1.一种MEMS芯片与ASIC芯片的封装结构，其特征在于，包括：
MEMS芯片，所述MEMS芯片具有相对正面以及背面；
ASIC芯片，所述ASIC芯片具有相对正面以及背面；所述ASIC芯片的正面与所述MEMS芯片的背面贴合固定，且所述ASIC芯片与所述MEMS芯片电连接；
所述ASIC芯片背离所述MEMS芯片的一侧设置有第一焊接凸起，所述第一焊接凸起用于与外部电路连接；
盖板，具有收容腔，所述盖板设置于所述ASIC芯片上，所述MEMS芯片位于所述收容腔内，且所述盖板与所述ASIC芯片密封连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述MEMS芯片的背面具有第二焊接凸起，所述MEMS芯片的正面具有第一焊垫，所述第一焊垫与所述第二焊接凸起电连接；
所述ASIC芯片具有耦合电路，所述耦合电路用于电连接所述第二焊接凸起。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述MEMS芯片背面具有贯穿所述MEMS芯片的第一过孔，用于露出所述第一焊垫；所述第一过孔中形成有第一电连接结构，所述第一电连接结构分别与所述第一焊垫以及所述第二焊接凸起电连接。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构为第一导电插塞。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一电连接结构包括设置在所述第一过孔内的第一再布线层。
6.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述第一过孔的孔径在由所述MEMS芯片指向所述ASIC芯片的方向上不变；
或，所述第一过孔的孔径在由所述MEMS芯片指向所述ASIC芯片的方向上逐渐增大；
或，所述第一过孔包括：设置在所述MEMS芯片背面的凹槽，所述凹槽深度小于所述MEMS芯片的厚度；位于所述凹槽内，且贯穿所述MEMS芯片的通孔。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述ASIC芯片正面具有第二焊垫，其背面具有贯穿所述ASIC芯片的第二过孔，用于露出所述第二焊垫；所述第二过孔内形成有第二连接结构，所述第二连接结构分别与所述第二焊垫以及所述第一焊接凸起电连接。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二连接结构为第二导电插塞。
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述第二导电插塞直接与所述第一焊接凸起电连接，或是通过设置在所述ASIC芯片背面的印刷电路与所述第一焊接凸起电连接。
10.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二连接结构包括设置在所述第二过孔内的第二再布线层。
11.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述第二过孔的孔径在由所述MEMS芯片指向所述ASIC芯片的方向上不变；
或，所述第二过孔的孔径在由所述MEMS芯片指向所述ASIC芯片的方向上逐渐增大；
或，所述第二过孔包括：设置在所述MEMS芯片背面的凹槽，所述凹槽深度小于所述ASIC芯片的厚度；位于所述凹槽内，且贯穿所述ASIC芯片的通孔。
12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，在垂直于所述MEMS芯片以及所述ASIC芯片的方向上，所述MEMS芯片小于所述ASIC芯片。
13.根据权利要求1-12任一项所述的封装结构，其特征在于，所述ASIC芯片的背面经过减薄处理，且所述ASIC芯片经过减薄处理后的背面设置有加强层。