专利名称：一种压电晶片谐振频率测定方法
技术领域：
本发明属于航空材料性能检测领域，涉及一种压电晶片谐振频率测定方法。
背景技术：
压电晶片是工业生产、医疗、科研中十分重要的一种元件，例如医用CT，B超，及无损检测超声仪等，谐振频率是其核心参数之一，谐振频率的高低决定了压电晶片的应用场合。现有的压电晶片谐振频率检测方法主要为频谱分析法。即使用频率扫描的方法，对压电晶片在某一宽频范围内进行逐步扫频，根据压电晶片响应幅度大小绘制出频谱曲线，由频谱曲线判断压电晶片的谐振频率。目前还没有专门测定压电晶片谐振频率的设备，常用的测定仪器为综合阻抗分析仪，该类设备造价昂贵，检测过程复杂。
发明内容
发明目的本发明提供了一种压电晶片谐振频率测定方法，其特点是简单、快捷、低成本、高精度。技术方案一种压电晶片谐振频率测定方法，包括以下步骤对压电晶片进行短时高压脉冲激励的步骤短时高压脉冲的脉冲宽度τ通过公式(I)确定，激励最大电压在200-450V之间；
权利要求
1.一种压电晶片谐振频率测定方法，其特征在于，包括以下步骤 对压电晶片进行短时高压脉冲激励的步骤短时高压脉冲的脉冲宽度T通过公式(I)确定，激励最大电压在200-450V之间；
2.根据权利要求1所述的一种压电晶片谐振频率测定方法，其特征在于，对于高频的模振动谐振频率，直接利用公式(2)进行计算；对于低频的模谐振频率，计算At时，以跳过高频振动部分波形之后的波峰为第一波峰，再利用公式(2)进行计算。
全文摘要
本发明属于航空材料性能检测领域，涉及一种压电晶片谐振频率测定方法。本方法采用短时高压脉冲法对压电晶片进行激励，压电晶片发生响应振动，高压脉冲为宽频激励，压电晶片的振动为选择性响应，其振动频率即为其谐振频率。本方法采用纯时域算法，直接简便，干扰因素少，精度高。一定形状的压电晶片对应不止一个谐振频率，例如圆形晶片，有高频的厚度模振动谐振频率和低频的径向模谐振频率，本发明提供的方法可以全面测定不同方向模振动的谐振频率。
文档编号G01H11/06GK103063292SQ20121052795
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月10日 优先权日2012年12月10日
发明者张昭, 肖迎春, 李闵行, 白玮, 杜振华, 郭佳, 王倩 申请人:中国飞机强度研究所