1.一种半导体探测器，包括：
半导体探测材料，包括彼此相对的第一侧面和第二侧面；
设置于第一侧面上的阴极；以及
设置于第二侧面上的阳极，
其中，阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。
2.根据权利要求1所述的半导体探测器，还包括：设置于相邻的中间阳极之间的中心阳极。
3.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，还包括：
信号处理电路，用于针对像素阳极阵列中的每个像素阳极，基于该像素阳极上收集到的信号以及与该像素阳极相邻的中间阳极和/或中心阳极上收集到的信号，确定该像素阳极的探测信号。
4.根据权利要求3所述的半导体探测器，其中，信号处理电路基于加权求和，来确定探测信号。
5.根据权利要求3所述的半导体探测器，其中，针对每个像素阳极，当与该像素阳极相邻的中间阳极和/或中心阳极上收集到的信号幅度大于该像素阳极上收集到的信号幅度时，信号处理电路配置为将该像素阳极的探测信号确定为零。
6.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，其中，像素阳极阵列包括像素阳极的一维线阵、二维面阵或梯形结构。
7.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，其中，像素阳极的形状为正方形、矩形、圆形或椭圆形。
8.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，其中，中间阳极的形状为矩形、椭圆形、曲线形或菱形。
9.根据权利要求2所述的半导体探测器，其中，中心阳极的形状为正方形、圆形、椭圆形、矩形或菱形。
10.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，其中，半导体探测材料包括CdZnTe、Ge、CdTe、HgI2、PbI2、TlBr或GaAs。
11.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，其中，像素阳极、中间阳极、中心阳极分别包括金、铂、镍、钛、铟中至少一种。
12.根据权利要求1或2所述的半导体探测器，其中，阴极为平面型、像素型或条型。