技术特征：
技术总结
本发明提供的一种硅针阵列的制备方法，在硅片的所有表面沉积生长保护膜。保护膜在刻蚀面形成硅片保护层。在进行刻蚀以及腐蚀硅的处理过程中，通过保护膜可以对硅片进行保护。通过第一掩膜为遮挡，在硅片上选定的区域中对硅片保护层进行干法刻蚀，且只刻蚀覆盖区域以外的区域。在硅片的刻蚀面刻蚀形成所述第二掩膜。干法刻蚀直接利用刻蚀硅片保护层实现掩膜图形化，无需使用腐蚀液，消除了腐蚀液各向同性腐蚀带来的线宽损失。同时，通过硅针阵列的制备方法对硅片进行加工的步骤少，过程简单、容易操作，且成本低。
技术研发人员：阮勇;尤政;刘晓琴;郑烁
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.08.10