专利名称：具有倒装芯片的小型温度传感器的批量生产的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种制造温度传感器的方法，其中，将倒装芯片装在面板上，在此之前将芯片进行分离，以在电路板上进行固定。本发明进一步涉及温度传感器，其中，设置在三个层面内的导体电路结构在一个具有两个层面的层结构中、于两块板之间从一个板引至另一个板，从而使由铜构成的导体电路部分沿着具有由钼构成的导体电路部分的塑料条带在无机基质上延伸至测量探头。
背景技术：
文献DE 3939165C1公开了一种温度传感器，其中，塑料 膜在正面和背面与连接电缆相连，而且，将一个部件设置在膜的一侧，并且经正面和背面的导体电路与连接电缆相连。然而，电缆接触会对自动化加工造成妨碍。而且在其它文献中，这样的挠性膜作为区别于挠性板的事物而被称作挠性电路板。该形容词由此描述了与板的区别，因此既不是板也不是电路板。文献DE 87 16 103 Ul公开了测量电阻经电路板的导体电路实现的双面式接触方式，其中，一个接触方式是经由到电路板背面的导体电路的贯穿接触而实现。鉴于长期可靠而精确的温度测量，以及再现性和结实的结构，可以对该设置进行改进。文献DE 295 04 105 Ul公开了一种连接电路板，其在连接电缆和功能部件之间具有波纹状延伸的电流路径。没有设置背面的接触。文献DE3127727涉及一种测量温度的装置，其中，将电阻设置在基质板的正面和背面上，并且分别在相应侧进行电接触。没有设置额外的电路板。文献EP 0 809 094公开了一种制造用于温度测量的传感器装置的方法，该传感器装置具有温度敏感的测量电阻，该测量电阻在陶瓷基质上具有作为电阻涂层和接触面的薄金属膜，其中，对电阻涂层通过绝缘的保护层加以覆盖，而且，接触面是导电的并且直接机械固定地与彼此电绝缘的导体电路在耐高温的电路板上加以连接。测量电阻在电路板一端进行接触。在电路板背离测量电阻的一端设置用以与载体或电缆连接的接触面。在用于对测量电阻进行接触和固定的接触面上，在将测量电阻置于耐高温的电路板上之前，在电路板上直接涂覆一层湿的厚膜导电膏，测量电阻以它的自由接触面设置在该电路板上，并在直至1000 V的温度下在电路板上进行烧灼，由此进行接触和固定。在一个实施方式中，将插头接触面设置在载体电路板的正面和背面。然而，该方法很耗费工本。文献DE 197 42 236公开了一种温度传感器，其具有纵向延伸的电路板，该电路板在由耐高温材料构成的基质上具有至少一个导体电路，该基质具有绝缘表面，其中，在该表面设置有两个与导体电路相连的连接接触区，用于通过熔化过程与连接电缆的连接导体的一端进行电连接。第一连接接触区设置在正面，而第二连接接触区设置在电路板的背面。电路板由环氧化合物、三嗪、聚酰亚胺或聚四氟乙烯构成。在俯视图中，电路板呈波纹状延伸，并且在连接接触区的区域中形成为平面。由此，提供一种传感器，用于实现持续可靠的精确的温度测量，该传感器具有简单而坚实的结构以及高质量。
文献AT 502636涉及一种温度传感器的制造，其中，在塑料条带上、在正面和背面电流路径的各一端连接有连接电缆。芯片的彼此固定以精确的方式十分合理地经导体电路的接触面进行。倒装芯片是固定在接触区上的、在塑料条带上的导体电路之间的桥连结构。就此而言，电接触必须能够承受机械负载。因此必须在芯片的窄侧上或周围进行昂贵的金属化处理。这样的在分离后对芯片进行的处理是昂贵的，且有时妨碍质量。
发明内容
本发明的目的在于提高质量以及对批量生产进行简化。根据本发明，对倒装芯片进行机械稳定的固定，而无需进行正面的金属化处理。在此，根据本发明，将芯片装在面板上，直至使面板分离。对于批量生产，目的在于简化和节约材料，而不会破坏传感器敏感度。如果减小接触区的面积，则会降低机械固定。如果为进一步简化批量生产缩短用于在塑料板上热的去耦合的波纹部，则预期会得到恶化的响应时间和相应的不良的测量精确度。就此点而言，出 人意料的是，根据本发明，以直线型导体电路在更短的塑料板上几乎不会对响应时间发生作用。为实现该目的，通过导体电路直线型延伸，而且塑料电路板与导体电路相匹配地在所有尺寸上缩小，除了实现明显缩短的用于在缩小的塑料电路板上热的去耦合的导体电路之外，还提供了精确的传感器。通过独立权利要求的特征实现了本发明的目的，优选的实施方式在从属权利要求中给出。根据本发明，提供了温度传感器，用于热成本计算，该温度传感器以更短的导体电路在小于20mm长的塑料电路板上仍然总是提供出色的响应时间，而且宽度为小于5mm。为了批量这样的温度传感器，该温度传感器的导体电路进行了三层的结构处理，这些层结构相互平行设置，根据本发明，对于可分离条带以及对于每一层面，于塑料膜的正面和背面对铜线和接触区进行结构处理。每两个设置用于固定芯片的接触区用软焊料进行涂层，特别是具有Ag、Cu或Pb的锌焊料。作为第三层面，在无机电路板上对具有至少IOOOhm的电阻在接触区之间进行结构处理，接触区由薄层、特别是钼薄层构成并位于纵向端部上。在接触区对钼膏，特别是AgPt或AgPtPd膏进行压制和灼烧。电阻用作测量探头。因此，电阻可以由钼层以曲线形式进行结构处理。在从芯片中分离无机板之后，使芯片利用软焊料固定在接触区上，其中，钼结构作为导体电路的一部分分别与塑料条带的正面和背面上的导体电路部分相连接。根据本发明，导体电路在一个具有两个层面的层结构内、在两块通过钼厚层和软焊料层以20-200 间距间隔的板之间从一个板引导至另一个板。在此，在无机板上经结构处理的钼结构作为导体电路的一部分、以由铜构成的导体电路部分、沿着塑料条带延长。以由钼构成的导体电路部分与塑料条带相间隔，并在由铜构成的接触区上桥连。通过将由Pt构成的导体电路部分与由Cu构成的导体电路部分相连接，使两块板经接触区相互固定连接。通过在由钼构成的导体电路部分上对由AgPt或AgPtPd膏构成的接触区进行压制和灼烧，并且在由铜构成的导体电路部分上涂覆锌焊料，该锌焊料具有Ag、Cu或Pb，而且接触区用软焊料在经过灼烧的金属膏上进行焊接，实现了将芯片固定在塑料板上。由此，使钼结构与塑料条带相间隔地桥连每两个由铜构成的接触区。批量生产允许了高价值的小型化的传感器的制造，该传感器在塑料条带的正面和背面上、于接触区之间分别具有直线型的铜线。为了进一步简化批量生产，逐段地将塑料电路板分离为条带，由此，使电缆能够合理地进行连接。为进行小型温度传感器的制造，小型温度传感器的导体电路在三个层面进行结构处理，钼层以曲线形式结构处理成至少100 Ohm的测量电阻，并且在塑料条带的正面和背面上与各自的直线导体部分连接。为此，根据本发明，导体电路在包括一个或两个层面的层结构中、在相距20-200 u m的两块板之间从一块板引至另一块板。在此，钼结构与塑料条带相间隔，由此使两个由铜构成的接触区桥连。为此，Pt结构与Cu带以及由此在其上的两块板经接触区这样彼此相连，即，在钼结构上对由AgPt或AgPtPd膏构成的接触区进行压制和灼烧，并在由铜构成的导体电路部分涂覆锌焊料(其具有Ag、Cu或Pb)，而用软焊料将接触区焊接在经灼烧的金属膏上。 通过使导体电路直线型延伸，而且塑料电路板在所有尺寸上与其相匹配地进行缩小，在塑料条带之上、接触区之间的如此经焊接的桥接在明显缩短的铜线(其用于对变小的塑料电路板进行热的去耦合)的同时还实现了精确的传感器。特别是陶瓷电路板作为测量探头沿着塑料条带在上面进行钎焊。狭窄的测量探头由此在宽阔的塑料条带上可以非接触式地引入保护管中。根据本发明的传感器可以特别简单地以塑料条带在两个电缆导线之间固定。在两个导线之间使塑料条带保持自固定。该简单的技术节约了固定和绝缘的措施，并避免了许多缺陷源或易于磨损的结构。在电缆的导线之间自动居中固定的芯片可以特别简单地用电缆在保护管中引导。根据本发明，通过在由钼构成的导体电路部分上、对由Pt和其它贵金属构成的厚层的接触区用锌焊料在由铜构成的导体电路部分上彼此钎焊在一起，使两块板三明治式地保护导体电路的钼部分，从而使接触区连接由Pt和Cu构成的导体电路部分，并由此将两块基质彼此连接在一起，进而由此相互机械地进行固定。由此提供了一种小型化的温度传感器，其中，设置在三个层面中的导体电路结构在一个具有两个层面的层结构中、在两块板之间从一块板引导至另一块板，从而使由铜构成的导体电路部分沿着具有由钼构成的导体电路部分的塑料条带在无机基质上延长至测量探头；导体电路在测量探头中以曲线形式进行结构处理，并经贯通接触部与塑料条带的背面上的导体电路部分相连。温度传感器的测量探头在0. I至Imm厚的陶瓷板的I至IOmm2的表面上具有至少IOmm长的、3至IOOiim宽而且0. I至5 y m厚的钼带，该钼带具有至少IOOOhm的电阻，该陶瓷片长对宽的比例为I. 2至2. 5，其中，钼带在它的两端过渡至20至500倍宽的区域，在该区域固定有AgPt或AgPtPd的厚层，该厚层再以软焊料固定在塑料条带的接触区上。由此，陶瓷基质维持在塑料条带上，该塑料条带根据本发明形成为10至30mm长、I至5mm宽的塑料板，在该塑料板上，由铜构成的导体电路的直线部分在正面和背面延伸。导体带的背面部分凭借贯穿接触部连接在塑料条带的正面的接触区上。两个直线型导体电路部分的其它三个端部扩展为接触区。用于固定陶瓷片的两个接触区用锌焊料进行涂层，用该焊料对钼厚层进行钎焊。具有由钼构成的导体电路的温度传感器的桥连芯片经接触区固定在由铜构成的导体电路部分上，其中，该固定是指由钼构成的导体电路部分与由铜构成的导体电路部分之间的连接。该倒装芯片的基质为0. I至Imm厚的，特别是0. 3至0. 7mm厚的陶瓷片，其具有I至IOmm2的，特别是2至5mm2大小的矩形表面，优选的侧边比例为I. 2至I. 8，特别是I. 3至
I.6。太薄或者太长的基质难以加工或在机械上难以利用，这是因为这样的基质由于缺乏刚性而会造成短路。更厚的基质不利于测量精度，该影响呈平方关系。塑料基质尽管制造起来不太昂贵，但是不适用于由钼构成的导体电路。由钼构成的导体电路相对于其它的导体电路简化了温度测量。在倒装芯片的基质上，由钼薄层构成的导体电路作为弯曲的0. Imm至Imm长、特别是0. 3mm至0. 7mm长的、10至100 y m宽、特别是20至30 y m宽的、I至5 y m厚、特别是
I至3 y m厚的钼带在它的两端过渡为2至10倍、特别是3至6倍扩展的接触区。更短、更窄、更宽、更薄的钼带会对测量精确度产生不利影响。更长的钼带需要更大的基质。更厚的钼带需要更多的薄层涂层。厚层钼带不利于测量精确度。如果薄层接触区更大，留给钼带的空间就越小。更小的薄层接触区不利于测量精确度。电路板是10至30mm长、I至5mm宽、刚性的0. 3-0. 4mm厚的加强纤维的塑料条带，
特别是由环氧化物、三嗪、聚酰亚胺或氟聚合物和玻璃纤维构成。其它的塑料可能不满足热学要求。更厚、更宽、更短的电路板不利于测量精确度。更长的电路板考虑到刚性应当更厚，而更薄的考虑到刚性应当更短，而更窄的则是要考虑机械负载。在塑料条带上在正面和背面延伸有由铜构成的导体电路。用纯铜，而基本不用银时精确度最好。鉴于在铜中的添加物的测量敏感度的影响基于对导体电路、电路板和基质的尺寸的依赖性而保持很小。通过使基质在导线之间移动或者使各一条导线在电路板一侧上进行移动，对于两个在电路板10的正面的导体电路以及在该电路板的背面的导体电路的引导确保实现了持久良好的彼此之间的电绝缘，并且简化了电缆导线之间的连接。该自动居中定位不仅允许了简单的、防止短路的导线固定，还使在导线间维持的电路板10稳定化，该电路板因此得到精确固定，并能够被简单地引入保护管中。自动居中定位在保护管内使导体电路与保护管具有保险的间隔。这节约了间隔支架并且持续保险。就这一点而言，实现了对电路板自动居中定位的使用，以在连接电缆的两条导线之间进行固定。通过贯穿接触部15将背面的导体电路连接在电路板10的正面的接触区14上，并且两个导体电路12的其它三个端部作为宽接触区11、13进行结构处理，该接触区用锌焊料进行涂层，其中，为了固定陶瓷片，用锌焊料2对两个接触区13、14进行涂层，用该焊料对钼厚层3进行钎焊。出于稳定性原因，在接触区14上的固定部分和电流贯穿部15之间彼此形成间隔。塑料电路板的接触区是全部平面的，并且实现了触点的合理接触和足够的稳定性。更大的接触区或更宽的导体电路不利于测量精确度，然而更窄的导体电路也是如此。在贯穿接触部15和接触区之间的背面的导体电路直线型地设置在塑料电路板10的中央附近。基质在接触区13、14的区域中平行地经电路板10进行固定。在导体电路的曲线区域中，塑料电路板10与导体电路隔离地电绝缘。
厚层在电路板的每个接触区进行固定，并由此将陶瓷基质固定在电路板上。在批量生产中，为进行温度传感器的制造，根据本发明，将倒装芯片装配在面板上，在此之前将芯片分离，以在电路板上进行固定。在此决定性的是，倒装芯片具有无机基质，在该无机基质上，在分离面板之前对两个接触区之间的导体电路的平面薄层进行结构处理。然后，进行分离的倒装芯片在基于纤维加强塑料的、例如BT-环氧化物膜的面板上被固定在面板上重复的单元上。就此而言，电路板作为重复单元由两侧用铜涂层的纤维加强塑料膜进行结构处理，该电路板设置有接触贯穿部并在装配倒装芯片后进行分离。在此，将三个经结构处理的层面连接成一个温度传感器的相互联系的导体电路，其中，倒装芯片的导体电路与电路板的导体电路的连接经接触区进行，倒装芯片作为桥连结构固定在该接触区上。根据本发明，具有电路板的温度传感器在电缆的两导线之间进行固定，而且在制备过程中，使由钼构成的导体电路经两个接触区与电路板的两个导体电路相连，其中，钼带以薄层技术在0. I至Imm厚的陶瓷板的I至IOmm2大小的矩形表面上设置为0. I至Imm长的、10至IOOiim宽的，I至5iim厚的钼带，在钼带的两端过渡为2至5倍拓宽的接触区。
在下面的实施例中，参照附图阐明本发明。图I为具有倒装芯片的桥连结构的不意图；图2为具有用于桥连的接触区的电路板的侧面示意图。附图标记说明2SAC软焊料/锌焊料3钼-厚层-衬垫10电路板/膜/单元11大接触区12导体电路13,14 小接触区15接触贯穿部40倒装芯片61玻璃钝化部
具体实施例方式实施例I将300mm X 150mmX0. 4mm的在两侧用铜以50 y m进行涂层的玻璃纤维加强BT-环氧化膜10结构处理成1000个15mmX3mm大小的单元10。在此,每个单元10都在一端保持有接触贯穿部15而在另一端在正面和背面各具有3. 5X2. 5mm的大接触区11。大接触区11经导体电路12与小接触区13相连。在背面，接触贯穿部15与大接触区经直线型导体电路相连。在正面，有两个小的在电路板10的纵向以I. 5mm延伸的接触区13、14，并用倒装芯片40进行桥连。接触贯穿部15与小接触区14之一连接。在另一小接触区13和大接触区11之间对正好Imm宽的导体电路12进行结构处理。
接触区用软焊料2进行涂层，特别是小接触区13、14的软焊料2包括锌、银和铜。倒装芯片40仅与接触区固定。倒装芯片40相对于传统的SMD部件在它的正面不具有钎焊接触部。在批量生产中，将倒装芯片40固定在面板上。为制造倒装芯片，将2 ii m厚的钼薄层在0. 5mm厚的陶瓷板上以2 X I. 5mm的单元以平版印刷方式结构处理成弯曲的、各50mm长、20 ii m宽的钼带，该钼带作为波纹部在两个接触区之间具有约IOOOOhm的电阻。作为衬垫3涂覆Pt-Ag膏，并进行灼烧。然后将该单元分离为芯片40。经分离的芯片40用经灼烧的Pt-Ag膏3在软焊料2上经由铜构成的小接触区13、14固定在面板上。对此，经分离的芯片不像相应的SMD部件那样通常此前在窄侧或围绕窄侧进行金属化。对面板进行分离处理。大连接接触区11、17成对地在双芯电缆之间固定在导线对之间。由此，经过装配的电路板10在电缆的导线之间自动居中对齐。在电缆上固定地伴随进行自动居中对齐的直至金属保护管之中的插入过程。自动居中对齐和倒装芯片固定防止了金属管的短路。该技术的精妙之处在于作为高安全度基础的简单性，这是因为，不需要采 用任何部件将导体电路与保护管间隔开。挠性的电路板是不能用的，这是因为，它们不是平板状的并且因此不具有对批量生产所必要的刚性。对测量电阻的机械保护不再必要，这是因为，测量电阻通过在薄膜10上的小接触区13、14之间的无金属区域而得到保护。玻璃钝化部61或玻璃陶瓷61保护测量电阻免受化学侵蚀。实施例2将150mmX IOOmmX 0. 3mm的在两侧用铜以50 U m进行涂层的玻璃纤维加强BT-环氧化膜结构处理成500个尺寸为IOmmX 2. 5mm的特别小的单元10。在此，每个单元I都在一端保持有接触贯穿部15而在另一端在正面和背面各具有2. 5X2mm的大接触区11。在背面，接触贯穿部15与该接触区经直线型导体电路相连。在正面，有两个小的在电路板10的纵向以Imm延伸的接触区13、14，并用倒装芯片40进行桥连。小接触区13的内侧在对铜涂层进行结构处理期间经导体电路12与大接触区11相连。电流贯穿部15与小接触区14的外侧连接。在接触贯穿部15和大接触区之间对正好Imm宽的导体电路进行结构处理。接触区11、13、14用软焊料进行涂层。小接触区的软焊料2是锌合金，其包括银或铜。倒装芯片40仅经它的与基质相互锚定的衬垫3固定在接触区上。倒装芯片40相对于传统的SMD部件在它的正面不具有钎焊接触部。在批量生产中，将倒装芯片40固定在面板上。为制造特别小的倒装芯片，将I U m厚的钼薄层在0. 3mm厚的陶瓷板上以I. 5X Imm的单元以平版印刷方式结构处理成弯曲的、各30mm长、20 ii m宽的钼带，该钼带作为波纹部在两个接触区之间具有约IOOOOhm的电阻。在此，使接触区分别在两个纵侧端结构处理成各一个矩形单元作为向外敞开的梳状结构。在该梳状结构上将Pt-Pd-Ag膏涂覆至正面边沿上，并进行灼烧。经灼烧的膏3在经结构处理的钼接触区的空隙中直接并特别坚实地粘附在倒装芯片40的陶瓷基质上。然后将单元分离为芯片40，而无需此后在窄侧进行金属化。经分离的芯片40仅用经烧灼的Pt-Ag-Pd膏3在软焊料2上经小接触区13、14固定在面板上。该面板分为两行，其中，大连接接触区11向外示出。该连接接触区11成对地在双芯电缆之间固定在导线对之间，然后进行分离。由此，经装配的电路板在电缆的导线之间自动居中对齐。在电缆上固定地伴随进行自动居中对齐的直至金属保护管之中的插入过程。自动居中对齐和倒装芯片固定防止了金属管的短路。该技术的精妙之处在于作为高安全度基础的简单性，这是因为，不需要采用任何部件将导体电路与保护管间隔开。用于保护测量电阻的玻璃钝化部61或玻璃陶瓷61保护测量电阻免受化学侵蚀。力学上，测量电阻通过在薄膜10上的小接触区13、14之间的无金属区而受到保护。环氧化物树脂作为覆盖涂料保护电路板免受化学侵蚀。力学上，电路板由于自动居中对齐而受到保护。实施例3将200mmX 150mmX0. 3mm的在两侧用铜以20 U m进行涂层的玻璃纤维加强的聚酰 亚胺膜结构处理成1000个IOmmX 3mm大小的单元10。在此,每个单元10都在一端保持有两个3. 5X1. 5mm的大接触区11并且这两个大接触区分别位于正面和背面，而在单元的另一端于正面和背面各具有两个I. 5X Imm的接触区13、14。在此,两个小接触区13、14经由倒装芯片40进行桥连。小接触区14之一连接于电流贯穿部15之上，而另一小接触区经正好Imm宽的导体电路12连接于大接触区11。倒装芯片40的基质是0. I至0. 5mm厚，特别是0. 2至0. 3mm厚的陶瓷板，其具有I至5mm2，特别是2至3mm2大小的矩形表面，该表面具有优选I. 2至2. 5的，特别是I. 3至2. 0的侧边比例。太薄或太长的基质难以进行处理而且在力学上是不能用的，这是因为这样的基质由于缺乏刚性而会生成短路。更厚的基质不利于测量精确度，该影响呈平方关系。塑料基质尽管制造起来不太昂贵但是不适用于由钼构成的导体电路。由钼构成的导体电路相对于其它的导体电路简化了温度测量。在倒装芯片的基质上，由钼薄层构成的导体电路作为具有至少100 Ohm，特别是500至IOOOOOhm的弯曲的、至少10mm长、优选20至500mm长、特别是40至200mm长，3至100 u m宽、特别是20至30iim宽，I至5iim厚、特别是I至3 y m厚的钼带在它的两端过渡为2至10倍、特别是3至6倍拓宽的接触区。首先是更薄的，然而也有更短的、更窄的和更宽的钼带会对测量精确度产生不良影响。更长的钼带需要更大的基质。更厚的钼带需要更多的薄层涂层。厚层钼带不利于测量精确度。如果薄层接触区更宽，则为钼带保留有更小空间。更窄的薄层接触区不利于测量精确度。涂层顺序50 Um 陶瓷膜I y m钼薄层=钼带+薄层接触区复合体=(AgPt) +粘合剂软焊料=Sn+Ag10 U m 铜层=接触区 3X1. 5mm,铜带 5 X 0. 50. 3mm 塑料条带 10 X 2. 5mmIOum 铜层软焊料0. 5mm 陶瓷板
2 U m钼薄层=钼带+薄层接触区复合体=(AgPt) +粘合剂
软焊料=Sn+Ag15 u m 铜层=接触区 3X1. 5mm，铜带 5X0. 50. 35mm塑料条带15X2. 5mm-电流贯穿部15 Um 铜层软焊料 ·
权利要求
1.一种制造温度传感器的方法，其中，将多个倒装芯片(40)装在面板上，在此之前要将芯片进行分离，以在电路板(10)上进行固定，其中，所述倒装芯片(40)具有无机基质，在该无机基质上，在对面板进行分离之前，将平面薄层结构处理成两个接触区之间的导体电路，将电路板(10)结构处理成由在两侧用铜层进行涂层的纤维加强塑料膜(10)构成的重复单元，所述电路板设置有接触贯穿部(15)，并且在装配倒装芯片(40)之后进行分离，而且所述倒装芯片将三个经结构处理的层面连接成温度传感器的一个相互联系的导体电路，其中，所述倒装芯片(40)的导体电路与所述电路板(10)的导体电路的连接在接触区上实现，所述倒装芯片(40)作为桥连结构固定在所述接触区之上。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，平的钼表面在无机板(40)上生成钼结构，其中，由钼平面构成的钼结构被结构处理成曲线形式，并且在塑料条带(10)的正面和背面与两个导体电路相连，而且由此生成的相互联系的温度传感器的导体电路在一个具有两个层面的层中、在两块间隔20-200 iim的板(10、40)之间、从一块板引导至另一块板，而且在此，具有由铜构成的导体电路的在无机板上进行结构处理的钼结构沿着塑料条带进行延长，而且通过由钼构成的导体电路与塑料条带相间隔地将两个接触区(13、14)桥连；而且将由钼构成的导体电路部分与由铜构成的导体电路部分连接，并由此使两块板(10、40)经接触区(13、14、2、3)彼此相连，具体连接方式是，在由钼构成的导体电路部分压制出由AgPt或AgPtPd膏构成的接触区(3)并进行灼烧，并且在由铜构成的导体电路部分上涂覆具有A g、Cu或Pb的锌焊料(2)，然后用软焊料(2)将所述接触区(13、14)钎焊在经灼烧的金属膏(3)上。
3.根据权利要求I或2所述的方法，其特征在于，塑料电路板(10)为10至30mm长，I至5mm宽，而且在所述塑料电路板上由铜构成的导体电路的直线部分在正面和背面进行结构处理，导体电路的背面部分通过贯穿接触部(15)连接在塑料条带(10)的正面上的接触区(14)，而两个直线导体电路部分(12)的其它三个端部拓宽为接触区(11、13)，其中的两个接触区(11)为固定陶瓷片而用锌焊料(2 )进行涂层，用该锌焊料对银-钼厚层(3 )进行钎焊。
4.根据权利要求I至3的任意一项所述的方法，其特征在于，所述塑料条带(10)固定在电缆的两个导线之间。
5.根据权利要求I至4的任意一项所述的方法，其特征在于，作为具有至少IOOOhm的测量电阻，对至少IOmm长、3至IOOiim宽、0. I至5iim厚的钼带在0. I至Imm厚的陶瓷片(40)的I至IOmm2大小的表面上进行结构处理，该陶瓷片长对宽的比例在I. 2至2. 5之间，其中，所述钼带在它的两端拓宽20至500倍，而在它的拓宽区分别烧灼AgPt或AgPtPd厚层(3 )。
6.根据权利要求2至5的任意一项所述的方法，其特征在于，将具有经烧灼的钼膏(3)的区域用软焊料(2)固定在塑料条带的各个接触区(13、14)上，并由此经塑料条带(10)维持陶瓷基质。
7.一种温度传感器，其中，设置在三个层面中的导体电路结构在一个具有两个层面的层结构中、于两块板(10、40)之间从一块引导至另一块，从而使由铜构成的导体电路部分沿着具有由钼构成的导体电路部分的塑料条带(10)在无机基质上延长到测量探头；测量探头中的导体电路以曲线形式进行处理，并且经贯穿接触部(15)与塑料条带(10)背面上的导体电路部分相连，其特征在于，所述板(10、40)三明治式地保护导体电路的含钼部分，具体方式是，在由钼构成的导体电路部分上使由钼以及其它贵金属构成的厚层的接触区用锌焊料焊接在由铜构成的导体电路部分上，从而使所述接触区(13、14、2、3)和由钼和铜构成的导体电路部分以及相关的两块板(10、40)相互置加固定。
8.根据权利要求7所述的温度传感器，其测量探头在0.I至Imm厚的陶瓷片的I至IOmm2大小的表面上具有至少IOmm长、3至100 u m宽、而且0. I至5 y m厚的钼带，该陶瓷片长与宽的比例在I. 2至2. 5之间，其中，钼带在它的两端过渡为20至500倍拓宽的区域，在该区域，固定有AgPt或AgPtPd厚层，该厚层再用软焊料(2)固定在塑料条带的接触区(13、14)上，而且由此将陶瓷基质维持在塑料条带(10)上，其中，(10)为10至30mm长、I至5mm宽，并在该塑料板上由铜构成的导体电路(12)的直线部分分别在正面和背面延伸，导体电路的背面部分凭借贯穿接触部(15)连接在塑料条带(10)的正面的接触区(14)上，而两个直线导体电路部分的其它三个端部拓宽为接触区，其中的两个接触区为固定陶瓷片(40)而用锌焊料进行涂层，用该焊料对钼厚层进行钎焊。
9.根据权利要求7或8所述的温度传感器，其特征在于，在对立的导体电路部分上，在条带(10)的远离测量探头(40)的一端分别连接一个连接电缆的导线，其中，两导线彼此这样岔开，即，使导线的绝缘区域在塑料板(10)各一侧彼此分开地固定在各自的接触区(11)。
全文摘要
本发明涉及温度传感器的制造，该温度传感器具有在三个层面进行结构处理的导体电路，将由铂层构成的测量探头的导体电路进行结构处理，并分别与10-30mm长的塑料条带的正面和背面上的导体电路部分相连，然后在两块以20-200μm相互间隔的板之间的层结构中从一块板引导至另一块板，而且在此，测量探头以由Pt结构构成的导体电路部分在具有铜带的无机板上沿着塑料条带延伸。与塑料条带相间隔地，使由铜构成的两个接触区通过铂结构进行桥连。将具有铜带的铂结构以及在它上面的两块板经接触区相连，具体方式是在铂结构上，对由AgPt或AgPtPd膏构成的接触区进行压制和灼烧，并在由铜构成的导体电路部分涂覆具有Ag、Cu和Pb的锌焊料，并在经灼烧的金属膏上用软焊料对接触区进行钎焊。特别是将陶瓷电路板作为测量探头沿着塑料条带进行钎焊并将塑料条带固定在电缆的两条导线之间。
文档编号G01K7/18GK102809442SQ201210180089
公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月1日 优先权日2011年6月1日
发明者卡尔海因茨·维南德, 赫尔诺特·黑克尔, 卡尔海因茨·埃克特, 托马斯·约斯特 申请人:贺利氏传感技术有限公司