一种MCU上电检测电路的制作方法

技术特征：

1.一种MCU上电检测电路，其特征在于：它包括第一电阻R117、第二电阻R119、电容C23以及限压二极管VD6，所述第一电阻R117一端、第二电阻R119一端、电容C23一端以及限压二极管VD6的正极均与MCU连接，所述第一电阻R117的另一端与外部电源连接，所述第二电阻R119的另一端接地，所述电容C23的另一端接地，所述限压二极管VD6的负极与内部电源连接。

2.根据权利要求1所述的一种MCU上电检测电路，其特征在于：所述限压二极管VD6由两个二极管并联组成。

3.根据权利要求1所述的一种MCU上电检测电路，其特征在于：所述第一电阻R117为82kΩ，第二电阻R119为15kΩ，电容C23为100nF。