半导体探测器的制作方法

文档序号:12467547阅读:来源:国知局
技术总结
公开了一种半导体探测器。根据实施例,该半导体探测器可以包括:半导体探测材料,包括彼此相对的第一侧面和第二侧面;设置于第一侧面上的阴极;以及设置于第二侧面上的阳极,其中,阳极包括限定半导体探测器的探测像素的像素阳极阵列以及设置于相邻的像素阳极之间的中间阳极。根据本公开的实施例,可以实现信号修正,提高探测器的能量分辨率和信噪比。

技术研发人员:张岚;杜迎帅;李波;吴宗桂;李军;曹雪朋;胡海帆;顾建平;徐光明;刘必成
受保护的技术使用者:同方威视技术股份有限公司
文档号码:201610798761
技术研发日:2016.08.31
技术公布日:2016.12.21

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