技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于干法刻蚀制备固态纳米孔的方法及装置，其步骤如下：在示踪气体环境中，将下半部经刻蚀形成锥型微腔的硅基衬底与上半部经刻蚀形成刻蚀槽的键合基底键合，组成示踪气体存储腔；在干法刻蚀设备中，使用等离子体对键合硅基衬底的上半部进行干法刻蚀，形成刻蚀窗口；气体检漏传感器与四极杆质谱仪检测系统相连，并通过控制终端实现纳米孔制备过程中的实时监控及刻蚀终止控制，刻蚀终止后，在刻蚀窗口与锥型微腔锥尖的连接处制得固态纳米孔及其阵列。该方法具备在等离子体环境下高灵敏度、低延时的刻蚀终止控制能力，一定程度上能缓解纳米孔制备过程中的过刻蚀问题，实现小孔径固态纳米孔及其阵列的可控性制备。
技术研发人员：刘泽文;叶黎;陈琦
受保护的技术使用者：清华大学
技术研发日：2019.06.06
技术公布日：2019.10.15