1.一种凹槽复合多凸起结构，包括衬底，其特征在于，还包括若干排列于所述衬底上的凹槽，以及若干复合在该凹槽表面的凸起，所述凹槽顶部的横向尺寸≤1um，凸起上邻近凹槽表面一端的横向尺寸≥60nm，每平方毫米的衬底上至少具有1×105个凹槽，每个凹槽表面复合的凸起的数量≥40个。
2.根据权利要求1所述的一种凹槽复合多凸起结构，其特征在于，所述凹槽顶部的横向尺寸为0.6～1um，每平方毫米的衬底上具有1×105～1×106个的凹槽，每个凹槽表面凸起的数量为40～50个。
3.根据权利要求1或2所述的一种凹槽复合多凸起结构，其特征在于，所述凹槽的深宽比为0.2～0.4。
4.根据权利要求1～3任一项所述的一种凹槽复合多凸起结构，其特征在于，所述凹槽为弧形凹陷结构；所述凸起为上小下大的结构。
5.一种凹槽复合多凸起结构的制备工艺，其特征在于，包括：
步骤一、在衬底上形成顶部的横向尺寸≤1um的凹槽，每平方毫米的衬底上至少具有1×105个凹槽；
步骤二、在凹槽内设置掩膜层，对凹槽进行刻蚀，去除掩膜层后形成若干复合在该凹槽表面的凸起，每个凹槽中该凸起的数量≥40个，凸起上邻近凹槽表面一端的横向尺寸≥60nm。
6.根据权利要求5所述的一种凹槽复合多凸起结构的制备工艺，其特征在于，所述衬底上凹槽的形成工艺为光刻工艺，或者沉积刻蚀工艺；
所述沉积刻蚀工艺的具体步骤为：在基底上利用经过等离子体蚀刻后的ps球阵列作为初始掩膜，再沉积一层金属形成初始凹陷结构，去除初始掩膜后采用反应离子刻蚀工艺进行刻蚀，刻蚀后形成具有凹槽的衬底。
7.根据权利要求6所述的一种凹槽复合多凸起结构的制备工艺，其特征在于，所述步骤一中，ps球的原始大小为1um，等离子体蚀刻后的ps球大小为0.7～0.9um。
8.根据权利要求6或7所述的一种凹槽复合多凸起结构的制备工艺，其特征在于，所述初始凹陷结构的沉积方法为：采用磁控溅射沉积、热蒸发沉积或者电子束蒸发沉积方法对基底沉积金属后形成，沉积的金属高度小于或等于等离子体蚀刻后的ps球直径的1/2。
9.根据权利要求6～8任一项所述的一种凹槽复合多凸起结构的制备工艺，所述基底为硅。
10.根据权利要求5～9任一项所述的一种凹槽复合多凸起结构的制备工艺，其特征在于，所述步骤二中，采用直径为100～120nm的ps球复合到凹槽表面形成单层ps球掩膜层，对复合有单层ps球掩膜层的凹槽进行反应离子刻蚀，除去单层ps球掩膜层后即可获得在凹槽表面形成若干凸起的结构。