技术总结
本发明涉及一种点源激励下导体平板与非平行介质面强散射点预估方法，包含：S1、采用单一镜像法获取无限大的导体平板的格林函数；S2、采用离散复镜像法获取半空间介质面的格林函数；S3、对尺寸有限的导体平板进行边缘绕射修正，获取有限尺寸导体平板的格林函数；S4、基于半空间介质面的格林函数，以及有限尺寸导体平板的格林函数，进行二维成像，获取点源激励下导体平板与非平行介质面之间强散射点的位置信息。本发明中通过边缘绕射修正了有限尺寸导体平板的格林函数，有效提高强散射点位置预估的精度；并且计算量小，满足工程应用的需求。
技术研发人员：吴语茂;高鹏程;杨杨;张楠;童广德
受保护的技术使用者：上海无线电设备研究所;复旦大学
文档号码：201611031149
技术研发日：2016.11.22
技术公布日：2017.05.31