本发明涉及微机电系统领域，特别是涉及一种mems芯片的制作方法。
背景技术：
mems(micro-electro-mechanicalsystem，微机电系统)是一种基于微电子技术和微加工技术而产生的一种高科技领域。mems技术可将机械构件、驱动部件、电控系统、数字处理系统等集成为一个整体的微型单元，所集成出来的微型单元也可以称为mems芯片。
在制作mems芯片时，有两个重要的步骤，其一是需要将mems释放，该步骤是要在晶圆上形成微型结构，即mems结构；其二是需要将晶圆切割以分离出各个mems芯片。在制作mems芯片时，若先切割晶圆，在将切割下来的每个mems芯片分别进行释放会大大降低释放的效率。若先将晶圆释放再切割晶圆，可能会破坏在晶圆表面形成的微结构，同时切割时产生的硅屑硅渣会污染mems的结构，导致整个生产的良品率非常低。
在现有技术中，通常是将整个晶圆进行释放，再用两层薄膜覆盖在晶圆的表面，其中与晶圆直接接触的薄膜需要进行打孔，以形成放置芯片微结构的空间。最后在切割晶圆，以形成mems芯片。
但是在现有技术中，在贴膜过程中需要增加复杂的工序，同时使用打孔贴膜进行保护并不适用与较大尺寸的mems芯片。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种mems芯片的制作方法，可以有效避免在切割过程中水流对mems芯片中工作区域所造成的破坏。
为解决上述技术问题，本发明提供一种mems芯片的制作方法，所述方法包括：
将晶圆释放，以在所述晶圆的上表面形成mems芯片的工作区域；其中，所述工作区域包括像元区域和遮挡区域；
将盖板的下表面键合于所述晶圆的上表面，以遮蔽所述遮挡区域；其中，所述盖板的下表面设置有凹槽和贯穿所述盖板的第一内腔，所述凹槽对应所述工作区域，所述凹槽的下表面中对应所述像元区域设置有贯穿所述盖板的第二内腔，所述第一内腔对应所述mems芯片中的焊盘；
在所述盖板的上表面贴膜，以封闭所述第二内腔；
从所述晶圆的下表面切割所述晶圆，以制得所述mems芯片。
可选的，所述在所述盖板的上表面贴膜包括：
在所述盖板的上表面贴uv膜；
在所述从所述晶圆的下表面切割之后，所述方法还包括：
通过uv照射机照射所述uv膜，以分离所述uv膜。
可选的，所述uv照射机工作时发射紫外光线的能量范围为：100mj/cm2至500mj/cm2，包括端点值。
可选的，在所述从所述晶圆的下表面切割所述晶圆之前，所述方法还包括：
从所述晶圆的下表面减薄所述晶圆。
可选的，在所述从所述晶圆的下表面减薄所述晶圆之后，所述晶圆的厚度的取值范围为：100μm至500μm，包括端点值。
可选的，所述将盖板的下表面键合于所述晶圆的上表面包括：
通过焊料将所述盖板的下表面焊接于所述晶圆的上表面。
可选的，所述盖板的厚度的取值范围为：200μm至500μm，包括端点值。
可选的，所述从所述晶圆的下表面切割所述晶圆包括：
通过双轴切割机第一次切入所述晶圆的下表面，以初步分离所述mems芯片；
通过所述双轴切割机第二次切透所述晶圆与所述盖板，以最终分离所述mems芯片。
本发明所提供的一种mems芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的mems芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例所提供的一种mems芯片制作方法的流程图；
图2为本发明实施例所提供的一种晶圆的结构示意图；
图3为本发明实施例所提供的一种晶圆的剖视图；
图4为本发明实施例所提供的一种盖板的结构示意图；
图5为本发明实施例所提供的一种盖板的剖视图；
图6为本发明实施例所提供的一种mems芯片的结构示意图；
图7为本发明实施例所提供的一种具体的mems芯片制作方法的流程图；
图8为本发明实施例所提供的一种切割前晶圆的结构示意图；
图9为本发明实施例所提供的一种切割后晶圆的结构示意图；
图10为本发明实施例所提供的一种扩膜后晶圆的结构示意图；
图11为本发明实施例所提供的一种固定后晶圆的结构示意图。
图中：1.晶圆、2.mems芯片、20.工作区域、21.像元区域、22.遮挡区域、23.焊盘、3.盖板、4.镂空结构、41.第一内腔、42.凹槽、43.第二内腔、5.uv膜、6.切割专用的框架、7.薄膜、8.扩晶环。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种mems芯片的制作方法。在现有技术中，通常是将整个晶圆进行释放，再用两层薄膜覆盖在晶圆的表面，其中与晶圆直接接触的薄膜需要进行打孔，以形成放置芯片微结构的空间。最后在切割晶圆，以形成mems芯片。其中经过打孔的薄膜会贴合在mems结构的周围，用以支撑最上层不经过打孔的薄膜。而最上层的薄膜要求不与晶圆表面的mems结构相接触。通常来说薄膜比较薄同时也比较软，容易发生形变。若位于下层的薄膜上打的孔比较大，位于上层的薄膜就容易发生形变而接触到mems结构，即使用打孔贴膜进行保护并不适用于较大尺寸的mems芯片。同时还是由于通常情况下薄膜较薄，若整个mems结构较高，位于上层的薄膜同样容易接触到mems结构。在后续不论是揭掉薄膜或者是切割晶圆的过程中，都容易对需要保护的mems结构造成破坏。
而本发明所提供的一种mems芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的mems芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽所述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就将晶圆释放，可以大大增加释放效率。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1、图2、图3、图4、图5和图6，图1为本发明实施例所提供的一种mems芯片制作方法的流程图；图2为本发明实施例所提供的一种晶圆的结构示意图；图3为本发明实施例所提供的一种晶圆的剖视图；图4为本发明实施例所提供的一种盖板的结构示意图；图5为本发明实施例所提供的一种盖板的剖视图；图6为本发明实施例所提供的一种mems芯片的结构示意图。
参见图1，在本发明实施例中，所述mems芯片的制作方法包括：
s101：将晶圆释放，以在晶圆的上表面形成mems芯片的工作区域。
参见图2与图3，mems结构中很多复杂的三维结构或者是支撑结构都是利用牺牲层释放工艺得以制作的。在本步骤中，晶圆1的上表面沉积有结构材料，并预先通过光刻或者是刻蚀工艺制作出了需要的mems结构。在晶圆1上表面沉积的结构材料通常也称为牺牲层。常用的牺牲层材料主要有氧化硅、多晶硅、非晶碳、聚酰亚胺等。上述释放是利用氧化气体将上述牺牲层中不需要的多余结构氧化成挥发性气体，并将该挥发性气体排出，此时剩下的结构就是需要的mems结构。
有关具体的释放步骤，通常情况下，是通过机械手臂将放置在料盒中的上述晶圆1放入去胶机中，在传输晶圆1的过程中还可以使用到释放托盘或者载盘，当然也可以不使用释放托盘或者载盘进行传输。在将晶圆1放入去胶机后，通常是在去胶机中对晶圆1进行释放。由于在本步骤中是将整个晶圆1直接进行释放，所以本步骤中，将晶圆1释放也属于晶圆级释放。在本发明实施例中，每次释放晶圆1的数目通常是在1pcs至25pcs之间，即，每次释放晶圆1的数目通常是在1个至25个之间。当然根据去胶机的体积以及空间不同，还可以同时释放不同数量的晶圆1。有关每次释放晶圆1的个数在本发明实施例中不做具体限定。由于在本发明实施例中可以同时释放多个晶圆1，提高了设备兼容性，同时提高了释放产品均匀性和重复性。
当然，传输晶圆1的过程还可以通过其他的方式传输，同时释放晶圆1还可以使用其他的设备，在本发明实施例中并不做具体限定，只要能实现本发明的目的均可。
在本发明实施例中，mems结构是制备在晶圆1的表面，其中mems结构也称为工作区域20。在本发明实施例中mems芯片2包括有工作区域20和焊盘23，其中工作区域20包括有像元区域21和遮挡区域22。
本发明的mems芯片2具体的是应用在红外摄像头中的非制冷红外芯片，在工作区域20中通常设置有像元区域21和遮挡区域22。其中像元区域21是用于接收外界的红外光线，进而形成红外图像；而遮挡区域22也称为blind区域，遮挡区域22是用来当参照物使用，所述遮挡区域22不会接收到外界的红外光线。在本发明实施例中，整个mems芯片2通过对比像元区域21所生成的信息与遮挡区域22所生成的信息可以生成相应的红外图像。
在本发明实施例中，晶圆1在现阶段通常为硅质晶圆。当然在本发明实施例中并不限定所述晶圆1为硅质晶圆，所述晶圆1可以是适合作为mems芯片2基底的任意材料，有关所述晶圆1的具体材料在本发明实施例中不做具体限定。
s102：将盖板的下表面键合于晶圆的上表面，以遮蔽遮挡区域。
参见图4和图5，在本发明实施例中，盖板3本身通常也为晶圆，但是在制作盖板3的晶圆上通常设置有多个对应mems芯片2的镂空结构4，所述镂空结构4包括有凹槽42、第一内腔41和第二内腔43等结构，最终形成了本发明实施例所使用的盖板3。当然，下述的晶圆特指表面形成有工作区域20的晶圆，并不是指代本步骤中所介绍的盖板3。
有关具体的键合过程将在下述发明实施例中做详细介绍，在本步骤中不再赘述。
参见图6，在本发明实施例中，键合在晶圆1上表面的盖板3的作用是遮蔽上述遮挡区域22，即外界光线不会通过盖板3照射到遮挡区域22。当然，除了遮蔽遮挡区域22这一个作用之外，还可以在设置在晶圆1上表面的每个工作区域20周围形成环绕所述工作区域20的挡壁，以此来对处于挡壁内部的工作区域20进行保护。
在本发明实施例中，所述盖板3的下表面设置有凹槽42和贯穿所述盖板3的第一内腔41，所述凹槽42对应所述工作区域20，所述凹槽42的下表面中对应所述像元区域21设置有贯穿所述盖板3的第二内腔43，所述第一内腔41对应所述mems芯片2中的焊盘23。
上述第一内腔41通常是沿盖板3的厚度方向贯穿盖板3。在本发明实施例中第一内腔41对应所述mems芯片2中的焊盘23，即所述焊盘23可以通过第一内腔41与外界连通。在本发明实施例中mems芯片2除了具有工作区域20之外，通常还设置有用于打线焊盘23，操作人员通过在焊盘23处打线来将mems芯片2与其他的设备相连接。通常情况下mems芯片2会设置多个焊盘23，对于一个mems芯片2来说，多个焊盘23通常分布在工作区域20的两个相对的两边。
上述凹槽42对应所述工作区域20，即当盖板3的下表面与晶圆1的上表面键合在一起时，位于盖板3下表面的凹槽42中的空间可以容纳设置在晶圆1上表面的工作区域20。此时凹槽42的侧壁会围绕所述工作区域20，进而对工作区域20起到保护的作用。
上述第二内腔43位于上述凹槽42中对应像元区域21的位置，通常第二内腔43也是沿盖板3的厚度方向贯穿盖板3。在本发明实施例中第二内腔43对应上述像元区域21，即外界的光线可以通过第二内腔43照射到像元区域21。通常情况下，第二内腔43沿平行于盖板3下表面的方向的截面积需要大于或等于像元区域21的面积，以保证整个像元区域21都可以接收到外界的光线。由于上述凹槽42中对应上述遮挡区域22的凹槽42没有设置贯穿盖板3的内腔，所以上述凹槽42的底部形成了类似挡板的结构使得外界的光线不会照射到遮挡区域22。
在本发明实施例中，通常情况下一块晶圆1的上表面会形成多个工作区域20，以及在晶圆1的上表面会预先对应每一块工作区域20设置多个焊盘23。所以上述盖板3中通常会设置多个第一内腔41，以便与上述焊盘23相对应；上述盖板3还会设置多个凹槽42，多个凹槽42与多个工作区域20通常要一一对应；设置在凹槽42下表面的第二内腔43也需要与像元区域21一一对应。
在本发明实施例中，s102可以在s101之前执行，也可以在s101之后执行。当然通常情况下s102是在s101之后执行。因为若先将盖板3键合于上述晶圆1，再将晶圆1进行释放，所述盖板3可能会影响到晶圆1上表面释放的均匀性。
s103：在盖板的上表面贴膜，以封闭第二内腔。
在本步骤中，盖板3的下表面已经与晶圆1的上表面键合在一起，此时在盖板3的上表面贴膜，就可以将沿厚度方向贯穿盖板3的内腔封闭。在本步骤中，会通过薄膜至少封闭上述第二内腔43，因为第二内腔43连通设置在晶圆1上表面的工作区域20，在后续的切割过程中若不封闭第二内腔43水流会通过第二内腔43破坏工作区域20的具体结构。而第一内腔41连通的是焊盘23，通常情况下在切割过程中焊盘23是不会因为切割时的水流而产生损坏的，所以在本步骤中，通过在盖板3的上表面贴膜，至少要封闭第二内腔43。当然通常情况下是将上述第二内腔43与第一内腔41都进行封闭。
s104：从晶圆的下表面切割晶圆，以制得mems芯片。
在本步骤中，会从晶圆1的下表面进行切割，并最终将整个晶圆1以及与该晶圆1键合的盖板3划透，以分离出mems芯片2，即最终制得mems芯片2。从晶圆1的下表面进行切割，可以在切割时有效减少硅屑硅渣的产生。有关具体的切割过程将在下述发明实施例中做详细描述，在此不再进行赘述。
在切割完晶圆1之后，通常还需要将切割好的mems芯片2进行分选，在后续步骤中，一般还需要对mems芯片2进行封装。
本发明所提供的一种mems芯片的制作方法，在切割晶圆1之前，在晶圆1的上表面键合了一个盖板3，此时在盖板3表面贴一层膜就可以封闭晶圆1上表面形成的mems芯片2的工作区域20。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域20封闭就可以避免在冲水时水对工作区域20中微结构的破坏。在晶圆1表面键合的盖板3可以遮蔽工作区域20中的遮挡区域22，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽遮挡区域22的挡片。同时在切割之前就完成晶圆1释放，可以大大增加释放效率。
在本发明中，可以进一步的通过对晶圆1减薄等步骤来提高切割效率，或者实现其他的目的。详细内容将在下述发明实施例中做详细介绍。
请参考图7，图8，图9，图10和图11，图7为本发明实施例所提供的一种具体的mems芯片制作方法的流程图；图8为本发明实施例所提供的一种切割前晶圆的结构示意图；图9为本发明实施例所提供的一种切割后晶圆的结构示意图；图10为本发明实施例所提供的一种扩膜后晶圆的结构示意图；图11为本发明实施例所提供的一种固定后晶圆的结构示意图。
参见图7，在本发明实施例中，所述mems芯片的制作方法可以包括：
s201：从晶圆的下表面减薄晶圆。
本步骤的目的在于将上述发明实施例中所介绍的晶圆1减薄，从而有利于在后续切割过程中提高切割晶圆1的效率。原则上是只要在切割晶圆1之前将晶圆1的厚度减薄均能提高切割晶圆1的效率。通常情况下，在减薄晶圆1的时候需要在晶圆1的上表面进行贴膜以保护晶圆1正面的mems结构。当晶圆1减薄之后，需要将晶圆1正面贴的膜揭掉。
减薄后的晶圆1的厚度通常的取值范围为：100μm至500μm，包括端点值。即所述晶圆1的厚度可以恰恰为100μm或500μm。当然，由于实际应用环境的不同，不同晶圆1的厚度还可以是取其他的值，在本发明实施例中对于所述晶圆1的厚度并不做具体限定。
s202：将晶圆释放，以在晶圆的上表面形成mems芯片的工作区域。
本步骤与上述发明实施例中的s101相同，详细内容请参照上述发明实施例，在次不再进行赘述。
s203：利用探针台对晶圆进行测试。
在s202之后，可以将晶圆1从去胶机中传回料盒，此时可以直接利用探针台对晶圆1进行测试。由于在此处进行测试通常是直接对晶圆1表面的所有工作区域进行测试，所以也称为晶圆级测试。在此处进行测试不需要倒料盒，从而提高了设备兼容性，并且大大提高了生产效率。
s204：通过焊料将盖板的下表面焊接于晶圆的上表面。
在预先加工晶圆1的过程中，在每个工作区域20的四周设置有焊接环。在本步骤中，可以通过设置在工作区域20四周的焊接环用焊料将盖板3的下表面焊接于晶圆1的上表面，从而将盖板3键合于所述晶圆1的上表面。在本发明实施例中，盖板3的厚度的取值范围为：200μm至500μm，包括端点值。即所述盖板3的厚度可以恰恰为200μm或500μm。当然，由于实际应用环境的不同，不同盖板3的厚度还可以是取其他的值，在本发明实施例中对于所述盖板3的厚度并不做具体限定。
s205：在盖板的上表面贴uv膜。
所述uv(ultravioletrays，紫外光线)膜是在塑料基材表面涂抹有uv胶的薄膜材料。uv膜5是在制作芯片时经常用到的胶带，当盖板3的上表面覆盖有uv膜5之后，可以在封闭第二内腔43的同时，保持在切割过程中晶圆1的完整性，减少在切割过程中晶圆1崩碎情况的发生。
s206：通过双轴切割机第一次切入晶圆的下表面，以初步分离mems芯片。
s207：通过双轴切割机第二次切透晶圆与盖板，以最终分离mems芯片。
参见图8与图9，在切割过程中通常需要将上述键合有盖板3的晶圆1倒扣在切割专用的框架6上，晶圆1与切割专用的框架6之间通过s205中的uv膜5相贴合。此时晶圆1从前的下表面朝上，即晶圆1的背面朝上。
在本发明实施例中，优选的是通过双轴切割机通过两次将晶圆1与盖板3完全切透，以最终将mems芯片2分离。通过两次切割可以减少mems芯片2发生崩边，同时可以减少分离出的芯片边缘的薄膜发生脱落。具体的讲，通过双轴切割机可以通过两次切割将晶圆1与盖板3切透。在本发明实施例中，通常情况下第一次切割是从晶圆1的下表面切入晶圆1加盖板3的总厚度的30％至70％左右；第二次切割是从第一次切割的痕迹中再次进行切割，第二次切割需要将晶圆1与盖板3完全划透，通常情况下需要切入在s205中贴在盖板3上表面的uv膜5中20μm至50μm。当然，由于在本发明实施例中并没有对晶圆1以及盖板3的厚度加以限定，同理有关双轴切割机每次的切割厚度，即刀高同样不做具体的限定。
在本发明实施例中，在s207之后，通常会对切割后的晶圆1进行清洗以及甩干。
s208：通过uv照射机照射uv膜，以分离uv膜。
在本步骤中需要将s205中贴合在盖板3上表面的uv膜5从盖板3上表面揭下，此时通常是使用uv照射机来发射紫外光线照射uv膜5。所述紫外光线的波长通常在365nm左右。通过uv照射机照射uv膜5通常也称为解uv。其中uv照射机的工作时长通常在0.5分钟至5.0分钟之间，工作时发射紫外光线的能量范围通常为：100mj/cm2至500mj/cm2，包括端点值。即uv照射机工作时发射紫外光线的能量可以恰恰为100mj/cm2或500mj/cm2。当然，所述uv照射机的工作时长与发射紫外光线的能量还可以有其他的取值，只要能解uv均可，在本发明实施例中不做具体限定。使用uv照射机照射所述uv膜5，可以使得uv膜5表面的uv胶的粘性降低至1％至10％，从而到达分离uv膜5的目的。
s209：通过倒模机在晶圆的下表面贴膜。
在s206中，通常会将晶圆1倒扣，即在s206之后晶圆1的原下表面，即晶圆1的背面会朝向上。在本步骤中，倒模机会将从新将晶圆1倒扣，此时晶圆1的原下表面会重新朝向下，即晶圆1的背面在s209之后会朝向下，此时便于在之后的步骤中，芯片分选机对芯片进行分选。
在本步骤中在晶圆1下表面贴合的薄膜7可以具体是uv膜，也可以具体是蓝膜，还可以是其他的薄膜7，在本发明实施例中不做具体限定。
s210：使用扩膜机对晶圆进行扩膜处理。
参见图10，在本步骤中，通过扩膜机可以将不同的mems芯片2向四周散开，方便后续的分选。通常情况下，在扩膜机中相邻两个芯片之间的距离需要控制在50μm至200μm之间。
s211：使用扩晶环将扩膜后的晶圆固定。
参见图11，在本步骤中，通常会将扩晶环8外部多余的薄膜7划掉。在后续步骤中，可以使用光学检测设备对上述分离出的mems芯片2进行检测，以挑选出合格的mems芯片。
s212：使用芯片分选机分选合格的mems芯片。
在本步骤中，可以通过芯片分选机将合格的mems芯片分选出来，以便后续进行封装工作。
本发明实施例所提供的一种具体的mems芯片的制作方法，通过减薄晶圆1以及二次切割等方法增加了mems芯片2的良品率以及制作效率，进而可以降低mems芯片2的制作成本。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(ram)、内存、只读存储器(rom)、电可编程rom、电可擦除可编程rom、寄存器、硬盘、可移动磁盘、cd-rom、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种mems芯片的制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。