所述第一温度在825摄氏度 885摄氏度之间；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度在860摄氏度 920摄氏度之间。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是850摄氏度；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第一温度是900摄氏度。
8.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，在0.8或1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间在90分钟 150分钟之间。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中， 对芯片进行回流的时间是120分钟；在1. 0微米金属氧化物半导体制造工艺中，对芯片进行回流的时间是120分钟。
全文摘要
本发明实施例公开了一种半导体制造工艺中芯片回流的方法，包括将芯片放置在反应室内；控制反应室温度为第一温度，对芯片进行回流；其中，所述第一温度小于第二温度；在0.5或0.6微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第二温度是850摄氏度；在0.8微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第二温度是915摄氏度；在1.0微米金属氧化物半导体制造工艺中，所述第二温度是950摄氏度。采用本发明实施例能够提高整个芯片耐压值。
文档编号H01L21/02GK102479681SQ201010574089
公开日2012年5月30日 申请日期2010年11月30日 优先权日2010年11月30日
发明者谭志辉, 闻正锋 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司