用于检测基材的基材缺陷检测装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及能通过线性影像撷取单元取得的基材表面影像来判断基材表面是否有缺陷的存在的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其包括一光源模块、一检测模块及一控制模块。光源模块用于产生一照射在位于一检测区域内的基材上的检测光源，光源模块具有一第一发光面及一第二发光面，第一发光面及第二发光面之间具有一暗区范围。检测模块与光源模块彼此相对应设置，检测模块包括一用于撷取位于检测区域内的基材的影像信息的线性影像撷取单元，线性影像撷取单元具有一等于或大于暗区范围的截取范围。控制模块电性连接于检测模块，以接收检测模块所撷取到的影像信息，影像信息通过控制模块的运算，以得到一位于基材上的瑕疵区域的一瑕疵信息。
【专利说明】用于检测基材的基材缺陷检测装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种缺陷检测装置，尤其涉及一种通过判断基材表面是否存在缺陷来达到提高基材检测速度和准确性的基材缺陷检测装置。
【背景技术】
[0002]现今的产品大都以大量生产来降低生产成本，而大量生产的同时，检测装置如何能有效地检测成为重要的课题之一，而在产品生产前，制作产品所需的材料大都需要先经检测，借此淘汰具有缺陷的材料，进而提高产品的优良率且降低生产成本。
[0003]许多广品是以基板或基材制造生广，因此，基板或基材检测对于生广的优良率具有不可忽视的影响，其中，基板或基材的检测常需要确认基板或基材的正反两表面是否有缺陷，例如:凹陷、凸起、破损、擦伤、异物吸附或是基材密度不均等问题。
[0004]因此，为了提供质量较佳的基板或基材，通常会通过人工进行目视检测，通过将基板或基材设置于一输送装置上，并以人眼进行观测，检测这些基板或基材是否有瑕疵，并记录这些瑕疵区域。然而，上述通过人眼进行检测的方式，容易因为眼睛在长时间的观测下而产生疲劳或误判，开始产生基板或基材缺陷辨别率下降的情形，且对于单一产品的缺陷判断标准也会不一致。此外，也由于是通过人眼进行检测，因此基板或基材在输送装置上的速度也不能太快。进一步来说，若基板或基材的厚度越薄，缺陷越小时，人眼的辨识率可能会无法辨识。
[0005]因此，如何提供一种能够将改善基板或基材表面缺陷辨识率，同时以克服上述的缺陷，已经成为该领域亟待解决的重要课题之一。
实用新型内容
[0006]鉴于以上的问题，本实用新型提供一种借助基材上的瑕疵区域将检测光源偏折投射至线性影像撷取单元的截取范围中，来判断基材表面是否有缺陷的存在，以达到提高基材检测速度和准确性的基材缺陷检测装置。
[0007]为了达到上述的目的，本实用新型的其中一个实施方式是提供一种用于检测基材的基材缺陷检测装置，其包括一光源模块、一检测模块以及一控制模块。所述光源模块用于产生一照射在位于一检测区域内的所述基材上的检测光源，所述光源模块具有一第一发光面及一第二发光面，且所述第一发光面及所述第二发光面之间具有一暗区范围。所述检测模块与所述光源模块彼此相对应设置，所述检测模块包括一用于撷取位于所述检测区域内的所述基材的影像信息的线性影像撷取单元，其中所述线性影像撷取单元具有一等于或大于所述暗区范围的截取范围。所述控制模块电性连接于所述检测模块，以接收所述检测模块所撷取到的所述影像信息，其中所述影像信息通过所述控制模块的运算，以得到一位于所述基材上的瑕疵区域的一瑕疵信息。其中，所述第一发光面及所述第二发光面两者其中之一通过所述瑕疵区域，以偏折投射在所述线性影像撷取单元的所述截取范围中。
[0008]进一步地，所述光源模块包括一第一发光单元、一第二发光单元及一定位座，所述定位座设置于所述第一发光单元及所述第二发光单元两者的旁侧，其中所述第一发光单元及所述第二发光单元分别具有所述第一发光面及所述第二发光面，所述第一发光单元及所述第二发光单元之间彼此间隔一预定距离，通过转动所述定位座以界定出所述暗区范围。
[0009]进一步地，所述光源模块上设置有一遮光单元，以产生所述暗区范围。
[0010]进一步地，通过调整所述线性影像撷取单元至所述基材之间的距离，以调整所述线性影像撷取单元的所述截取范围的大小。
[0011]进一步地，通过调整所述光源模块至所述基材之间的距离，以调整所述线性影像撷取单元的所述截取范围投影在所述暗区范围的大小。
[0012]进一步地，所述光源为线性光源。
[0013]进一步地，所述光源模块设置于所述基材的一第一侧边，所述检测模块设置于所述基材的一第二侧边。
[0014]进一步地，所述线性影像撷取单元的所述截取范围直接穿过所述基材而投影在所述光源模块的所述暗区范围上。
[0015]进一步地，所述光源模块及所述检测模块都设置于所述基材的一第一侧边，所述光源模块通过所述基材上的所述瑕疵区域，以反射所述检测光源至所述线性影像撷取单元中。
[0016]进一步地，所述线性影像撷取单元的所述截取范围投影在所述光源模块的所述暗区范围所投影在所述基材表面的范围上。
[0017]本实用新型的有益效果可以在于，本实用新型的实施方式所提供的用于检测基材的基材缺陷检测装置，能够通过线性影像撷取单元所获得的基材表面影像，来判断基材表面是否有缺陷的存在。换言之，借助基材上的瑕疵区域将检测光源偏折投射至线性影像撷取单元的截取范围中，来判断基材是否有缺陷的存在。
[0018]为了能更进一步了解本实用新型的特征和技术内容，请参考以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅用于提供参考和说明，并非用来对本实用新型加以限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1A为本实用新型的第一实施方式的其中一个前视示意图。
[0020]图1B为本实用新型的第一实施方式的基材的放大示意图。
[0021]图1C为本实用新型的第一实施方式的其中一个光轴路径的示意图。
[0022]图1D为本实用新型的第一实施方式的另外一个光轴路径的示意图。
[0023]图2为本实用新型的第一实施方式的另外一个前视示意图。
[0024]图3A为本实用新型的第一实施方式的光源模块的立体示意图。
[0025]图3B为本实用新型的第一实施方式的光源模块的其中一种使用状态的示意图。
[0026]图3C为本实用新型的第一实施方式的光源模块的另外一种使用状态的示意图。
[0027]图4A为本实用新型的第二实施方式的前视示意图。
[0028]图4B为本实用新型的第二实施方式的其中一个光轴路径的示意图。
[0029]图4C为本实用新型的第二实施方式的另外一个光轴路径的示意图。
【具体实施方式】
[0030]以下通过由特定的具体实例说明本实用新型所公开的“用于检测基材的基材缺陷检测装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容轻易了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型也可通过其他不同的【具体实施方式】来加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同的观点与应用，在不背离本实用新型的精神下，进行各种修改与变更。另外，本实用新型的附图仅为简化图示，并非按照实际尺寸绘制，也即未反应出相关结构的实际尺寸，先给予说明。以下的实施方式进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但并非用以限制本实用新型的技术范围。
[0031][第一实施方式]
[0032]首先，请参考图1A和图1B所示，图1A为本实用新型的第一实施方式的其中一个前视示意图，图1B为本实用新型的第一实施方式基材的放大示意图。由于基材S在制造或是运送过程中难免会产生破损或是使杂质吸附在基材S里面，本实用新型的第一实施方式提供一种用于检测基材S的基材缺陷检测装置Q，其包括一光源模块1、一检测模块2及一控制模块3。借此，基材S通过检测模块2的检测，来判断基材S表面或内部是否具有瑕疵区域F。举例来说，以本实用新型的第一实施方式而言，待检测的基材S可以是具有透光性的薄膜，例如具有透光率85%以上的薄膜，然本实用新型不以此为限制。
[0033]具体来说，基材S可通过一设置于基材缺陷检测装置Q上的输送模块4来输送并承载基材S，输送模块4可包括多个滚轮41，借由滚轮41的带动将基材S输送至一预定检测区域Z上。举例来说，多个滚轮41中的其中一个，可通过一马达(未示出)的驱动而作为主动轮，通过主动轮的设置，可带动位于输送模块4上的待检测基材S。借此将待检测的基材S输送到一用于检测基材S的检测区域Z。
[0034]光源模块I可用于产生一照射在位于检测区域Z内的基材S上的检测光源P，光源模块I具有一第一发光面11及一第二发光面12，且第一发光面11及第二发光面12之间具有一暗区范围N。举例来说，以本实用新型的实施方式而言，位于第一发光面11及第二发光面12之间的暗区范围N的其中一种实施方式,可通过在光源模块I上设置有一遮光单元13，遮挡原来的光源模块I所产生的连续性光源，而形成前述暗区范围N。借此，可通过调整遮光单元13在光源模块I表面的面积大小来调整暗区范围N的大小。进一步来说，光源模块I可包括至少一个发光二极管，以提供一照射于检测区域Z上的高亮度和高均匀度的检测光源P，优选地，光源模块I所产生的检测光源P可以是一线性光源，使检测光源P具有指向性地垂直向上射出，然本实用新型并不以此为限制。举例来说，光源模块I也可选自由卤素灯或日光灯管所组成的其他光源结构。此外，也可通过调整光源模块I的光源位置、排列方式等，进而获得更好的光源散射效果。
[0035]接着，检测模块2可与光源模块I彼此相对应地设置，以本实用新型的第一实施方式而言，光源模块I可设置于基材S的一第一侧边SI外，检测模块2可设置于基材S的一第二侧边S2外。检测模块2可包括一用于撷取位于检测区域Z内的基材S的影像信息的线性影像撷取单元21，其中，线性影像撷取单元21具有一等于或大于暗区范围N的截取范围T，其中，线性影像撷取单元21的截取范围T会穿过基材S而直接投影在光源模块I的暗区范围N上。举例来说,线性影像撷取单元21可包括互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor, CMOS)芯片或一电荷I禹合器件(Charge-coupled Device,(XD)芯片。借此，一维的线性影像撷取单元21可在基材S上形成一扫描线。具体来说，扫描线可通过改变线性影像撷取单元21的焦距、线性影像撷取单元21至基材S之间的距离来改变扫描线的宽度。
[0036]接着，控制模块3可电连接于检测模块2，以接收检测模块2所撷取到的影像信息，以本实用新型的实施方式而言，控制模块3可以是一计算机，其中，影像信息通过控制模块3的运算，来得到一位于基材S上的瑕疵区域F的一瑕疵信息。借此，第一发光面11及第二发光面12两者的其中一个通过瑕疵区域F，来偏折投射在线性影像撷取单元21的所述截取范围T中。值得一提的是，若待检测基材S具有一预定的长度时，可通过一电连接于控制模块3的计码单元(未示出)来记录待检测基材S的长度信息，并将该长度信息传送至控制模块3中，借此，控制模块3可根据该长度信息和影像信息来判断每一批待检测基材S的瑕疵信息，同时可记录基材S的何段、何位置有何缺陷，并将这些瑕疵信息记录于控制模块3内，以便后续的使用。
[0037]换言之，请同时参考图1C-图1D所示，图1C为本实用新型的第一实施方式的其中一个光轴路径的示意图，图1D为本实用新型的第一实施方式的另外一个光轴路径的示意图。如图1C所示，当光源模块I所发出的检测光源P穿透一不具有瑕疵区域F的基材S时，可分成第一光轴Cl、第二光轴C2及第三光轴C3，借此，当穿透的基材S上不具有缺陷时，第一光轴Cl会进入基材S当中并在基材S中形成一第二光轴C2，当穿透基材S后第二光轴C2会形成第三光轴C3而穿透基材S，其中，由于基材S上不具有瑕疵区域F，因此第一光轴Cl的入射角度及第三光轴C3的角度会相同。借此，利用暗场检测(Dark Field Inspect1n)原理，当待检测的基材S上不具有瑕疵区域F时，位于基材S下方的光源模块I所产生的光源，会因为线性影像撷取单元21的截取范围T等于或稍大于暗区范围N，使得光源不会直射进入线性影像撷取单元21中。据此，对于线性影像撷取单元21而言，所撷取到的影像信息为全黑或仅具有一微弱的光线。以本实用新型的实施方式而言，可通过控制模块3将该全黑或微弱光线的影像信息换算成一灰阶值(O至255)，以作为判断的基准值。优选地，以线性影像撷取单元21能够感测到微弱光线为佳，其灰阶值的基准值可预设为128。
[0038]接着，如图1D所示，当光源模块I所发出的检测光源P穿透一具有瑕疵区域F的基材S时，可分成第一光轴Cl’、第二光轴C2’和第三光轴C3’，借此，当穿透的基材S上具有缺陷时，第一光轴Cl’会进入基材S当中并在基材S中形成一第二光轴C2’，当穿透基材S后第二光轴C2’会形成第三光轴C3’，而第三光轴C3’会由于基材S上的瑕疵区域F而产生偏折，使得偏折的第三光轴C3’所发出的光源会进入线性影像撷取单元21中。换言之，当光源模块I所产生的检测光源P照射到基材S上的瑕疵区域F时，由于瑕疵区域F上具有不平整的表面，因此穿过瑕疵区域F上的检测光源P将会产生偏折，将会迫使检测光源P的光轴路径产生改变，导致部分由第一发光面11及第二发光面12的检测光源P往左右偏折而进入线性影像撷取单元21中，因此线性影像撷取单元21所撷取到的影像信息上的亮点可能就是瑕疵区域F。借此，若将亮度转换成灰阶值时，当进入至线性影像撷取单元21中的光线越多时，灰阶值的数值将会越高，而当瑕疵区域F为基材S内吸附有一杂质时，该杂质会遮挡第一发光面11及第二发光面12的检测光源P，所检测到的灰阶值将会降低至一定数值。因此，可利用灰阶值的高低来判断基材S上的瑕疵区域F，以辨识基材S上的缺陷。同时，也可通过灰阶值的高低来判断基材S的缺陷程度。
[0039]进一步来说，请参照图1A和图2所示，图2为本实用新型的第一实施方式的另外一个前视示意图。有鉴于各种情况下对于基材S有着不同的质量要求，对于瑕疵的判断标准也不尽相同。举例来说，可通过调整线性影像撷取单元21的截取范围T投影在光源模块I的暗区范围N大小来调整瑕疵区域F的辨别灵敏度，借此判断基材S的缺陷程度，举例来说，可通过调整线性影像撷取单元21至基材S之间的距离(Dl，D2)，来调整线性影像撷取单元21的截取范围T投影在光源模块I的暗区范围N大小，换言之，可调整线性影像撷取单元21的位置，来增加线性影像撷取单元21的截取范围T投影在光源模块I上的暗区范围N的大小。另外，也可通过调整光源模块I至基材之间的距离(D3，D4)，来调整线性影像撷取单元21的截取范围T投影在光源模块I上的暗区范围N的大小。换言之，可将线性影像撷取单元21和光源模块I分别设置在一基座(未示出)上，来调整线性影像撷取单元21与光源模块I彼此之间的相对位置。另外，也可直接通过调整线性影像撷取单元21的光圈大小，来调整调整线性影像撷取单元21的截取范围T投影在光源模块I上的暗区范围N的大小。
[0040]接着，请参考图3A-图3C所示，图3A为本实用新型的第一实施方式的光源模块的立体示意图，图3B为本实用新型的第一实施方式的光源模块的其中一种使用状态的示意图，图3C为本实用新型的第一实施方式的光源模块的另外一种使用状态的示意图。在另外一种光源模块I’的实施方式中，光源模块I’可包括一第一发光单兀14、一第二发光单兀15及一定位座16，定位座16可设置于第一发光单元14及第二发光单元15两者的旁侧，定位座16具有一枢转轴161，第一发光单元14及第二发光单元15分别具有第一发光面11及第二发光面12，第一发光单元14及第二发光单元15之间彼此间隔一预定距离，举例来说，第一发光单元14及第二发光单元15可以是一具有指向性的发光二极管，使检测光源P垂直向上射出，然而，本实用新型并不以此为限制。借此，通过转动定位座16使得定位座16枢转于枢转轴161上，而可界定出暗区范围N的大小。具体来说，如图3B和图3C所示，对于线性影像撷取单元21而言，光源模块I的暗区范围N会等于第一发光单元14及第二发光单元15所形成的投影范围R1。当转动定位座16后，对于线性影像撷取单元21而言，光源模块I’的暗区范围N会等于第一发光单元14及第二发光单元15所形成的投影范围R2，由图3B和图3C的比较可以了解，当转动定位座16后投影范围R2会小于投影范围Rl，借此调整光源模块I的暗区范围N的大小。
[0041]本实用新型的第一实施方式所提供的用于检测基材S的基材缺陷检测装置Q，能借助基材S上的瑕疵区域F将检测光源P偏折投射至线性影像撷取单元21的截取范围T中，来判断基材S是否有缺陷的存在。同时，可通过转动设置在第一发光单元14及第二发光单元15旁侧的定位座16，来调整第一发光单元14及第二发光单元15所形成的投影范围(Rl，R2)，进而调整线性影像撷取单元21的截取范围T投影在光源模块I上的暗区范围N的大小。
[0042][第二实施方式]
[0043]首先，请参考图4A-图4C所示，图4A为本实用新型的第二实施方式的前视示意图，图4B为本实用新型的第二实施方式的其中一个光轴路径的示意图，图4C为本实用新型的第二实施方式的另外一个光轴路径的示意图。第二实施方式与第一实施方式的差别在于:通过改变光源模块I与检测模块2之间的位置关系，使得本实用新型的第二实施方式所提供的用于检测基材S’的基材缺陷检测装置Q’，可用来检测不具有透光性的基材S’，或是透光性较低的基材S’。
[0044]以本实用新型的第二实施方式而言，用于检测基材S’的基材缺陷检测装置Q’，包括一光源模块1、一检测模块2及一控制模块3。如同前述,光源模块I可用于产生一照射在位于检测区域Z内的基材S’上的检测光源P,光源模块I具有一第一发光面11及一第二发光面12，且第一发光面11及第二发光面12之间具有一暗区范围N。检测模块2可包括一用于撷取位于检测区域Z内的基材S’的影像信息的线性影像撷取单元21，其中，线性影像撷取单元21具有一等于或大于暗区范围N的截取范围T。控制模块3可电连接于检测模块2，以接收检测模块2所撷取到的影像信息，影像信息通过控制模块3的运算，可得到一位于基材S’上的瑕疵区域F的一瑕疵信息。借此，第一发光面11及第二发光面12两者的其中一个通过瑕疵区域F，来偏折投射在线性影像撷取单元21的截取范围T中。具体而言，以本实用新型的第二实施方式而言，光源模块I和检测模块2都设置于基材S’的一第一侧边SI’外，光源模块I可通过基材S’上的瑕疵区域F，来将检测光源P反射至线性影像撷取单元21中。其中，线性影像撷取单元21的截取范围T会直接投影在光源模块I的暗区范围N所投影在基材S’表面上的范围上。
[0045]具体来说，如图4B所示，当光源模块I所发出的检测光源P穿透一不具有瑕疵区域F的基材S’时，可分成一入射光轴El及一反射光轴E2，借此，当穿透的基材S’上不具有缺陷时，入射光轴El经由基材S’的反射会折射成一不进入线性影像撷取单元21的反射光轴E2。换言之，当基材S上不具有瑕疵区域F时，检测光源P并不会直接反射到线性影像撷取单元21中。因此，对于线性影像撷取单元21而言，所撷取到的影像信息为全黑或仅具有一微弱的光线。以本实用新型的实施方式而言，可通过控制模块3将该全黑或微弱光线的影像信息换算成一灰阶值(O至255)，来作为判断的基准值。
[0046]接着，如图4C所示，当光源模块I所发出的检测光源P照射在一具有瑕疵区域F的基材S’时，可分成一入射光轴ΕΓ及一反射光轴E2’，借此，当穿透的基材S’上具有缺陷时，入射光轴ΕΓ会被瑕疵区域F所偏折，而形成一反射光轴E2’，使得偏折的反射光轴E2’所发出的光源会进入到线性影像撷取单元21中。换言之，当光源模块I所产生的检测光源P照射到基材S’上的瑕疵区域F时，由于瑕疵区域F上具有不平整的表面，因此穿过瑕疵区域F上的检测光源P将会产生偏折，将会迫使检测光源P的光轴路径产生改变，导致部分由第一发光面11及第二发光面12的检测光源P偏折反射而进入线性影像撷取单元21中。借此，若将亮度转换成灰阶值时，当进入线性影像撷取单元21中的光线越多时，灰阶值的数值将会越高。因此，可利用灰阶值的高低来判断基材S’上的瑕疵区域F，以辨识基材S’上的缺陷。同时，也可通过灰阶值的高低来判断基材S’的缺陷程度。进一步来说，第二实施方式所提供的光源模块1、检测模块2和控制模块3的结构与前述第一实施方式相同，在此不再赘述。
[0047]本实用新型的第二实施方式所提供的用于检测基材S’的基材缺陷检测装置Q’，能借助基材S’上的瑕疵区域F将检测光源P偏折反射至线性影像撷取单元21的截取范围T中，来判断透光性较低的基材S’是否有缺陷的存在。
[0048][实施方式的可能功效]
[0049]综上所述，本实用新型的实施方式所提供的用于检测基材(S，S’ )的基材缺陷检测装置(Q，Q’)，能够借助线性影像撷取单元21所获得的基材(S，S’ )的表面影像，来判断基材(S，S’)的表面是否有缺陷的存在。换言之，借助基材(S，S’)上的瑕疵区域F将检测光源P偏折投射至线性影像撷取单元21的截取范围T中，来判断基材(S，S’ )是否有缺陷的存在。
[0050]以上所述仅为本实用新型的优选可行的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，因此凡是根据本实用新型的说明书和附图内容所做的等效技术变化，均包含在本实用新型的保护范围内。
[0051][符号说明]
[0052]基材缺陷检测装置Q，Q’
[0053]基材S，S，
[0054]第一侧边SI，SI’
[0055]第二侧边S2，S2’
[0056]光源模块1，1’
[0057]第一发光面11
[0058]第二发光面12
[0059]遮光单元13
[0060]第一发光单元14
[0061]第二发光单元15
[0062]定位座16
[0063]枢转轴161
[0064]检测模块2
[0065]线性影像撷取单元21
[0066]控制模块3
[0067]输送模块4
[0068]滚轮41
[0069]检测光源P
[0070]截取范围T
[0071]暗区范围 N
[0072]投影范围R1，R2
[0073]检测区域Z
[0074]瑕疵区域 F
[0075]第一光轴Cl, Cl’
[0076]第二光轴C2，C2’
[0077]第三光轴C3，C3’
[0078]入射光轴E1，E1’
[0079]反射光轴Ε2，Ε2’
[0080]距离D1，D2，D3，D4。
【权利要求】
1.一种用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，其包括: 一光源模块，所述光源模块用于产生一照射在位于一检测区域内的所述基材上的检测光源，所述光源模块具有一第一发光面及一第二发光面，且所述第一发光面及所述第二发光面之间具有一暗区范围； 一检测模块，所述检测模块与所述光源模块彼此相对应设置，所述检测模块包括一用于撷取位于所述检测区域内的所述基材的影像信息的线性影像撷取单元，其中所述线性影像撷取单元具有一等于或大于所述暗区范围的截取范围；以及 一控制模块，所述控制模块电性连接于所述检测模块，以接收所述检测模块所撷取到的所述影像信息，其中所述影像信息通过所述控制模块的运算，以得到一位于所述基材上的瑕疵区域的一瑕疵信息； 其中，所述第一发光面及所述第二发光面两者其中之一通过所述瑕疵区域，以偏折投射在所述线性影像撷取单元的所述截取范围中。
2.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述光源模块包括一第一发光单元、一第二发光单元及一定位座，所述定位座设置于所述第一发光单元及所述第二发光单元两者的旁侧，其中所述第一发光单元及所述第二发光单元分别具有所述第一发光面及所述第二发光面，所述第一发光单元及所述第二发光单元之间彼此间隔一预定距离，通过转动所述定位座以界定出所述暗区范围。
3.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述光源模块上设置有一遮光单元，以产生所述暗区范围。
4.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，通过调整所述线性影像撷取单元至所述基材之间的距离，以调整所述线性影像撷取单元的所述截取范围的大小。
5.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，通过调整所述光源模块至所述基材之间的距离，以调整所述线性影像撷取单元的所述截取范围投影在所述暗区范围的大小。
6.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述光源为线性光源。
7.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述光源模块设置于所述基材的一第一侧边，所述检测模块设置于所述基材的一第二侧边。
8.根据权利要求7所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述线性影像撷取单元的所述截取范围直接穿过所述基材而投影在所述光源模块的所述暗区范围上。
9.根据权利要求1所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述光源模块及所述检测模块都设置于所述基材的一第一侧边，所述光源模块通过所述基材上的所述瑕疵区域，以反射所述检测光源至所述线性影像撷取单元中。
10.根据权利要求9所述的用于检测基材的基材缺陷检测装置，其特征在于，所述线性影像撷取单元的所述截取范围投影在所述光源模块的所述暗区范围所投影在所述基材表面的范围上。
【文档编号】G01N21/88GK204214788SQ201420653472
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年11月4日 优先权日:2014年11月4日
【发明者】许轩兢 申请人:香港商微觉视检测技术股份有限公司