技术特征：
技术总结
本发明公开了一种提高中压腐蚀箔比容的预处理方法及其制备的中压腐蚀箔。预处理方法包括如下步骤：将软态电子铝箔进行用500～2000Hz的高频交流电预处理。本发明的预处理方法针对初始发孔的缺陷分布进行布局，利用HCl的点蚀特性，采用高频交流模式对电子光箔表面进行缺陷点预发孔处理，得到比表面积大、比容高的中压腐蚀箔产品，结合含一定浓度F溶液进行中处理，对前段发孔后的箔面进行活化处理，再次裸露预处理所生成的缺陷点，有利于后段发孔腐蚀进一步生长更高密度，孔洞表面状态分布均匀，腐蚀箔孔径主要分布在0.8～0.95μm区间，孔洞数量在1.8～2.1*107cm2，具有优异的减薄效果、折曲强度和静电容量。
技术研发人员：陈锦雄;肖远龙;汪启桥;滕世国;冉亮
受保护的技术使用者：乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司
技术研发日：2019.07.26
技术公布日：2019.11.12