1.一种高温压力传感器，包括硅衬底、设置在所述硅衬底上的敏感元件，其特征在于，还包括设置在所述硅衬底上的由耐高温不导电材料所制成的中间基片及设置在所述中间基片上的上层硅片，所述硅衬底、中间基片和上层硅片依次键合，所述硅衬底与中间基片之间形成有收纳所述敏感元件的腔体。
2.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述硅衬底的厚度与上层硅片的厚度相同；或者，所述硅衬底与上层硅片的厚度偏差范围在±10um。
3.如权利要求1或2所述的高温压力传感器，其特征在于，所述高温压力传感器上形成有至少两个通孔，每个所述通孔顺次贯穿中间基片和上层硅片，每个所述通孔内形成有导电柱，所述导电柱的一端与敏感元件电性连接，另一端暴露在所述上层硅片上。
4.如权利要求3所述的高温压力传感器，其特征在于，每个所述通孔包括贯穿所述中间基片的第一子通孔和贯穿所述上层硅片的第二子通孔；所述第一子通孔和第二子通孔的形状相同，或者所述第一子通孔和第二子通孔的形状不相同。
5.如权利要求4所述的高温压力传感器，其特征在于，所述第一子通孔的延伸形状为直线，或者曲线，或者折弯状，或者由至少一直线段和至少一曲线段连接形成的组合；所述第二子通孔的延伸形状为直线，或者曲线，或者折弯状，或者由至少一直段和至少一曲线段连接形成的组合。
6.如权利要求5所述的高温压力传感器，其特征在于，所述第一子通孔呈圆台型，所述第二子通孔呈圆柱型。
7.如权利要求3所述的高温压力传感器，其特征在于，所述导电柱暴露在所述上层硅片上的一端为外露端，所述上层硅片具有背向所述中间基片的顶面，所述外露端暴露在所述上层硅片的顶面上。
8.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述中间基片上设有开口朝向所述硅衬底的凹槽，所述腔体由所述硅衬底封闭所述中间基片上的所述凹槽形成；或者，所述硅衬底上设有开口朝向所述中间基片的凹槽，所述腔体由所述中间基片封闭所述硅衬底上的所述凹槽形成；或者，所述中间基片上设有开口朝向所述硅衬底的上凹槽，所述硅衬底上开设有开口朝向所述中间基片的下凹槽，所述下凹槽和上凹槽对称设置，所述腔体由所述下凹槽和上凹槽围设形成。
9.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述敏感元件为压敏电阻或基于电容式的敏感膜片。
10.如权利要求1所述的高温压力传感器，其特征在于，所述中间基片为玻璃片。