技术总结
本发明提供氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列在探测二氧化氮中的应用，包括沉积钨薄膜材料层、氧化钨纳米线的结晶生长、氧化钨纳米线的退火处理、退火后的氧化钨纳米线表面镀钒、进行钒的退火热处理以及电极的制作。本发明的有益效果是形貌结构为一维纳米线阵列，具有很高的比表面积，能够充分发挥异质结的优异性，异质结直接的特殊能带结构能有效的降低气敏传感器的工作温度、提高传感器的灵敏度与响应速度。制作工艺成熟、使用方便、价格低廉，有望在气敏传感器领域获得推广应用。
技术研发人员：秦玉香;柳杨;张晓娟;谢威威;胡明
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201510196475
技术研发日：2015.04.23
技术公布日：2016.11.23