基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法与流程

本发明涉及晶圆芯片调整方法，具体为基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法。

背景技术：

DRAM前端晶圆测试，由于工艺变化，各晶圆晶片的tWR、tRP、tRCD等时间参数在晶圆上呈非均匀分布，而时间参数不满足条件的晶圆晶片，会被抛弃，从而导致晶圆芯片良品率的降低。现有的解决方案是，对晶圆进行监控测试，得到tWR时间参数的工艺分布，然后，基于tWR时间参数的工艺分布，对晶圆上的每个晶片进行单片独立调整以使得tWR满足产品规格要求。因此在对每一片晶圆晶片，都需要先进行监控测试，才能调整tWR时间参数。其它时间参数调整也是如此，这样会导致测试时间的大幅增加。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，能够对晶圆晶片上不符合要求的时间参数进行快速调整，方法简单，操作方便，测试效率高。

本发明是通过以下技术方案来实现：

基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，包括如下步骤，

步骤1，从晶圆厂或首次晶圆测试获取晶圆位置的工艺分布，得到该晶圆上所有晶片中时间参数的工艺分布；

步骤2，根据晶圆晶片中时间参数的工艺分布，得到需要调整的目标时间参数的测试结果，并将测试结果与规格要求值进行比较，确定目标时间参数的预设调整量；

步骤3，在前端测试中，将目标时间参数的调整量通过熔断对应晶圆晶片中CHIPID模块自定义字段的FUSE进行赋值，从而将目标时间参数的预设调整量内置在CHIPID模块的自定义字段中；

步骤4，在前端测试中，读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的目标时间参数的预设调整量，根据得到的预设调整量熔断目标时间参数对应的FUSE，完成目标时间参数的调整。

优选的，还包括在后端测试中对目标时间参数的二次调整，具体步骤如下；

a.通过后端测试得到目标时间参数的测试结果；

b.读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的目标时间参数的预设调整量；

c.结合测试结果和预设调整量得到目标时间参数的二次调整量；

d.根据得到的二次调整量熔断目标时间参数对应的EFUSE，完成目标时间参数的二次调整。

基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，包括如下步骤，

步骤1，从晶圆厂或首次晶圆测试获取晶圆位置的工艺分布，得到该晶圆上所有晶片中时间参数的工艺分布；

步骤2，根据晶圆晶片中时间参数的工艺分布，得到需要调整的目标时间参数的测试结果，并将测试结果与规格要求值进行比较，确定目标时间参数的预设调整量；

步骤3，在前端测试中，将目标时间参数的调整量通过熔断对应晶圆晶片中CHIPID模块自定义字段的FUSE进行赋值，从而将目标时间参数的预设调整量内置在CHIPID模块的自定义字段中；

步骤4，在后端测试中，读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的目标时间参数的预设调整量；根据得到的预设调整量熔断目标时间参数对应的EFUSE，完成目标时间参数的调整。

进一步，所述的目标时间参数为tWR时间参数、tRP时间参数和tRCD时间参数中的至少一种。

与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：

本发明利用每一片晶圆的每一片晶片中内置的CHIPID(CHIP Identity,芯片序列号)模块，通过CHIPID模块中的自定义字段的设置，对目标时间参数的调整量进行直接赋值写入，能够在前端测试或是后端测试前，就确定所有晶圆中每个晶片中需要进行调整的时间参数，以及调整量；因此对一个晶圆只需要根据晶圆厂提供的工艺分布，或者是进行一次监控测试得到的晶圆分布，利用CHIPID模块中自定义字段的赋值一次，就能够在后续的前端测试或是后端测试时，直接对所需要的时间参数进行调整，节省了对每个晶片进行监控测试的时间，极大的提高了工作效率，同时避免了多次监测带来的调整偏差，降低测试成本，提高晶圆芯片良品率。

进一步的，利用后端测试中对EFUSE(电可编程熔丝)的二次操作，能够对前端测试中的FUSE(电阻熔丝)的操作进行更改和再次调整，使得调整方式灵活，操作方便稳定可靠。

附图说明

图1是本发明实例1所述的调整方法的流程图。

图2是本发明实例2所述的调整方法的流程图。

图3是本发明实例3所述的调整方法的流程图。

图4是本发明实例中所述的晶圆工艺分布图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。

本发明所述的方法原理如下。

每一片晶圆的每一片晶片，都内置CHIPID模块，CHIPID模块包括多个字段，每个字段含多位FUSE；所述的字段包括：晶圆厂代号、设计厂商代号、产品类型、产品容量、晶片坐标等强制字段，以及一些自定义字段。缺省情况，FUSE未熔断，每个字段信息为全“0”，熔断相应字段的FUSE，可对相应字段赋值。

所述的晶片的时间参数，例如tWR、tRP、tRCD等时间参数，均分别有各自对应的FUSE和EFUSE。缺省情况，时间参数对应FUSE/EFUSE未熔断，不调整对应时间参数；时间参数对应FUSE/EFUSE熔断后，可调整对应的时间参数。

本发明基于晶圆工艺分布，其晶圆工艺分布如图4所示，在对应的不同位置的晶片的CHIPID模块的自定义字段中设定调整tWR、tRP、tRCD等时间参数的FUSE值实现预设调整量的写入，后续按照该设定的FUSE值熔断调整tWR、tRP、tRCD等时间参数的FUSE和/或EFUSE，从而调整对应的tWR、tRP、tRCD等目标时间参数。

实例1

本发明基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，如图1所示，包括如下步骤，

步骤1，从晶圆厂或首次晶圆测试获取晶圆位置的工艺分布，得到该晶圆上所有晶片中时间参数的工艺分布；

步骤2，对tWR时间参数进行调整，则其为目标时间参数；根据晶圆晶片中时间参数的工艺分布，得到需要调整的tWR时间参数的测试结果，并将测试结果与规格要求值进行比较，确定tWR时间参数的预设调整量；

步骤3，在前端测试中，将tWR时间参数的调整量通过熔断对应晶圆晶片中CHIPID模块自定义字段的FUSE进行赋值，从而将tWR时间参数的预设调整量内置在CHIPID模块的自定义字段中；

步骤4，在前端测试中，读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的tWR时间参数的预设调整量，根据得到的预设调整量熔断tWR时间参数对应的FUSE，完成tWR时间参数的调整。

实例2

本发明基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，如图2所示，包括如下步骤，

步骤1，从晶圆厂或首次晶圆测试获取晶圆位置的工艺分布，得到该晶圆上所有晶片中时间参数的工艺分布；

步骤2，对tRP时间参数进行调整，则其为目标时间参数；根据晶圆晶片中时间参数的工艺分布，得到需要调整的tRP时间参数的测试结果，并将测试结果与规格要求值进行比较，确定tRP时间参数的预设调整量；

步骤3，在前端测试中，将tRP时间参数的调整量通过熔断对应晶圆晶片中CHIPID模块自定义字段的FUSE进行赋值，从而将tRP时间参数的预设调整量内置在CHIPID模块的自定义字段中；

步骤4，在前端测试中，读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的tRP时间参数的预设调整量，根据得到的预设调整量熔断tRP时间参数对应的FUSE，完成tRP时间参数的调整。

步骤5，在后端测试中对tRP时间参数的二次调整；

5.1.通过后端测试得到tRP时间参数的测试结果；

5.2.读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的tRP时间参数的预设调整量；

5.3.结合测试结果和预设调整量得到tRP时间参数的二次调整量；

5.4.根据得到的二次调整量熔断tRP时间参数对应的EFUSE，完成tRP时间参数的二次调整。

实例3

本发明基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，如图3所示，包括如下步骤，

步骤1，从晶圆厂或首次晶圆测试获取晶圆位置的工艺分布，得到该晶圆上所有晶片中时间参数的工艺分布；

步骤2，对tRCD时间参数进行调整，则其为目标时间参数；根据晶圆晶片中时间参数的工艺分布，得到需要调整的tRCD时间参数的测试结果，并将测试结果与规格要求值进行比较，确定tRCD时间参数的预设调整量；

步骤3，在前端测试中，将tRCD时间参数的调整量通过熔断对应晶圆晶片中CHIPID模块自定义字段的FUSE进行赋值，从而将tRCD时间参数的预设调整量内置在CHIPID模块的自定义字段中；

步骤4，在后端测试中，读取CHIPID模块中自定义字段的赋值，获取步骤2中设置的tRCD时间参数的预设调整量；根据得到的预设调整量熔断tRCD时间参数对应的EFUSE，完成tRCD时间参数的调整。

实例4

本发明基于晶圆位置的晶圆晶片时间参数调整方法，能够同时对多个时间参数进行调整，能够采用如实例1-3的任意一个方法，确认多个目标时间参数后，分别对其在CHIPID模块的不同自定义字段中进行赋值，然后在前端测试或后端测试中，分别根据读取值，对应的对不同的目标时间参数进行调整操作。