技术特征：
技术总结
我们公开了一种红外(IR)检测器阵列，包括在包含蚀刻部分的半导体基底上形成的至少一个介电膜(2，3)；至少两个IR检测器(4，5)，以及在所述介电膜的一个或所有两个侧面的内部或是其上形成的至少一个图案化层(7)，用于控制所述IR检测器中的至少一个的IR吸收。所述图案化层包括横向间隔结构。
技术研发人员：F·乌德雷亚;S·Z·艾利;R·H·霍普尔;J·加德纳;A·德卢卡
受保护的技术使用者：AMS传感器英国有限公司
技术研发日：2017.01.24
技术公布日：2018.11.23