专利名称：Ntc温度传感器芯片电极结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种NTC温度传感器生产结构设计。
背景技术：
温度计是实际应用中经常需要测试的参数，从钢铁制造到半导体生产，很多制程都要依靠温度的测量来实现，因此温度传感器是应用系统与现实世界之间的桥梁。温度的测量应用非常广泛，不仅生产制程需要温度控制，有些电子产品还需对它们自身的温度进行测量，如计算机要监控CPU的温度，马达控制器要知道功率驱动IC的温度等等，而用来测量温度的传感器种类很多，热敏电阻器就是其中之一。许多热敏电阻具有负温度系数 (NTC)，也就是说温度下降时它的电阻值会升高。在所有被动式温度传感器中，热敏电阻的灵敏度(即温度每变化一度时电阻的变化)最高，因此藉由热敏电阻作为温度传感器为业界所普遍采用。NTC热敏电阻器具有高的灵敏度和较低的价格，所以特别适宜用作温度传感器。 在-55°C +300°C的温度范围内，用NTC热敏电阻器或NTC热敏电阻芯片作为核心元件的温度传感器一一简称NTC温度传感器，在工业自动化、仪器仪表、汽车电子、医疗电子、家用电器、航天航空、计算机等领域得到普遍应用，仅家用电器就有家用空调、冰箱、冷柜、热水器、饮水机、暖风机、洗碗机、消毒柜、洗衣机、烘干机、烧烤炉、电磁炉、豆浆机、多仕炉、手机充电器、电动自行车充电器、可充电电池、电子台历等。这种NTC温度传感器采用NTC热敏电阻器或NTC热敏电阻器芯片作为核心元件， 根据其用途的不同可以做成各种式样。现有各种NTC温度传感器的主要差异在于包裹有 NTC热敏电阻器或NTC热敏电阻器芯片的传感头结构差别很大，但不管外形结构有多大的差异，其引出线绝大部分都为PVC或耐高温的铁氟龙绝缘导线，热敏电阻器芯片电极结构一般在芯片表面印制一层电极薄膜，如Ag电极薄膜。该类产品受使用的环境条件(潮湿及腐蚀性气体)影响，电极Ag离子发生迁移，导致产品性能恶化，可靠性和稳定性下降。
发明内容本实用新型提供一种具有较高的致密度和阻值精度，厚簿均勻的NTC温度传感器芯片电极结构，该NTC温度传感器芯片电极结构不受使用的环境条件影响，电极离子不发生迁移，极大提高温度传感器性能的可靠性和稳定性。本发明是通过以下技术方案加以实现NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片和电极薄膜层，所述的芯片和电极薄膜层之间还设置有过渡层，所述的过渡层为一层或两层。所述的过渡层为两层，所述的紧邻芯片的过渡层为铬薄膜层，所述的紧邻电极薄膜层的过渡层为铜薄膜层所述的一层或两层过渡层和电极薄膜层是将芯片置于磁控溅射设备真空室中，采用质量纯度为99. 99%的不同金属作为靶材，磁控溅射沉积而成。本实用新型一种NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片和电极薄膜层，所述的芯片和电极薄膜层之间还设置有过渡层，所述的过渡层通过磁控溅射沉积而成，具有较高的致密度和阻值精度，厚簿均勻，极大提高温度传感器性能的可靠性和稳定性。本实用新型的有益效果电极薄膜厚簿均勻，而且致密度高，极大地提高了产品阻值精度。
图1为本实用新型实施1的结构示意图。图2为本实用新型实施2的结构示意图。图中序号1、芯片，2、电极薄膜层，3、过渡层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步说明。实施1 根据图1所示，一种NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片1、过渡层3 和电极薄膜层2，所述的过渡层3为两层，所述的NTC温度传感器芯片1为半导体敏感陶瓷基片，所述的电极薄膜层2为金薄膜层，所述的紧邻芯片1的过渡层3为铬薄膜层，所述的紧邻电极薄膜层2的过渡层3为铜薄膜层，所述的铬薄膜层和铜薄膜层过渡层3以及电极薄膜层2是将芯片1置于磁控溅射设备真空室中，依次采用质量纯度为99. 99%的金属铬、 铜和金作为靶材，磁控溅射沉积而成。本实用新型电极厚度<0.8 μ m，而且致密度高，厚簿均勻，误差〈士 10%，产品阻值精度提高到0.5%-1 %。电极薄膜层不受使用的环境条件 (潮湿及腐蚀性气体)影响，电极离子不发生迁移，极大提高产品性能的可靠性和稳定性。实施2 根据图2所示，一种NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片1、过渡层3 和电极薄膜层2，所述的NTC温度传感器芯片1为半导体敏感陶瓷基片，所述的电极薄膜层 2为金薄膜层，所述的过渡层3为铬薄膜层，所述的铬薄膜层和电极薄膜层2是将芯片1置于磁控溅射设备真空室中，依次采用质量纯度为99. 99%的金属铬和金作为靶材，磁控溅射沉积而成。实施例只是为了便于理解本实用新型的技术方案，并不构成对本实用新型保护范围的限制，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容或依据本实用新型的技术实质对以上方案所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型保护范围之内。
权利要求1.NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片⑴和电极薄膜层⑵，其特征在于所述的芯片⑴和电极薄膜层⑵之间还设置有过渡层⑶，所述的过渡层⑶为一层或两层。
2.根据权利要求1所述的NTC温度传感器芯片电极结构，其特征在于所述的过渡层 ⑶为两层，所述的紧邻芯片⑴的过渡层⑶为铬薄膜层，所述的紧邻电极薄膜层⑵的过渡层 ⑶为铜薄膜层。
3.根据权利要求1或2所述的NTC温度传感器芯片电极结构，其特征在于所述的一层或两层过渡层⑶和电极薄膜层⑵是将芯片⑴置于磁控溅射设备真空室中，采用质量纯度为99. 99%的不同金属作为靶材，磁控溅射沉积而成。
专利摘要本实用新型公开了一种NTC温度传感器芯片电极结构，包括芯片和电极薄膜层，所述的芯片和电极薄膜层之间还设置有过渡层，所述的过渡层为一层或两层。该NTC温度传感器芯片电极结构具有较高的致密度和阻值精度，厚薄均匀，且不受使用的环境条件影响，电极离子不发生迁移，极大提高了温度传感器性能的可靠性和稳定性。
文档编号G01K7/22GK202041317SQ20112007982
公开日2011年11月16日 申请日期2011年3月24日 优先权日2011年3月24日
发明者刘 英 申请人:兴化市新兴电子有限公司