一种集成片式氧传感器的制作方法

文档序号:12115568阅读:189来源:国知局
一种集成片式氧传感器的制作方法与工艺

本实用新型涉及传感器的技术领域,特别是涉及一种集成片式氧传感器。



背景技术:

近年来随着汽车保有量的急剧增加,汽车尾气已成为主要的大气污染源之一,检测尾气中氧离子的含量的氧传感器是闭环控制的汽车发动机电喷系统的核心部件之一,安装在汽车发动机排气管上,以控制空燃比,达到节能环保的功效。集成片式氧传感器的保护层一般为单层多孔厚膜,用于过滤尾气中的污染物质,在长期工作后不可避免发生微孔被污染堵塞,导致过滤效果减弱,集成片式氧传感器的灵敏度降低。综上所述,发展一种长期工作后仍然灵敏度好,可靠性高的集成片式氧传感器,是本领域技术人员急需解决的问题。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种集成片式氧传感器,解决了传统的集成片式氧传感器在长期工作后,不可避免的发生保护层的微孔被污染堵塞,导致过滤效果减弱,集成片式氧传感器的灵敏度和检测结果可靠性降低的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型提供如下技术方案:

一种集成片式氧传感器,其中,包括氧化锆基体、多孔保护层、陶瓷绝缘层和加热层,所述氧化锆基体的上方设有多孔保护层,所述氧化锆基体的下方设有陶瓷绝缘层,所述陶瓷绝缘层的下方设有加热层,所述氧化锆基体和陶瓷绝缘层之间设置有参比气层,所述参比气层内设置有通气体和扩散孔,所述通气体包括基体和设置在基体上的若干个参比气孔,所述多孔保护层内设置有若干个透气孔。

进一步地,若干个参比气孔设置在扩散孔的周围,相邻两个参比气孔之间设置有第一参比气通道。

更进一步地,所述透气孔的周围设置有若干个过滤孔,所述过滤孔和透气孔之间设置有气流道。

更进一步地,所述加热层内设置有若干个加热片。

更进一步地,若干个第一参比气通道和扩散孔之间设置有第二参比气通道。

进一步地,所述参比气层和加热层的厚度相等,厚度范围是0.3~0.55mm。

更进一步地,所述参比气层和加热层的厚度为0.4mm。

由上述技术方案可以看出,本实用新型具有以下有益效果:

1.由于所述透气孔的周围设置有若干个过滤孔,因而可以有效过滤掉检测气体中的杂质,防止过滤孔被堵塞,保证了灵敏度;

2.由于相邻两个参比气孔之间设置有第一参比气通道,因而检测气体流通顺畅,使得检测结果可靠性高。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步的详细说明。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的参比气层局部结构示意图。

图3为本实用新型的多孔保护层局部结构示意图。

附图标记说明:1为氧化锆基体、2为多孔保护层、21为透气孔、22为过滤孔、23为气流道、3为陶瓷绝缘层、4参比气层、41为通气体、411为基体、412为第一参比气通道、413为参比气孔、414为第二参比气通道、42为扩散孔、5为加热层、51为加热片。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明,但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

下面参考图1至图3对本申请作进一步说明,如图1所示的一种集成片式氧传感器,包括氧化锆基体1、多孔保护层2、陶瓷绝缘层3和加热层5,所述氧化锆基体1的上方设有多孔保护层2,所述氧化锆基体1的下方设有陶瓷绝缘层3,所述陶瓷绝缘层3的下方设有加热层5,所述氧化锆基体1和陶瓷绝缘层3之间设置有参比气层4,如图2所示,所述参比气层4内设置有通气体41和扩散孔42,所述通气体41包括基体411和设置在基体411上的若干个参比气孔413,如图3所示,所述多孔保护层2内设置有若干个透气孔21。

如图2所示,若干个参比气孔413设置在扩散孔42的周围,相邻两个参比气孔413之间设置有第一参比气通道412,因而检测气体流通顺畅,使得检测结果可靠性高。

如图3所示,所述透气孔21的周围设置有若干个过滤孔22,所述过滤孔22和透气孔21之间设置有气流道23,因而可以有效过滤掉检测气体中的杂质,防止过滤孔被堵塞,保证了灵敏度。

如图1所示,所述加热层5内设置有若干个加热片51。

如图2所示,若干个第一参比气通道412和扩散孔42之间设置有第二参比气通道414。

如图1所示,所述参比气层4和加热层5的厚度相等,厚度范围是0.3~0.55mm。

优选地,所述参比气层4和加热层5的厚度为0.4mm。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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