离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法
【专利摘要】本发明公开了离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法，将金电极抛光活化后，在-0.2～+1.4V内，反复扫描至得到稳定的CV曲线；将硅溶胶、1%全氟化磺酸酯阳离子交换剂、离子液体振荡混合得到复合物溶液；加入联吡啶钌溶液适量，将处理好的金电极浸入，取出置于室温下自然晾干，得到离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰的金电极。本发明的有益效果为：本发明提供的离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法，离子液体有高的导电率、宽的电化学窗口、较好的化学及电化学相容性等特点，不仅克服了溶胶凝胶制备过程中膜的脆裂问题，而且提高了电极的灵敏度和稳定性。
【专利说明】 离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电
极的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法。
【背景技术】
[0002]目前，测定左氧氟沙星的主要方法有电化学法、流动注射化学发光法、高效液相色谱法、分光光度法、毛细管电泳法、荧光光度法等。但这些方法因灵敏度不高、仪器贵重等原因，未能得到广泛的应用。电化学发光(Electrochemiluminescence, ECL)分析法具有线性范围宽、灵敏度高及仪器简单、便于检测等优点。近年来，电化学发光法测定LVLX已有研究，但以离子液(1nic liquid)、娃溶胶(Silica sol)及Naf1n三者的优势互补制备复合薄膜作为修饰材料固定联吡啶钌还未见报道。
【发明内容】
[0003]本发明的目的就是针对上述现有技术中的缺陷，提供了离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法。
[0004]为了实现上述目的，本发明提供的技术方案为:离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法，将金电极在金刚砂纸上研磨后，在鹿皮巾上用A1203抛至镜面，洗去电极表面抛光粉后分别用水、1:1乙醇、水超声3 min左右。然后将其置于0.10 mol/L H2S04溶液中进行循环伏安法活化，在-0.2?+1.4 V内，反复扫描至得到稳定的CV曲线；将硅溶胶、1%全氟化磺酸酯阳离子交换剂、离子液体振荡混合得到复合物溶液；向复合物溶液中加入6.0X 10-3 mol/L浓度的联吡啶钌溶液适量，超声混匀，然后将处理好的金电极浸入上述溶液中，5 min后取出置于室温下自然晾干，得到离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰的金电极。
[0005]本发明的有益效果为:本发明提供的离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法，离子液体有高的导电率、宽的电化学窗口、较好的化学及电化学相容性等特点，不仅克服了溶胶凝胶制备过程中膜的脆裂问题，而且提高了电极的灵敏度和稳定性。
【具体实施方式】
[0006]实施例1:
离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法，将金电极在金刚砂纸上研磨后，在鹿皮巾上用A1203抛至镜面，洗去电极表面抛光粉后分别用水、1:1乙醇、水超声3 min左右。然后将其置于0.10 mol/L H2S04溶液中进行循环伏安法活化，在-0.2?+1.4 V内，反复扫描至得到稳定的CV曲线；将硅溶胶、1%全氟化磺酸酯阳离子交换剂、离子液体振荡混合得到复合物溶液；向复合物溶液中加入6.0X 10-3 mol/L浓度的联吡啶钌溶液适量，超声混匀，然后将处理好的金电极浸入上述溶液中，5 min后取出置于室温下自然晾干，得到离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰的金电极。
[0007]最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰金电极的制备方法，其特征在于，将金电极在金刚砂纸上研磨后，在鹿皮巾上用A1203抛至镜面，洗去电极表面抛光粉后分别用水、1:1乙醇、水超声3 min左右；然后将其置于0.10 mol/L H2S04溶液中进行循环伏安法活化，在-0.2?+1.4 V内，反复扫描至得到稳定的CV曲线；将硅溶胶、1%全氟化磺酸酯阳离子交换剂、离子液体振荡混合得到复合物溶液；向复合物溶液中加入6.0X 10-3mol/L浓度的联吡啶钌溶液适量，超声混匀，然后将处理好的金电极浸入上述溶液中，5 min后取出置于室温下自然晾干，得到离子液体-硅溶胶-全氟化磺酸酯阳离子交换剂修饰的金电极。
【文档编号】G01N27/333GK104458861SQ201410760567
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月12日 优先权日:2014年12月12日
【发明者】李利军, 杨兰兰 申请人:广西科技大学