一种强激光取样衰减器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种强激光取样衰减器，所述取样衰减器中的上部设置有漫反射取样板，漫反射取样板下部依次与衰减腔板、取样光散射板、衰减底板固定连接。漫透射材料置于取样光散射板和衰减底板之间。漫反射取样板用于对非取样强激光进行漫反射，具有高损伤阈值，漫反射取样板上的通孔用于对激光束进行空间取样，取样光散射板用于对取样强激光进行漫反射，衰减腔用于衰减匀化取样激光，漫透射材料用于将发散匀化后的激光再次进行取样，衰减底板上的通孔再次对漫透射取样光进行衰减。本实用新型解决了持续时间数十秒、功率密度10kW/cm2的强激光现有取样衰减器无法直接进行取样和衰减的问题，对于强激光参数测量具有重要促进作用。
【专利说明】一种强激光取样衰减器
【技术领域】
[0001]本实用新型属于激光参数测量【技术领域】，具体涉及一种强激光取样衰减器。
【背景技术】
[0002]在强激光测量应用中，通常需要先用取样衰减器对激光束进行空间取样和衰减，现有技术的取样衰减器能承受一定的能量密度，但不能对持续时间数十秒的强激光进行取样和衰减。
【发明内容】
[0003]为了克服已有技术中激光取样衰减器不能对持续时间数十秒的强激光进行取样和衰减的不足，本实用新型提供了一种强激光取样衰减器，能够对功率密度达到lOkW/cm2的强激光进行数十秒时间取样和衰减。
[0004]本实用新型是通过如下技术方案来实现的:
[0005]本实用新型的一种强激光取样衰减器，其特点是，所述取样衰减器外形为柱状，包括漫反射取样板、衰减腔板、取样光散射板、漫透射材料、衰减底板。
[0006]所述漫反射取样板用于对非取样强激光进行95%以上漫反射；
[0007]所述漫反射取样板上设置有通孔用于对入射激光束进行空间强度分布取样；
[0008]所述衰减腔板上设置有衰减腔用于衰减和匀化取样强激光，通过改变衰减腔的结构尺寸能够调整衰减倍率；
[0009]所述取样光散射板用于对取样强激光进行漫反射；
[0010]所述漫透射材料用于对发散匀化后的取样光再次进行取样；
[0011 ] 所述衰减底板上设置有通孔用于对漫透射取样激光再次进行衰减，通过调整通孔长度能够调整衰减倍率；
[0012]所述取样衰减器的上部设置有漫反射取样板，漫反射取样板下部依次与衰减腔板、取样光散射板、衰减底板固定连接；漫反射取样板轴向设置有圆形的通孔I ;衰减腔板的上部轴向设置有圆形的通孔II，下部轴向设置有衰减腔；所述的取样光散射板的轴向设置有圆形通孔III ;所述的衰减底板的轴向设置有圆形通孔IV ;通孔I1、通孔III分别与衰减腔相通，且通孔II与通孔III为轴向平行设置，(即通孔II与通孔III在取样光散射板上的投影不相交)。所述漫透射材料置于取样光散射板的通孔III中，漫透射材料的上表面与取样光散射板上的通孔III中的台阶平齐，漫透射材料的下表面与衰减底板的上表面平齐。
[0013]所述的通孔I与通孔II为同轴心设置。
[0014]所述的通孔III与通孔IV为同轴心设置。
[0015]所述的衰减腔的形状为圆形或方形。
[0016]所述的漫透射材料的直径大于通孔II1、通孔IV的直径。
[0017]所述的漫反射取样板材料采用经过特殊工艺处理的紫铜，特殊工艺为受光面先喷砂，后锻金，其余表面锻金。
[0018]所述的衰减腔板材料为石墨或发黑铝。
[0019]所述的取样光散射板材料采用经过特殊工艺处理的紫铜或铝，特殊工艺为受光面先喷砂，后镀金。
[0020]所述的漫透射材料为乳白玻璃或漫透射陶瓷。
[0021]所述的衰减底板的材料为发黑铝。
[0022]本实用新型使用具有高损伤域值的漫反射取样板来对非取样强激光进行95%以上漫反射，使用小孔对入射激光束进行空间取样，使用具有高损伤域值的取样光散射板来对高功率密度取样光进行漫反射，并使用石墨或发黑铝材料的柱形衰减腔来发散和匀化取样激光，使用漫透射材料和衰减通道对发散匀化后的激光进行再次取样和衰减，从而实现对强激光的取样和衰减。
[0023]本实用新型的强激光取样衰减器解决了持续时间数十秒、功率密度到达lOkW/cm2的强激光常规方法无法直接取样和衰减的问题，对于强激光参数测量具有重要促进作用。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1为本实用新型的强激光取样衰减器的结构示意图；
[0025]图中，1.漫反射取样板2.衰减腔板 3.取样光散射板 4.漫透射材料 5.衰减底板 6.通孔I 7.通孔II 8.衰减腔 9.通孔III
10.通孔IV。
【具体实施方式】
[0026]以下结合附图和具体的实施例对本实用新型进行详细说明。
[0027]实施例1
[0028]图1为本实用新型的强激光取样衰减器的结构示意图。在图1中，本实用新型的强激光取样衰减器外形为方形，包括漫反射取样板1、衰减腔板2、取样光散射板3、漫透射材料4、衰减底板5 ；
[0029]所述漫反射取样板I用于对非取样强激光进行95%以上漫反射；
[0030]所述漫反射取样板I上设置有通孔用于对入射激光束进行空间强度分布取样；
[0031]所述衰减腔板2上设置有衰减腔用于衰减和匀化取样强激光，通过改变衰减腔的结构尺寸能够调整衰减倍率；
[0032]所述取样光散射板3用于对取样强激光进行漫反射；
[0033]所述漫透射材料4用于对发散匀化后的取样光再次进行取样；
[0034]所述衰减底板5上设置有通孔用于对漫透射取样激光再次进行衰减，通过调整通孔长度能够调整衰减倍率；
[0035]所述取样衰减器的上部设置有漫反射取样板I，漫反射取样板I下部依次与衰减腔板2、取样光散射板3、衰减底板5固定连接；漫反射取样板I轴向设置有圆形的通孔I 6 ；衰减腔板2的上部轴向设置有圆形的通孔II 7，下部轴向设置有衰减腔8 ;所述的取样光散射板3的轴向设置有圆形通孔III 9 ;所述的衰减底板5的轴向设置有圆形通孔IV 10 ;通孔II 7、通孔III 9分别与衰减腔8相通，且通孔II 7与通孔III 9为轴向平行设置，(即通孔II 7与通孔III 9在取样光散射板3上的投影不相交；所述漫透射材料4置于取样光散射板3的通孔III 9中，漫透射材料4的上表面与取样光散射板3上的通孔III9中的台阶平齐，漫透射材料4的下表面与衰减底板5的上表面平齐。
[0036]所述的通孔I 6与通孔II 7为同轴心设置。
[0037]所述的通孔III 9与通孔IV 10为同轴心设置。
[0038]所述的衰减腔8的形状为圆形或方形。
[0039]所述的漫透射材料4的直径大于通孔III 9、通孔IV 10的直径。
[0040]所述的漫反射取样板I材料采用经过特殊工艺处理的紫铜，特殊工艺为受光面先嗔砂，后锻金，其余表面锻金。
[0041]所述的取样光散射板3材料采用经过特殊工艺处理的紫铜或铝，特殊工艺为受光面先喷砂，后镀金。
[0042]本实施例中，所述的衰减腔板2材料为石墨；所述的漫透射材料4为乳白玻璃；所述的衰减底板5的材料为发黑铝；衰减腔8的形状为圆形。
[0043]实施例2
[0044]本实施例与实施例1的结构相同，不同之处是，所述的强激光取样衰减器的外形为圆形；所述的衰减腔板材料为发黑铝；所述的漫透射材料为漫透射陶瓷；衰减腔的形状为方形。
[0045]最后所应说明的是，以上实施例仅用以说明本实用新型而非限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的特权要求范围当中。
【权利要求】
1.一种强激光取样衰减器，其特征在于:所述取样衰减器外形为柱状，包括漫反射取样板(I)、衰减腔板(2 )、取样光散射板(3 )、漫透射材料(4 )、衰减底板(5 ); 所述漫反射取样板(I)用于对非取样强激光进行漫反射； 所述漫反射取样板(I)上设置有通孔用于对入射激光束进行空间强度分布取样； 所述衰减腔板(2)上设置有衰减腔用于衰减和匀化取样强激光； 所述取样光散射板(3)用于对取样强激光进行漫反射； 所述漫透射材料(4)用于对发散匀化后的取样光再次进行取样； 所述衰减底板(5)上设置有通孔用于对漫透射取样激光再次进行衰减； 所述取样衰减器的上部设置有漫反射取样板(1)，漫反射取样板(I)下部依次与衰减腔板(2 )、取样光散射板(3 )、衰减底板(5 )固定连接；漫反射取样板(I)轴向设置有圆形的通孔I (6);衰减腔板(2)的上部轴向设置有圆形的通孔II (7)，下部轴向设置有衰减腔(8);所述的取样光散射板(3)的轴向设置有圆形通孔111(9);所述的衰减底板(5)的轴向设置有圆形通孔IV (10);通孔II (7)、通孔III (9)分别与衰减腔(8)相通，且通孔II (7)与通孔III (9)为轴向平行设置；所述漫透射材料(4)置于取样光散射板(3)的通孔III (9)中，漫透射材料(4)的上表面与取样光散射板(3)上的通孔III (9)中的台阶平齐，漫透射材料(4)的下表面与衰减底板(5)的上表面平齐。
2.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的通孔I(6)与通孔II(7)为同轴心设置。
3.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的通孔III(9)与通孔IV(1)为同轴心设置。
4.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的衰减腔(8)的形状为圆形或方形。
5.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的漫反射取样板(I)材料采用紫铜，在紫铜受光面先喷砂，后镀金，其余表面镀金。
6.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的衰减腔板(2)材料采用石墨或发黑铝。
7.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的取样光散射板(3)材料采用紫铜或铝，在紫铜或铝的受光面先喷砂，后镀金。
8.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的漫透射材料(4)为乳白玻璃或漫透射陶瓷。
9.根据权利要求1所述的强激光取样衰减器，其特征在于:所述的衰减底板(5)的材料为发黑铝。
【文档编号】G01J1/04GK203982016SQ201420411080
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2014年7月24日 优先权日:2014年7月24日
【发明者】庞淼, 张卫, 胡晓阳, 周文超, 高学燕, 周山, 何均章 申请人:中国工程物理研究院应用电子学研究所