专利名称：一种晶振失效分析的方法
技术领域：
本发明涉及一种晶振失效分析的方法。
背景技术：
石英晶振是电子线路中的重要元件之一，主要由石英晶片、银膜层电极、引线、支架和外壳等组成。通常，在振荡电路中做稳频元件；在滤波电路中做选频元件。一般情况下，在谐振频率附近，石英晶振可等效成一个R、C、L组成的等效电路，这些等效参数与很多因素有关。在电子线路中，石英谐振器的主要失效模式有开路、短路、频率稳定性差等。造成开路、短路的原因主要为支架脱落、脱锡、外壳封装系统机械损伤等，而造成频率稳定性差的因素很多。因此，如何对失效的晶振进行失效分析成为该技术领域亟待解决的问题。
发明内容
为解决现有技术方法不能对失效的晶振进行完整技术分析的问题，本发明提供以下技术方案一种晶振失效分析的方法，包括以下步骤A、对需要分析的晶振样品进行外观分析，寻找可能的失效原因；B、对需要分析的晶振样品进行电学测试，测出频率、等效串联电阻和最大阻抗；C、对需要分析的晶振样品进行开封，并进行电学测试；D、使用光学显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；E、使用扫描电子显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；F、综合分析上述步骤得到的结果，总结出晶振样品失效的原因。 作为本发明的一种优选方案，所述步骤B中的电学测试为在多种不同温度下进行电学测试。作为本发明的另一种优选方案，所述步骤C中的开封方法为机械开封。本发明有如下优点本发明利用有限的分析仪器，在短时间内快速找到晶振元件失效的原因，分析详尽完整，为晶振的工艺生产的改进提供有效信息。
图1本发明分析方法流程图。
具体实施例方式下面对该工艺实施例作详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围作出更为清楚明确的界定。如图1本发明分析方法流程图所示，按此分析流程对某一失效的贴片晶振样品进行分析A、对不良品晶振样品进行外观分析，发现样品有磨损和开裂异常现象；
B、对不良品晶振样品进行电学测试，在常温、-20°C、7(TC条件下使用S&A250B晶振测试仪对良品晶振样品和不良品晶振样品进行电学参数测试，得到的频率值结果如表一，测试结果表明，不良品的频率(FL)、等效串联电阻(RR)、最大阻抗(RLD2)等参数均超出标称范围，对比良品，其频率(FL)、等效串联电阻(RR)、最大阻抗(RLD2)等参数均在标称范围；分别对良品晶振和不良品晶振进行X-Ray透射观察，发现异常点；表一良品和不良品在不同温度下测出的频率
权利要求
1.一种晶振失效分析的方法，其特征在于该方法包括以下步骤A、对需要分析的晶振样品进行外观分析，寻找可能的失效原因；B、对需要分析的晶振样品进行电学测试，测出频率、等效串联电阻和最大阻抗；C、对需要分析的晶振样品进行开封，并进行电学测试；D、使用光学显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；E、使用扫描电子显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；F、综合分析上述步骤得到的结果，总结出晶振样品失效的原因。
2.根据权利要求1所述的一种晶振失效分析的方法，其特征在于所述步骤B中的电学测试为在多种不同温度下进行电学测试。
3.根据权利要求1所述的一种晶振失效分析的方法，其特征在于所述步骤C中的开封方法为机械开封。
全文摘要
本发明提供了一种晶振失效分析的方法，包括以下步骤A、对需要分析的晶振样品进行外观分析，寻找可能的失效原因；B、对需要分析的晶振样品进行电学测试，测出频率、等效串联电阻和最大阻抗；C、对需要分析的晶振样品进行开封，并进行电学测试；D、使用光学显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；E、使用扫描电子显微镜对开封后的晶振样品进行内部观察；F、综合分析上述步骤得到的结果，总结出晶振样品失效的原因。本发明有如下优点本发明利用有限的分析仪器，在短时间内快速找到晶振元件失效的原因，分析详尽完整，为晶振的工艺生产的改进提供有效信息。
文档编号G01N21/88GK102426303SQ201110251629
公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月30日 优先权日2011年8月30日
发明者李红高 申请人:上海华碧检测技术有限公司