专利名称：具有激光定位功能的振容式静电传感器的制作方法
技术领域：
具有激光定位功能的振容式静电传感器技术领域[0001 ] 本实用新型涉及一种振容式静电传感器。
技术背景[0002]现有的静电电荷量的测试方法可分为接触式测量和非接触式测量。由于接触式 测试法误差大和复现性差，一般不被采用。非接触式测量共有三种测试方式，分别为直 接感应式、旋叶式和振动电容式。直接感应式测量的缺点是稳定性差、易受干扰。旋叶 式测量的缺点是运行靠高速电机驱动，功耗多、体积大、可靠性差，不适合长期使用。 基于振动电容式原理测量有效的解决了前两种测量方式的缺点，但现有的振容式静电传 感器的测量精度较低。实用新型内容[0003]本实用新型是为了解决现有的振容式静电传感器的测量精度低的问题，从而提 供一种具有激光定位功能的振容式静电传感器。[0004]具有激光定位功能的振容式静电传感器，它包括敏感元件、电路板、两只激光 管和滤波器，电路板上包括信号放大电路和信号补偿电路，敏感元件的感应面上开有静 电场接收窗，敏感元件的信号输出端与放大电路的信号输入端连接，放大电路的信号输 出端与滤波器的信号输入端连接，滤波器的信号输出端与信号补偿电路的信号输入端连 接；两只激光管对称分布在敏感元件的左、右两侧，且所述两只激光管发出的激光光束 会聚在敏感元件的中心线的延长线上。[0005]本实用新型能够精确测量静电电压，同比现有的振动式静电传感器，其测量精 度较高，其精度可达5%以内，并且本实用新型还能够分辨静电场的极性，尤其适合于电 子产品制造到测试、组装、生产、现场设备运行的静电测试。
[0006]图1是本实用新型的结构示意图；图2是图1的A-A向剖视图；图3是本实用 新型的电气原理图。
具体实施方式
[0007]具体实施方式
一、结合图1至图3说明本具体实施方式
，具有激光定位功能的振 容式静电传感器，它包括敏感元件2、电路板3、滤波器7和两只激光管5，电路板3上 包括信号放大电路31和信号补偿电路32，敏感元件2的的感应面开有静电场接收窗4， 敏感元件2的信号输出端与放大电路31的信号输入端连接，放大电路31的信号输出端与 滤波器7的信号输入端连接，滤波器7的信号输出端与信号补偿电路32的信号输入端连 接；两只激光管5对称分布在敏感元件2的左、右两侧，且所述两只激光管5发出的激光 光束会聚在敏感元件2的中心线的延长线上。[0008]本实用新型是通过敏感元件2来感应静电电场从而测量静电电位，其原理是通 过置于静电场中的敏感元件2在静电场中产生微弱信号，检测所述微弱信号并对此微弱 信号放大产生电压输出。同时，本实施方式根据对测量时感应距离指标要求的不同， 采用激光准确设定感应面与带电体之间的距离，采用两个激光定位管，通过调整安装角 度，使两束激光聚焦于一个预先设定距离的一点。测试时，把传感器放置在激光定位点 上，保证每次测量时传感器与带电体之间距离相同，从而大大降低了测量的随机误差， 有效提高了传感器的测量准确性。[0009]本实施方式中，当敏感元件2感应到信号后，经放大电路32对信号放大后由滤 波器7对信号处理，而后经信号补偿电路33进行转换和补偿，最终输出相应的标准信号。[0010]本实用新型在使用时，可以通过外挂支架11固定在被测物体的前方。本实用新 型的电路板3通过两个支柱9固定在固定底板6上。本实用新型还可以在壳体的外面安 装指示灯13和开关12，所述指示灯13和开关12连入本实用新型电路板3中，用于对系 统工作状态的显示以及对系统工作的控制。[0011]具体实施方式
二、本具体实施方式
与具体实施方式
一所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，电路板3上还包括供电电路33，所述供电电路33的 电源信号输出端同时与敏感元件2的电源信号输入端、信号放大电路31的电源信号输入 端、滤波器7的电源信号输入端和信号补偿电路32的电源信号输入端连接。[0012]具体实施方式
三、本具体实施方式
与具体实施方式
二所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，电路板3上还包括供电保护电路34，所述供电保护电 路34的信号输出端与供电电路33的信号输入端连接。[0013]具体实施方式
四、本具体实施方式
与具体实施方式
三所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，它还包括壳体1，敏感元件2、电路板3、两只激光管5 和滤波器7均封装在壳体1中。[0014]具体实施方式
五、本具体实施方式
与具体实施方式
四所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，它还包括固定底板6，所述固定底板6固定在壳体1的 底部，敏感元件2和两根激光管5均固定在固定底板6上。[0015]具体实施方式
六、本具体实施方式
与具体实施方式
五所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，还包括两个激光管固定架8，所述两个激光管固定架8 分别固定在固定底板6上，且分别位于敏感元件2的两侧，所述两根激光管5分别固定在 两个激光管固定架8中。[0016]具体实施方式
七、本具体实施方式
与具体实施方式
六所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，它还包括金属屏蔽板，所述金属屏蔽板固定在电路板3 上，且位于敏感元件2与集成芯片之间。[0017]本实施方式能够提高传感器的抗电磁干扰能力。由于传感器是测量高强电场的 电位，易受到周围电磁波干扰而使输出产生误差，影响测量准确度，因此加入了金属屏 蔽板，用于屏蔽电磁场，能够有效降低强电场对集成芯片的电磁干扰，保证芯片性能参 数不发生改变，进而使传感器性能得到保证。[0018]具体实施方式
八、本具体实施方式
与具体实施方式
七所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器的区别在于，信号补偿电路32采用单片机实现。[0019]具体实施方式
九、本具体实施方式
与具体实施方式
八所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，单片机是型号为PIC16F系列的单片机。[0020]具体实施方式
十、本具体实施方式
与具体实施方式
九所述的具有激光定位功能 的振容式静电传感器的区别在于，敏感元件2为平板式电容器。[0021 ] 本实施方式是通过平板式电容器来感应静电电场从而测量静电电位的，其原理 是通过置于静电场中的平板电容器极板间距离的改变，引起极板上电压的变化从而产生 微弱信号，再利用微弱信号检测电路对此信号放大产生电压输出。振动电容极板是一个 可振动的金属片，由于机械振动，使得探极与被测体之间的电容周期性变化，在被测体 静电感应的作用下，极板上感应的电压也周期性的变化。
权利要求1.具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征是它包括敏感元件(2)、电路板 (3)、滤波器(7)和两只激光管(5)，电路板(3)上包括信号放大电路(31)和信号补偿电 路(32)，敏感元件(2)的感应面上开有静电场接收窗(4)，敏感元件(2)的信号输出端与 放大电路(31)的信号输入端连接，放大电路(31)的信号输出端与滤波器(7)的信号输入 端连接，滤波器(7)的信号输出端与信号补偿电路(32)的信号输入端连接；两只激光管 (5)对称分布在敏感元件(2)的左、右两侧，且所述两只激光管(5)发出的激光光束会聚 在敏感元件(2)的中心线的延长线上。
2.根据权利要求1所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于电路板 (3)上还包括供电电路(33)，所述供电电路(33)的电源信号输出端同时与敏感元件(2) 的电源信号输入端、信号放大电路(31)的电源信号输入端、滤波器(7)的电源信号输入 端和信号补偿电路(32)的电源信号输入端连接。
3.根据权利要求2所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于电路板 (3)上还包括供电保护电路(34)，所述供电保护电路(34)的信号输出端与供电电路(33) 的信号输入端连接。
4.根据权利要求3所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于它还包 括壳体(1)，敏感元件(2)、电路板(3)、两只激光管(5)和滤波器(7)均封装在壳体(1)中。
5.根据权利要求4所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于它还包 括固定底板(6)，所述固定底板(6)固定在壳体(1)的底部，敏感元件(2)和两只激光管 (5)均固定在固定底板(6)上。
6.根据权利要求5所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于它还包 括两个激光管固定架(8)，所述两个激光管固定架(8)分别固定在固定底板(6)上，且分 别位于敏感元件(2)的两侧，所述两只激光管(5)分别固定在两个激光管固定架(8)中。
7.根据权利要求6所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于它还包 括金属屏蔽板，所述金属屏蔽板的侧边固定在电路板(3)上，且位于敏感元件(2)与集成 芯片之间。
8.根据权利要求7所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于信号补 偿电路(32)采用单片机实现。
9.根据权利要求8所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于单片机 是型号为PIC16F系列的单片机。
10.根据权利要求9所述的具有激光定位功能的振容式静电传感器，其特征在于敏感 元件(2)为平板式电容器。
专利摘要具有激光定位功能的振容式静电传感器，涉及一种振容式静电传感器，它解决了现有的静电传感器的测量精度低的问题。它的敏感元件上开有静电场感应窗，敏感元件的信号输出端与放大电路的信号输入端连接，放大电路的信号输出端与滤波器的信号输入端连接，滤波器的信号输出端与信号补偿电路的信号输入端连接；两只激光管对称分布在敏感元件的左、右两侧，且所述两根激光管发出的激光光束会聚在敏感元件的中心线的延长线上。本实用新型适用于电子产品制造到测试、组装、生产、现场设备运行的静电测试。
文档编号G01R29/24GK201804050SQ20102054767
公开日2011年4月20日 申请日期2010年9月29日 优先权日2010年9月29日
发明者于娜, 刘志远, 刘成利, 刘柏青, 姜晶, 柴寿臣, 蔡春丽, 郭宏伟 申请人:中国电子科技集团公司第四十九研究所