本发明涉及一种高纯二乙基碲的制备方法。
背景技术：
目前，mo源是伴随着mocvd技术而发展起来的。6n(6n＝99.9999％)纯度的mo源(metalorganic金属有机化合物)是制造半导体薄膜材料的主要金属源，常作为如gan、gaas、inp、a1gaas等半导体超薄型膜材料的基础源。这些新型光电材料广泛应用于激光器、红外探测器、太阳能电池等高技术行业领域。
高纯二乙基碲是mo源系列产品中的一种，主要作用是红外探测tecdhg薄膜材料的生长。在半导体工业中这些薄膜的性质跟二乙基碲的纯度关系非常大，极少量的杂质都会给半导体沉积层的性能带来极大的影响，因此需要使用高纯的二乙基碲(无机杂质含量≤1ppm)。化学气相沉积工艺对原材料的金属杂质含量有一定的要求，使用纯度99.9999％的高纯二乙基碲才可以保证生长材料的导电性，发光效率符合技术要求，其中主要控制的杂质包括si、mg、cu、fe、zn、as等。
高纯二乙基碲是一种烷基金属有机化合物，由于二乙基碲特殊的臭味，且在空气中不稳定，氧化物对人体有毒害，以至于在合成中存在很大的危险性和不易控制性。合成纯化都在惰性气氛条件下完成，且合成更需在低温条件下完成。
获得有许多方法：1、金属单质和卤代烷直接反应制备法，但受到金属单质反应活性的影响，通常实现比较困难。2、二乙基碲由碲粉、甲醛合次硫酸氢钠、氢氧化钠，卤代烷经过化学合成得到，但该合成方法经过验证收率不高，后处理麻烦，且产品中的水无法彻底分离(核磁图谱显示水峰一直存在)。
因此，需要开发出一种能可靠制备高纯二乙基碲的方法，以满足国内led企业的需求。
技术实现要素：
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种高纯二乙基碲的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
高纯二乙基碲的制备方法，特点是：包括以下步骤：
1)原材料的处理；
2)制备乙基卤化镁醚溶液；
3)四氯化碲的醚溶液与乙基卤化镁的醚溶液反应生成二乙基碲；
4)对二乙基碲进行精馏处理。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，步骤1)，原材料包括镁屑、卤代烷、四氯化碲和醚溶剂。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，卤代烷和醚溶剂进行除水、除杂质处理，四氯化碲采用真空加热法进行抽烘，除去杂质。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，所述卤代烷为溴乙烷。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，步骤2)，在惰性气氛条件下，在具有搅拌、回流的烧瓶中，加入镁屑和无水醚溶剂，加入溴乙烷引发后继续滴加，制备成醚溶液。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，步骤3)所述四氯化碲的醚溶液，是在四氯化碲中加入醚溶剂，搅拌，四氯化碲慢慢溶解，制备获得四氯化碲的醚溶液。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，步骤3)，将乙基卤化镁的醚溶液冷却至-30℃～-50℃，然后在搅拌下滴加四氯化碲的醚溶液，滴加完后继续搅拌。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，步骤1)～4)均在惰性气体手套箱中进行。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，所述惰性气体为氮气、氩气、氦气中的一种。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，步骤4)，二乙基碲精馏采用先常压、后减压的工艺方式。
进一步地，上述的高纯二乙基碲的制备方法，其中，精馏采用填料柱，填料为直径为1.5mm的θ型316l材质的不锈钢填料。
本发明与现有技术相比具有显著的优点和有益效果，具体体现在以下方面：
提供一种简便易行的制备高纯二乙基碲的方法，经过1hnmr(核磁共振)和icp-oes(电感耦合等离子吸收光谱仪)检测，其产品纯度满足6n标准(无机杂质含量＜1ppm)，核磁图谱中不含醚溶剂峰和水峰，该制备方法获得的二乙基碲纯度高达99.9999％，杂质指标达到电子级要求，为tecdhg薄膜生长提供可靠原料。制备工艺简单，适合批量生产。
附图说明
图1：高纯二乙基碲的化学结构式。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明具体实施方案。
高纯二乙基碲的化学结构式如图1所示。该化合物属于化学气相沉积制造工艺中所使用的成膜原料。
实施例1
原料溴乙烷用4a分子筛进行除水。
醚溶剂用4a分子筛进行除水。
四氯化碲进行预处理。
在惰性气氛条件下，在带搅拌、回流的5l四口烧瓶中，加入200克镁屑(8.23mol)和无水醚溶剂41.6mol，加入30ml溴乙烷引发后继续滴加，共加入457ml(654克，6mol)溴乙烷，做成ch3ch2mgbr溶液。
在270g(1mol)已经处理好的四氯化碲中，加入700g醚溶剂，搅拌，四氯化碲慢慢溶解变成为黄色澄清溶液。
将ch3ch2mgbr的醚溶液冷却到-45±5℃，然后在搅拌下滴加tecl4溶液。滴加完后在-25℃继续搅拌1小时，再在室温下，继续搅拌2小时，该混合物在到室温时会变成棕黑色，最后变成浅黄色粘稠的混合物。
二乙基碲合成完后，将二乙基碲分离出来，分离醚溶剂的方法采用常压蒸馏法。反应釜进行加热，蒸馏出醚溶剂，当反应釜温升至90℃，关闭加热。蒸馏结束，可得到2000g左右的醚溶剂。
用钢瓶接收含有醚溶剂的二乙基碲粗品，调节真空系统的真空度为10kpa(绝压)，收集二乙基碲粗品。待釜温升到130℃，真空度逐渐降低到0kpa时停止收集。
实际得到150g(0.81mol)的二乙基碲，产率为81.3％。
实施例2
原料溴乙烷用4a分子筛进行除水。
醚溶剂用4a分子筛进行除水。
四氯化碲进行预处理。
在惰性气氛条件下，在带搅拌、回流的5l四口烧瓶中，加入160克镁屑和无水醚溶剂25mol，加入20ml溴乙烷引发后继续滴加，共加入3.6mol溴乙烷，做成ch3ch2mgbr溶液。
在132g(0.6mol)已经处理好的四氯化碲中，加入500g醚溶剂，搅拌，四氯化碲慢慢溶解变成为黄色澄清溶液。
将ch3ch2mgbr的醚溶液冷却到-45±5℃，然后在搅拌下滴加tecl4溶液。滴加完后在-25℃继续搅拌1小时，再在室温下，继续搅拌2小时，该混合物在到室温时会变成棕黑色，最后变成浅黄色粘稠的混合物。
二乙基碲合成完后，需要将二乙基碲分离出来，分离醚溶剂的方法采用常压蒸馏法。反应釜进行加热，蒸馏出醚溶剂，当反应釜温升至90℃，关闭加热。蒸馏结束，可以得到1300g左右的醚溶剂。
用钢瓶接收含有醚溶剂的二乙基碲粗品，调节真空系统的真空度为10kpa(绝压)，收集二乙基碲粗品。待釜温升到130℃，真空度逐渐降低到0kpa时停止收集。
实际得到125g(0.84mol)的二乙基碲，产率为83.5％。
实施例3
醚溶剂用4a分子筛进行除水。
四氯化碲进行预处理。
在惰性气氛条件下，在带搅拌、回流的5l四口烧瓶中，加入120克镁屑和无水醚溶剂32mol，加入20ml溴乙烷引发后继续滴加，共加入4.8mol溴乙烷，做成ch3ch2mgbr溶液。
在216g(0.8mol)已经处理好的四氯化碲中，加入600g醚溶剂，搅拌，四氯化碲慢慢溶解变成为黄色澄清溶液。
将ch3ch2mgbr的醚溶液冷却到-45±5℃，然后在搅拌下滴加tecl4溶液。滴加完后在-25℃继续搅拌1小时，再在室温下，继续搅拌2小时，该混合物在到室温时会变成棕黑色，最后变成浅黄色粘稠的混合物。
二乙基碲合成完后，需要将二乙基碲分离出来，分离醚溶剂的方法采用常压蒸馏法。反应釜进行加热，蒸馏出醚溶剂，当反应釜温升至90℃，关闭加热。蒸馏结束，可以得到1500g左右的醚溶剂。
用钢瓶接收含有醚溶剂的二乙基碲粗品，调节真空系统的真空度为10kpa(绝压)，收集二乙基碲粗品。待釜温升到130℃，真空度逐渐降低到0kpa时停止收集。
实际得到92g(0.83mol)的二乙基碲，产率为82.8％。
经过1hnmr(核磁共振)和icp-oes(电感耦合等离子吸收光谱仪)检测，其纯度满足6n标准(无机杂质含量＜1ppm)，核磁图谱中不含醚溶剂峰和水峰，该制备方法获得的二乙基碲纯度高达99.9999％，杂质指标达到电子级要求，为tecdhg薄膜生长提供可靠原料。
综上所述，本发明提供一种简便易行的制备高纯二乙基碲的方法，制备工艺简单，适合批量生产。
需要说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施方式，并非用以限定本发明的权利范围；同时以上的描述，对于相关技术领域的专门人士应可明了及实施，因此其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在申请专利范围中。