一种GaN的DC-DC测试装置的制作方法

技术特征：

1.一种GaN的DC-DC测试装置，其特征在于，包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统；

死区时间可调电路包括可变电阻模块与电容；上下管驱动电阻可调电路分别包括上管开通可变电阻模块、上管关断可变电阻模块和下管开通可变电阻模块、下管关断可变电阻模块；

控制IC上管输出信号HO与驱动IC的上管输入信号HI直接连接；控制IC下管输出信号LO先与可变电阻模块的一端连接，而可变电阻模块的另一端与驱动IC的下管输入信号LI连接；电容的一端与驱动IC的下管输入信号LI连接，另一端与地连接；驱动IC的上管开通信号Hon与上管开通可变电阻模块一端连接，上管开通可变电阻模块另一端与上管的栅极连接；驱动IC的上管关断信号Hoff与上管关断可变电阻模块一端连接，上管关断电阻可变电阻模块另一端与上管的栅极连接；驱动IC的下管开通信号Lon与下管开通可变电阻模块一端连接，下管开通可变电阻模块另一端与下管的栅极连接；驱动IC的下管关断信号Loff与下管关断可变电阻模块一端连接，下管关断可变电阻模块另一端与下管的栅极连接；输入电容一端与上管的漏极连接，另一端与地连接；上管的源极与下管的漏极、电感的一端分别连接；下管的源极与地连接，电感的另一端与输出电容一端连接，输出电容另一端与地连接；

测试点系统包括输入电容两端测试点、输出电容两端测试点、上管控制IC驱动信号测试点、下管控制IC驱动信号测试点、死区可调电路输出测试点、上管驱动IC导通输出信号测试点、上管驱动IC关断输出信号测试点、下管驱动IC导通输出信号测试点、下管驱动IC关断输出信号测试点、上管驱动电阻可调电路输出测试点、下管驱动电阻可调电路输出测试点、上下管连接测试点。

2.根据权利要求1所述的DC-DC测试装置，其特征在于，死区时间可调电路包括串联的n个电阻与开关并联子模块，所有串联模块与电容组成一个n级可调的RC延时电路；RC延时电路的时延可以通过电阻、开关的并联子模块中的开关来调整。

3.根据权利要求1所述的DC-DC测试装置，其特征在于，上下管驱动电阻可调电路中的开通电阻可调电路由n个电阻与并联子模块串联而成，组成一个n级可调的开通电阻可调电路；开通电阻可调电路的开通电阻可以通过电阻、开关的并联子模块中的开关来调整；

关断电阻可调电路由n个电阻与开关并联子模块串联而成，组成一个n级可调的关断电阻可调电路；关断电阻可调电路的关断电阻可以通过电阻、开关的并联子模块中的开关来调整；

开通电阻可调电路、关断电阻可调电路共同组成了驱动电阻可调电路，实现上下管开关驱动电阻可调。

4.根据权利要求2或3所述的DC-DC测试装置，其特征在于，电阻与开关并联子模块中的开关是本地的或者远端可控的。