技术总结
本发明公开了一种CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。本发明的方法包括步骤：S1，采用微区Raman光谱仪，选择Raman光谱测试模式，设定Raman光谱的测试参数，对CaF2光学元件的聚焦区域进行Raman光谱测试；S2，微区Raman光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试；S3，对所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF2光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。本发明提供的CaF2光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法能提高检测的精度和准确性。
技术研发人员：邓文渊;金春水;靳京城;李春
受保护的技术使用者：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
文档号码：201611047901
技术研发日：2016.11.24
技术公布日：2017.02.15