技术总结
本发明提供了一种二极管反向特性筛选测试方法及其应用，涉及半导体器件测试技术领域，该二极管反向特性筛选测试方法包括以下步骤：1)测试击穿电压；2)选取95％－99.5％击穿电压范围内的两点电压值，测试该两点电压值下的漏电流，分别记作IR1和IR2；3)计算IR1和IR2的比值；根据比值确定二极管反向特性是否合格。该测试方法用于筛选在击穿点处存在小分段线问题的二极管，以解决现有测试方法对上述缺陷二极管不适用的问题，以提高出厂二极管的质量，提高二极管的可靠性。
技术研发人员：马志勇;孔玲娜;田振兴;张树宝;王斌;孟鹤;王品东
受保护的技术使用者：吉林麦吉柯半导体有限公司
文档号码：201710046039
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.06.09