本实用新型涉及一种单晶炉真空测量技术领域，具体地涉及一种单晶炉真空测量用水冷真空测量缓冲管。
背景技术：
在硅单晶炉生产过程中，需要在长晶过程中控制炉内压力维持在1300Pa左右，这就需要对真空进行测量，真空测量传感器一般直接安装在后端气路管道上，单晶生产过程中会产生大量挥发物，挥发物在抽走的过程中极易凝结在真空测量传感器内部的测量元件上，造成测量偏差和传感器损坏。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型的主要目的是提供一种水冷真空测量缓冲管。
本实用新型采用的技术方案是：
一种水冷真空测量缓冲管，包括安装在气路管道和真空测量规管之间的缓冲管本体，所述缓冲管本体包括螺旋缓冲管以及螺旋缓冲管延伸出的上延伸管路和下延伸管路，所述下延伸管路上设置有冷却管路；所述下延伸管路上设置有第一真空快卸卡箍，该第一真空快卸卡箍与气路管道连接；所述上延伸管路上设置有第二真空快卸卡箍，该第二真空快卸卡箍与真空测量规管连接。
本实用新型真空测量缓冲管为螺旋结构，减缓了挥发物对真空测量规管的直冲和运动速度，冷却管路使挥发物凝结在螺旋缓冲管侧壁上，从而保护了真空测量规管。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
其中，各个部件的标记及名称如下：
气路管道1；螺旋缓冲管2；上延伸管路22；下延伸管路21；第一真空快卸卡箍31；第二真空快卸卡箍32；真空测量规管4；冷却管路5。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。
参照图1，本实用新型公开了一种水冷真空测量缓冲管，包括安装在气路管道1和真空测量规管4之间的缓冲管本体，所述缓冲管本体包括螺旋缓冲管2以及螺旋缓冲管2上延伸出的上延伸管路22和下延伸管路21，所述下延伸管路21上设置有冷却管路5；所述下延伸管路21上设置有第一真空快卸卡箍31，该第一真空快卸卡箍31与气路管道1连接；所述上延伸管路22上设置有第二真空快卸卡箍32，该第二真空快卸卡箍32与真空测量规管4连接。
本实用新型的水冷真空测量缓冲管安装在气路管道1和真空测量规管4之间，真空测量缓冲管4为一个带下部水冷管路5的螺旋缓冲管2，真空测量缓冲管为螺旋结构，减缓了挥发物对真空测量规管4的直冲和运动速度，冷却管路5使挥发物凝结在螺旋缓冲管2侧壁上，从而保护了真空测量规管4。
以上对本实用新型实施例所公开的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体实施例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。