电解电容器介质氧化膜制造方法

文档序号:5272453阅读:588来源:国知局
专利名称:电解电容器介质氧化膜制造方法
技术领域
本发明涉及一种在金属表面形成氧化膜的方法,尤其涉及一种在电解电容器阳极块的表面形成介质氧化膜的方法。
背景技术
目前,电解电容器阳极氧化膜的制造方法一般是在以磷酸为电解质的水溶液中连续通以恒定的电流进行阳极氧化。授权公告号为“CN1189401C”、授权公告日为“2005年2月16日”、发明创造名称为“钛氧化膜的形成方法和钛电解电容器”的中国专利文献公开了一种电解电容器阳极氧化膜的制造方法,其缺点是由于所形成的氧化膜致密度小,使得电解电容器的耐击穿电压低、额定值小,而且漏电电流和串联电阻值大,从而导致电容器废品率上升。

发明内容
针对现有技术中存在的上述缺陷,本发明旨在提供一种能够提高介质氧化膜致密度和质量的电解电容器介质氧化膜制造方法。
本发明的技术方案为以可阀金属的多孔烧结体为基材,并以该基材为阳极在形成液中对其施加电流进行阳极氧化;所述电流为间断施加的脉冲电流,所述可阀金属为钽、钛、铌或铝之一。
氧化过程中电流的通、断时间比例为10∶1~25∶1;所述脉冲电流的脉冲波在一个周期内的通、断电时间比例为5∶1~1∶1,脉冲电流的电流密度为10mA/g~200mA/g;脉冲电流的电流密度为15mA/g~80mA/g,所述可阀金属为钽。
其中,通、断电的时间比例,脉冲电流的脉冲波的通、断电时间比例,以及脉冲电流的电流密度须根据形成基材的可阀金属的种类、基材的重量以及产品的规格来确定。
与现有技术比较,本发明由于将传统技术中连续施加的恒定电流改为了间断施加的脉冲电流,从而有利于阳极氧化过程中热量散发和气体的释放,保证氧化膜更加均匀致密,质量更加稳定。
具体实施例方式下面以产品规格为16V/10μF的钽电解电容器为具体的实施例对本发明作进一步说明实施例1将比容为3.2万μF·V/g的钽粉按常规的方法制成5000支重量为0.015g的多孔烧结体,以5000支该烧结体为基材,并将其并联接在电源的正极,在70℃的形成液中通以电流强度为(0.015g×5000×200mA/g)÷1000=15A的脉冲电流,通电时间30分钟,然后断电3分钟,如此反复多次,直至达到16V/10μF的钽电解电容器阳极介质氧化膜所需的厚度要求;其中,所述脉冲电流的脉冲波在一个周期内的通、断电时间比例为5∶1。
具体的反应方程式如下
实施例2方法同实施例1;其中,通电时间50分钟,断电2分钟;所述脉冲电流的脉冲波在一个周期内的通、断电时间比例为1∶1,脉冲电流的电流强度为(0.015g×5000×10mA/g)÷1000=0.75A。
实施例3方法同实施例1;其中,通电时间30分钟,断电2分钟;所述脉冲电流的脉冲波在一个周期内的通、断电时间比例为3∶1,脉冲电流的电流强度为(0.015g×5000×15mA/g)÷1000=1.125A。
实施例4方法同实施例1;其中,通电时间40分钟,断电2分钟;所述脉冲电流的脉冲波在一个周期内的通、断电时间比例为2∶1,脉冲电流的电流强度为(0.015g×5000×80mA/g)÷1000=6A。
同理,采用同样的方法也可以制成钛、铌或铝电解电容器的阳极介质氧化膜。
实践证明,将本发明技术方案所生产的阳极块制成钽电解电容器后,电容器的多项技术指标均有不同程度的提高。具体检测、对比结果见下表产品规格16V/10μF 单位(支)

权利要求
1.一种电解电容器介质氧化膜制造方法,以可阀金属的多孔烧结体为基材,并以该基材为阳极在形成液中对其施加电流进行阳极氧化;其特征在于所述电流为间断施加的脉冲电流,所述可阀金属为钽、钛、铌或铝之一。
2.根据权利要求1所述的电解电容器介质氧化膜制造方法,其特征在于氧化过程中电流的通、断时间比例为10∶1~25∶1;所述脉冲电流的脉冲波在一个周期内的通、断电时间比例为5∶1~1∶1,脉冲电流的电流密度为10mA/g~200mA/g。
3.根据权利要求2所述的电解电容器介质氧化膜制造方法,其特征在于脉冲电流的电流密度为15mA/g~80mA/g,所述可阀金属为钽。
全文摘要
本发明公开了一种电解电容器介质氧化膜制造方法,属于电化学技术。旨在提供一种利用脉冲电流致密度高、质量稳定的电解电容器介质氧化膜制造方法;其技术方案为以可阀金属的多孔烧结体为基材,并以该基材为阳极在形成液中对其施加电流进行阳极氧化;所述电流为间断施加的脉冲电流,所述可阀金属为钽、钛、铌或铝之一。利用本发明所生产的阳极块制成的钽电解电容器的击穿电流可提高10~20%,主要适用于电子行业。
文档编号C25D11/02GK1767102SQ20051000328
公开日2006年5月3日 申请日期2005年11月16日 优先权日2005年11月16日
发明者张选红, 黄波, 毛云武, 李仁海 申请人:中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
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