1.一种用于探测入射辐射的初级光子(X)的辐射探测器(100)，包括：
转换材料(120)，其用于将入射辐射的初级光子(X)转换成次级光子(hυ)；
至少两个光敏柱(110)，其在第一方向(z)上延伸通过所述转换材料(120)，用于将所述次级光子转换成电信号，
其中，所述至少两个光敏柱中的至少两个在平行于所述第一方向(z)的轴上具有不同的高度(H)和/或不同的位置。
2.一种用于制造用于探测入射辐射的初级光子(X)的辐射探测器(100)的方法，所述方法包括以下步骤：
a)产生在第一方向(z)上延伸并且能够将次级光子(hυ)转换成电信号的至少两个光敏柱(110)，其中，所述光敏柱(110)中的至少两个在平行于所述第一方向的轴上具有不同的高度(H)和/或不同位置；
b)将所述光敏柱(110)嵌入能够将入射辐射的初级光子(X)转换成次级光子(hυ)的转换材料(120)中；
c)将所述光敏柱(110)连接到电路(130、140)。
3.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述转换材料(120)包括多个转换颗粒(121)。
4.根据权利要求3所述的辐射探测器(100)或方法，
其特征在于，所述转换颗粒(121)嵌入在基体材料(122)中。
5.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述光敏柱(110)中的至少一个包括半导体材料，优选地为硅。
6.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述光敏柱(110)中的至少一个包括至少一个光电二极管。
7.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述光敏柱的至少一个包括至少两个光敏元件的堆叠，其中，所述光敏元件优选地在所述第一方向(z)上一个在另一个后面堆叠。
8.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述光敏柱(110)中的至少一个具有以下至少一项：
-大于约0.5mm的高度(H)；
-小于约500μm的直径(D)；
-大于约2的纵横比。
9.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述辐射探测器(100)包括嵌入在相同转换材料(120)中的几个光敏柱(110)的阵列。
10.根据权利要求9所述的辐射探测器(100)或方法，
其特征在于，所述阵列的光敏柱(110)具有：
-大于约5个柱每mm2的密度，和/或
-小于约500μm的相互距离(a)。
11.根据权利要求1所述的辐射探测器(100)或根据权利要求2所述的方法，
其特征在于，所述光敏柱(110)是从光敏材料的主体层或从转换材料的主体层开始通过反应离子蚀刻、深反应离子蚀刻、电化学蚀刻、湿蚀刻和/或激光构建来产生的。
12.根据权利要求9所述的辐射探测器(100)或方法，
其特征在于，所述阵列的光敏柱(10)的不同子组能够选择性地被读出。
13.一种成像装置，特别是X射线装置、CT扫描器、PET扫描器或SPECT扫描器，所述成像装置包括根据权利要求1所述的辐射探测器(100)。
14.一种用于从根据权利要求12所述的辐射探测器(100)中读出数据的方法，
其特征在于，所述阵列的所述光敏柱(110)根据灵敏度和空间分辨率的给定要求被细分为不同的子组，其中，每个子组的柱被共同地读出。