用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头的制作方法

本实用新型属于电磁无损检测技术领域，涉及一种用于核电及其他重要工业领域缺陷检测的涡流探头，尤其涉及用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头。

背景技术：

涡流检测是常规无损检测技术之一，是以电磁感应原理为基础，依据材料电磁性能变化来对材料及构件实施缺陷探测和性能测试的电磁检测方法。涡流检测方法使用激励线圈在试件中产生旋涡状的感应交变电流，通过线圈的电压信号变化来判断缺陷的位置和大小。该法具有非接触、检测速度快的特点和浅裂纹定量方面的优势，是一种对表面和近表面缺陷进行定量无损评价的有效方法。涡流检测方法广泛应用于用于石油化工、电力冶金等行业，以及航空航天、核电设备等重要领域。

目前常规涡流检测基本停留在近表层缺陷的检测，因为存在明显的集肤效应，涡流被限制在导体表面及近表面，所以对装备零件中较深缺陷以及深层缺陷识别能力有限。涡流的标准渗透深度是指当材料中的涡流密度达到材料表面涡流密度的37%时的材料深度。制约涡流渗透深度的因素有激励频率、激励电流大小以及材料的电磁特性等。增加涡流探头的穿透能力常采用低频激励、远场涡流以及脉冲涡流。虽然通过优化激励频率等措施，可以在一定程度上提高对深裂纹的检测效果，但同时存在其他问题，如：采用低频激励及远场涡流虽然可增大涡流渗透深度、提高探头检测深层缺陷的能，但同时会导致探头分辨率低、信噪比低、检测速度低，并引发了探头的速度效应和检测信号分辨困难等问题；采用脉冲涡流利用多频信号检测缺陷，相对于传统涡流检测具有一定优势，但脉冲涡流信号在产生、传输及接收过程中，会受到噪声污染，所采用的霍尔元件灵敏度不高，分辨率易受偏移量和噪声影响。

常规均匀涡流探头虽然解决了分辨率低、信噪比低等问题，但仍无法摆脱集肤效应的限制，所能探测到的裂纹深度有限，对较深裂纹仍然无法获得理想的结果，而且所采用的矩形激励线圈在材料中所感应产生的涡流具有方向性，容易对平行于涡流流动方向的裂纹产生漏检。

综上，现有技术存在的主要问题有：（1）常规涡流探头所产生的涡流渗透深度过小，无法获得深裂纹检测信号的问题；（2）材料深层缺陷的检测信号较小，易受激励磁场噪声干扰的问题；（3）常规深裂纹检测探头的线圈尺寸过大 ；（4）均匀涡流探头对裂纹方向敏感的问题。

因此，研究能有效识别金属材料中的深裂纹、适用于核电设备及其他重要工业领域大型厚壁构件缺陷检测的涡流检测探头，在保障设备安全运行、评定设备寿命、降低设备维护成本等方面具有重要意义和前景。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，解决上述现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种圆形相切式深裂纹涡流检测探头，采用三个大小不等的圆形线圈按相切关系排布，其中两个激励线圈内切，并向两个激励线圈中分别通入同频率的反向交变电流，在材料中产生反向的交变涡流。通过调整激励电流的大小和相位，使材料表面的涡流叠加为零，材料内部涡流密度变大，从而达到增加渗透深度、获取材料内部深裂纹微小信号的目的。和低频激励、远场涡流等现有技术相比，本实用新型可有效提高裂纹的检测深度，同时具有较高分辨率和较高的检测速度，可用于金属材料中的深裂纹及深层缺陷的在线检测和定量，为工业设备及产品的定量检测和评估提供准确可靠的依据。

本实用新型采用的技术方案是：用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头，包括激励元件、检测元件和固定架；所述固定架包括扫查架连接部及元件安装部，元件安装部上设置有元件安装面；其特征在于：所述激励元件包括大激励线圈、大激励线圈绕线盘、小激励线圈和小激励线圈绕线柱；所述大激励线圈绕线盘固定安装在元件安装部的元件安装面上；所述小激励线圈绕线柱固定安装在大激励线圈绕线盘顶端面上，二者外缘内切；大激励线圈绕制在大激励线圈绕线盘上，小激励线圈绕制在小激励线圈绕线柱上，小激励线圈外缘与大激励线圈的外缘内切；

所述检测元件安装在激励元件旁边，包括检测线圈支座、检测线圈绕线柱、磁场屏蔽板、检测线圈和磁场屏蔽筒； 所述检测线圈支座固定安装在元件安装部的元件安装面上，检测线圈绕线柱固定安装在检测线圈支座上；所述磁场屏蔽板为一圆形片，中心开设有供检测线圈绕线柱穿过的通孔；所述磁场屏蔽筒为两端开口的筒；所述磁场屏蔽板、检测线圈和磁场屏蔽筒依次套在检测线圈绕线柱上，检测线圈位于磁场屏蔽板和磁场屏蔽筒形成的屏蔽外壳内。

进一步，所述大激励线圈绕线盘、小激励线圈绕线柱和所述检测线圈绕线柱相互平行，其轴心线位于同一平面内。

进一步，所述大激励线圈、小激励线圈和检测线圈均为圆形涡流线圈；

所述大激励线圈的直径大于小激励线圈的直径，小激励线圈的直径大于检测线圈的直径。

进一步，所述大激励线圈绕线盘和小激励线圈绕线柱的直径均大于所述检测线圈绕线柱的直径。

进一步，所述大激励线圈和小激励线圈分别完全套在大激励线圈绕线盘和小激励线圈绕线柱上，以保持大激励线圈和小激励线圈在检测过程中固定的相对位置关系；

所述检测线圈完全套在检测线圈绕线柱上，其远离固定架一端的顶端面与检测线圈绕线柱顶端面保持在同一平面内，以保持检测线圈在检测过程中固定的相对位置关系；

所述小激励线圈与检测线圈绕线柱远离固定架一端的顶端面保持在同一平面内。

进一步，分别采用频率相同、电流大小不同、相位不同的正弦交变电流对所述大激励线圈和小激励线圈进行激励，以在材料中产生具有较大穿透能力的涡流。

进一步，所述磁场屏蔽筒、检测线圈以及磁场屏蔽板中心位于同一轴线上。

进一步，所述固定架的扫查架连接部上设置有安装孔，用于将所述检测深裂纹的圆形相切式涡流探头整体安装在扫查架上。

进一步优选地，所述安装孔有多个，对称分布于扫查架连接部上。

进一步，所述大激励线圈绕线盘、小激励线圈绕线柱、检测线圈绕线柱和固定架均由PVC材料制成。

进一步，所述大激励线圈、小激励线圈和检测线圈均由漆包线绕制而成。

进一步，所述固定架呈T字型；所述T字型水平部分即为元件安装部，所述T字型水平部分顶端面即为元件安装面，所述T字型竖直部分即为扫查架连接部。

本实用新型所述用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头的装配方法为：

首先，安装激励元件。先将大激励线圈绕线盘固定安装在固定架的元件安装面上，再将小激励线圈绕线柱固定安装在大激励线圈绕线盘顶端面上，使二者外缘内切；再将大激励线圈绕制在大激励线圈绕线盘上，将小激励线圈绕制在小激励线圈绕线柱上，使小激励线圈外缘与大激励线圈的外缘内切。

其次，安装检测元件。先将磁场屏蔽板安装在检测线圈绕线柱上，再将检测线圈绕在检测线圈绕线柱上，然后将磁场屏蔽筒套在检测线圈外围，使检测线圈底端和径向外围被磁场屏蔽板、磁场屏蔽筒形成的屏蔽外壳包围，并使磁场屏蔽板、磁场屏蔽筒和检测线圈保持同轴；然后将检测线圈绕线柱的底端安装在检测线圈支座上，再将检测线圈支座固定安装在固定架上，使其位于大激励线圈绕线盘旁边，且使检测线圈远离固定架一端的顶端面与检测线圈绕线柱、小激励线圈和小激励线圈绕线柱的顶端面在同一个水平面内。

第三，线圈绕制完毕后，将整个探头通过安装孔安装在扫查架上。

基于上述方案，本实用新型采用的另一个技术方案是：一种利用上述检测深裂纹的圆形相切式涡流探头对深裂纹进行检测的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1. 探头装配：按上述方法进行装配；

S2. 将大激励线圈和小激励线圈的引线分别连接至两个交流电源，将检测线圈的线圈引线连接至示波器；

S3. 向大激励线圈和小激励线圈中持续通入频率相同、电流大小不同、相位不同的稳态正弦交变电流进行激励；

S4.使探头在试件材料表面进行扫查；扫查时，使检测线圈位于扫查方向的最前方，小激励线圈和检测线圈成线性排列，和扫查路径共线，沿扫查路径进行扫查。缺陷处的涡流场受到缺陷的扰动，通过扰动磁场将缺陷信息反馈到检测线圈中；

S5. 将检测线圈中的检测信号输入到示波器中；

S6. 将示波器所获得的检测线圈测得的电压信号大小和标定曲线相比，即可得到缺陷的实际深度。

进一步，所述大激励线圈的尺寸为：外半径Ro1 =16mm，内半径Ri1 =14mm，高度H1=1.6mm； 所述小激励线圈的尺寸为：外半径Ro2 =3.2mm，内半径Ri2 =1.2mm，高度H2=1.6mm；

大激励线圈和小激励线圈的中心距S1,2=12mm，小激励线圈和检测线圈的中心距S2,3=6.45mm；所述检测线圈的基本尺寸为：外半径ro3 =1.6mm，内半径ri3 =0.6mm，高度hC3=0.8mm；其中，S1,2为大激励线圈与小激励线圈的中心距，S2,3为小激励线圈与检测线圈的中心距；大激励线圈和小激励线圈的中心距以及小激励线圈与检测线圈的中心距对本实用新型用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头的检测性能起着重要作用，直接影响深裂纹的结果，保持合适的距离可有效提高探头对裂纹的检测深度。

进一步，小激励线圈中电流I2与大激励线圈中电流I1的比例为I2/I1=5-8，相位差为130-180度。

探头的主要配置参数包括线圈尺寸、中心距、激励频率，以及两个激励线圈的激励电流大小比例和相位差。本实用新型中两个激励线圈的尺寸、中心距及激励频率、激励电流大小和相位直接影响材料中涡流渗透深度的大小。当两个激励线圈的尺寸和中心距一定时，通过调整激励频率、激励电流的大小比例和相位差，可达到使材料表面涡流密度为零，提高涡流渗透深度的效果。本实用新型是先给定线圈大小、线圈中心距，然后计算两个激励线圈在检测线圈位置处产生的材料表面涡流密度，根据这两个涡流密度的大小，通过有限元软件计算得到对应的两个激励线圈中激励电流的大小。

通过实验证明，两个圆形激励线圈的中心距为S1,2=12mm、小激励线圈与检测线圈的中心距为S2,3=6.45mm时，小激励线圈中电流大小为大激励线圈中电流大小的5-8倍，相位差保持在130-180度，对深度缺陷可得到较好的检测效果。

本实用新型的原理是：

本实用新型为了增大涡流渗透深度，采用两个直径大小不等的圆形线圈作为激励源，在两个激励线圈中分别通入大小和相位不同的相同频率正弦激励电流，在材料表面及内部感应出方向相反、分布不同的涡流。且通过设置适当的激励参数，使材料表面的涡流等值反向，叠加结果为零，从而使材料内部深处的涡流密度相对变大。材料中的深裂纹对材料内部的涡流产生扰动，扰动的涡流场通过二次次生磁场在检测线圈中产生感生电流，影响检测线圈的电压大小。通过将有无裂纹时检测线圈电压信号之差和标定曲线进行比较，即可对材料中深裂纹的位置、尺寸大小进行判定。

本实用新型的有益效果：

1、本实用新型采用对方向不敏感的圆形涡流线圈作为激励线圈，在实际检测过程中，克服了矩形激励线圈产生的涡流对裂纹方向敏感、以及不易检出与涡流流向平行的裂纹缺陷的问题，从而有效避免裂纹漏检情况的发生。

2、本实用新型为了消除激励磁场对检测信号的干扰，提高检测线圈的灵敏度，采用磁场屏蔽板和磁场屏蔽筒将圆形检测线圈底部及径向外围屏蔽。

3、本实用新型的用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头，分辨率高、灵敏度好、检测速度快，检测效率高，解决了现有技术中存在的以下问题：试件材料表面涡流集肤效应影响深裂纹缺陷检测的问题；试件内部检测信号过小，检测不到内部缺陷的问题；涡流渗透深度小，涡流探头对深裂纹的检测能力低的问题。

4、本实用新型圆形相切式涡流探头探测深度大。实验表明，在一定激励频率下，将本实用新型中小激励线圈和大激励线圈中电流大小比例保持在5-8倍，相位差保持在130-180度时可达到最佳检测效果，以涡流密度峰值为基准，本实用新型圆形相切式涡流探头的渗透深度可达到传统圆形涡流探头的2.3倍左右，可达26mm。

附图说明

图1为本实用新型实施例1所述圆形相切式涡流探头装配图；

图2为本实用新型实施例2所述圆形相切式涡流探头裂纹扫查方案图；

图3为本实用新型实施例3所述圆形相切式涡流探头和传统圆形涡流探头在1kHz激励频率激励时涡流密度的归一化结果与渗透深度的线性关系对比图；

图4为本实用新型实施例4所述圆形相切式涡流探头和传统圆形涡流探头在5kHz激励频率激励时涡流密度的归一化结果与渗透深度的线性关系对比图；

图中零部件、部位及编号：

1-大激励线圈；2-小激励线圈；3-检测线圈；4-磁场屏蔽筒；5-磁场屏蔽板；6-大激励线圈绕线盘；7-小激励线圈绕线柱；8-检测线圈绕线柱；9-固定架；91-扫查架连接部；92-元件安装部；921-元件安装面；10-安装孔；11-检测线圈支座。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的技术方案进行详细说明，但本实用新型的内容并不局限于此。

实施例1：

如图1所示，用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头，包括激励元件、检测元件和固定架9；所述固定架9包括扫查架连接部91及元件安装部92，元件安装部92上设置有元件安装面921；其特征在于：所述激励元件包括大激励线圈1、大激励线圈绕线盘6、小激励线圈2和小激励线圈绕线柱7；所述大激励线圈绕线盘6固定安装在元件安装部92的元件安装面921上；所述小激励线圈绕线柱7固定安装在大激励线圈绕线盘6顶端面上，二者外缘内切；大激励线圈1套在大激励线圈绕线盘6上，小激励线圈2套在小激励线圈绕线柱7上，小激励线圈2外缘与大激励线圈1的外缘内切；

所述检测元件安装在激励元件旁边，包括检测线圈支座11、检测线圈绕线柱8、磁场屏蔽板5、检测线圈3和磁场屏蔽筒4； 所述检测线圈支座11固定安装在元件安装部92的元件安装面921上，检测线圈绕线柱8固定安装在检测线圈支座11上；所述磁场屏蔽板5为一中心开设有供检测线圈绕线柱8穿过的通孔的圆形片；所述磁场屏蔽筒4为两端开口的筒；所述磁场屏蔽板5、检测线圈3和磁场屏蔽筒4依次套在检测线圈绕线柱8上，检测线圈3位于磁场屏蔽板5和磁场屏蔽筒4形成的屏蔽外壳内。

所述大激励线圈绕线盘6、小激励线圈绕线柱7和所述检测线圈绕线柱8相互平行，其轴心线位于同一平面内。

所述大激励线圈1、小激励线圈2和检测线圈3均为圆形涡流线圈；

所述大激励线圈1的直径大于小激励线圈2的直径，小激励线圈2的直径大于检测线圈3的直径；

所述大激励线圈绕线盘6和小激励线圈绕线柱7的直径均大于所述检测线圈绕线柱8的直径。

所述大激励线圈1和小激励线圈2分别完全套在大激励线圈绕线盘6和小激励线圈绕线柱7上，以保持大激励线圈1和小激励线圈2在检测过程中固定的相对位置关系；

所述检测线圈3完全套在检测线圈绕线柱8上，其远离固定架9一端的顶端面与检测线圈绕线柱8顶端面保持在同一平面内，以保持检测线圈3在检测过程中固定的相对位置关系。

所述小激励线圈2与检测线圈绕线柱8远离固定架9一端的顶端面保持在同一平面内。

分别采用频率相同、电流大小不同、相位不同的正弦交变电流对所述大激励线圈1和小激励线圈2进行激励，以在材料中产生具有较大穿透能力的涡流。

所述磁场屏蔽筒4、检测线圈3以及磁场屏蔽板5中心位于同一轴线上。

所述固定架9的扫查架连接部91上设置有安装孔10，用于将所述检测深裂纹的圆形相切式涡流探头整体安装在扫查架上。

所述安装孔10有2个，对称分布于扫查架连接部91上。

所述大激励线圈绕线盘6、小激励线圈绕线柱7、检测线圈绕线柱8和固定架9均由PVC材料制成。

所述大激励线圈1、小激励线圈2和检测线圈3均由漆包线绕制而成。

所述固定架9呈T字型；所述T字型水平部分即为元件安装部92，所述T字型水平部分顶端面即为元件安装面921，所述T字型竖直部分即为扫查架连接部91。

由实施例1所得用于圆形相切式涡流探头的装配图，见图1。

实施例2：

如图2所示，在实施例1 的基础上，一种利用上述用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头对深裂纹缺陷进行检测的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1. 探头装配：按如下方法操作：

首先，安装激励元件。先将大激励线圈绕线盘6固定安装在固定架9的元件安装面921上，再将小激励线圈绕线柱7固定安装在大激励线圈绕线盘6顶端面上，使二者外缘内切；再将大激励线圈1套在大激励线圈绕线盘6上，将小激励线圈2套在小激励线圈绕线柱7上，使小激励线圈2外缘与大激励线圈1的外缘内切。

其次，安装检测元件。先将磁场屏蔽板5安装在检测线圈绕线柱8上，再将检测线圈3绕在检测线圈绕线柱8上，然后将磁场屏蔽筒4套在检测线圈3外围，使检测线圈3底端和径向外围被磁场屏蔽板5和磁场屏蔽筒4形成的屏蔽外壳包围，并使磁场屏蔽板5、磁场屏蔽筒4和检测线圈3保持同轴；然后将检测线圈绕线柱8的底端安装在检测线圈支座11上，再将检测线圈支座11固定安装在固定架9上，使其位于大激励线圈绕线盘6旁边，且使检测线圈3远离固定架9一端的顶端面与检测线圈绕线柱8、小激励线圈2和小激励线圈绕线柱7的顶端面在同一个水平面内。

第三，线圈绕制完毕后，整个探头通过安装孔10安装在扫查架上。

S2. 将大激励线圈1和小激励线圈2的引线分别连接至两个交流电源，将检测线圈3的线圈引线连接至示波器；

S3. 向大激励线圈1和小激励线圈2中持续通入频率相同、大小不同、相位不同的稳态正弦交变电流进行激励；

S4. 控制扫查架，使检测元件在试件材料表面进行扫查；扫查时，如图2所示，使检测线圈3位于扫查方向的最前方，小激励线圈2和检测线圈3成线性排列，和扫查路径共线，沿扫查路径进行扫查。缺陷处的涡流场受到缺陷的扰动，通过扰动磁场将缺陷信息反馈到检测线圈3中；

S5. 将检测线圈3中的检测信号输入到示波器中；

S6. 将示波器所获得的检测线圈3的电压信号大小和标准试件的标定曲线比较，即可推断出缺陷的深度。

实施例3：

为验证本实用新型用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头对厚壁深裂纹缺陷进行检测时的渗透深度优于传统圆形涡流探头，在实施例1和2的基础上，用304奥氏体不锈钢试件，采用本实用新型用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头和不安装小激励线圈2和检测线圈3，只安装大激励线圈1并将其用于激励和缺陷检测而得到的传统圆形涡流探头，按如下参数配置及方法检测，用1kHz激励频率，进行对比实验。

1、传统自发自收式圆形涡流探头检测实验。

a. 在实施例1和2的基础上，只安装大激励线圈1并将其用于激励和缺陷检测，按如下配置及方法进行实验。

b. 传统圆形涡流探头配置：

所用大激励线圈1基本尺寸、激励频率、激励电流大小具体如下：

b1. 大激励线圈1基本尺寸：外半径Ro1 =16mm，内半径Ri1 =14mm，高度H1=1.6mm；

b2. 激励频率：f=1kHz；

b3. 激励电流：I=1A。

c. 检测方法：

向大激励线圈1中输入频率f=1kHz、电流I1=1A的稳态正弦激励电流，采用与安装大激励线圈1和小激励线圈2时相同的方法进行实验。

d. 结果：

所得传统圆形涡流探头在1kHz激励频率激励时试件中的涡流密度的归一化结果与渗透深度的线性关系，见图3；由图3中相应的曲线可得出，1kHz单频率激励时传统圆形涡流探头的渗透深度为11.2mm。

2、本实用新型用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头检测实验。

a. 在实施例1和2的基础上，装配用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头。

b. 用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头配置：

b1. 激励线圈基本尺寸

大激励线圈1：外半径Ro1 =16mm，内半径Ri1 =14mm，高度H1=1.6mm；

小激励线圈2：外半径Ro2 =3.2mm，内半径Ri2 =1.2mm，高度H2=1.6mm；

b2. 激励频率：f=1kHz；

b3. 激励电流大小：I1=1A, I2=7.57A，激励电流相位差：Δφ=167.8°

b4. 大激励线圈1和小激励线圈2的中心距: S1,2=12mm，小激励线圈2和检测线圈3的中心距：S2,3=6.45mm；

b5. 检测线圈3基本尺寸：外半径ro3 =1.6mm，内半径ri3 =0.6mm，高度hC3=0.8mm；

b6. 磁场屏蔽筒4基本尺寸：外半径ro4 =1.8mm，内半径ri4 =1.6mm，高度hC4=0.8mm；

b7. 磁场屏蔽板5基本尺寸：外半径ro5 =1.8mm，厚度Δt5=0.2mm。

c. 检测方法：

向大激励线圈1中输入频率f=1kHz、电流I1=1A和小激励线圈2中输入频率f=1kHz、电流I2=7.57A的稳态正弦激励电流，激励电流相位差：Δφ=167.8º，采用实施例2所述方法进行实验。

d. 结果：

由实施例3所得圆形相切式涡流探头在1kHz激励频率激励时试件中涡流密度的归一化结果与渗透深度的线性关系，见图3；由图3中相应的曲线可得出，1kHz单频率激励时圆形相切式涡流探头的渗透深度为26.3mm。

3、本实用新型圆形相切式涡流探头与传统自发自收式圆形涡流探头检测结果对比：

本实用新型圆形相切式涡流探头在1kHz激励频率激励时的渗透深度和传统自发自收式圆形涡流探头在1kHz激励频率分别激励时所得的渗透深度的对比，见表1。

表1

由以上结果可知，本实用新型圆形相切式涡流探头的渗透深度能达到26.3mm，而传统圆形涡流探头仅能达到11.2mm，前者是后者的2.35倍。

实施例4：

为验证用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头对厚壁深裂纹缺陷进行检测时的渗透深度优于传统圆形涡流探头，在实施例1和2的基础上，用304奥氏体不锈钢试件，采用本实用新型用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头和不安装小激励线圈2和检测线圈3，只安装大激励线圈1并将其用于激励和缺陷检测而得到的传统圆形涡流探头，并按如下配置及方法，用5kHz激励频率，进行对比实验。

1、传统自发自收式圆形涡流探头检测实验。

a. 在实施例1和2的基础上，只安装大激励线圈1并将其用于激励和缺陷检测，按如下配置及方法进行实验。

b. 传统圆形涡流探头配置：

所用激励线圈1基本尺寸、激励频率、激励电流大小具体如下：

b1. 大激励线圈1基本尺寸：外半径Ro1 =11.2mm，内半径Ri1 =9.2mm，高度H1=1.6mm；

b2. 激励频率：f=5kHz；

b3. 激励电流：I=1A。

c. 检测方法：

向大激励线圈1中输入频率f=5kHz、电流I=1A的稳态正弦激励电流，采用与安装大激励线圈1、小激励线圈2和检测线圈3时相同的方法进行实验。

d. 结果：

所得传统圆形涡流探头在5kHz激励频率激励时试件中的涡流密度的归一化结果与渗透深度的线性关系，见图4；由图4中相应的曲线可得出，5kHz单频率激励时传统圆形涡流探头的渗透深度为8.3mm。

2、本实用新型用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头检测实验。

a. 在实施例1和2的基础上，装配用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头。

b. 用于检测深裂纹的圆形相切式涡流探头配置：

b1. 激励线圈基本尺寸

大激励线圈1：外半径Ro1 =11.2mm，内半径Ri1 =9.2mm，高度H1=1.6mm；

小激励线圈2：外半径Ro2 =3.2mm，内半径Ri2 =1.2mm，高度H2=1.6mm；

b2. 激励频率：f=5kHz；

b3. 激励电流大小：I1=1A, I2=6.2A，激励电流相位差：Δφ=166.4°

b4. 大激励线圈1和小激励线圈2的中心距: S1,2=28mm，小激励线圈2和检测线圈3的中心距：S2,3=6.45mm；

b5. 检测线圈3基本尺寸：外半径ro3 =1.6mm，内半径ri3 =0.6mm，高度hC3=0.8mm；

b6. 磁场屏蔽筒4基本尺寸：外半径ro4 =1.8mm，内半径ri4 =1.6mm，高度hC4=0.8mm；

b7. 磁场屏蔽板5基本尺寸：外半径ro5 =1.8mm，厚度Δt5=0.2mm。

c. 检测方法：

向大激励线圈1中输入频率f=5kHz、电流I1=1A和小激励线圈2中输入频率f=5kHz、电流I2=6.2A的稳态正弦激励电流，激励电流相位差：Δφ=166.4º，采用实施例2所述方法进行实验。

d. 结果：

由实施例4所得圆形相切式涡流探头在5kHz激励频率激励时试件中涡流密度的归一化结果与渗透深度的线性关系，见图4；由图4中相应的曲线可得出，5kHz单频率激励时圆形相切式涡流探头的渗透深度为17.6mm。

3、本实用新型圆形相切式涡流探头与传统自发自收式圆形涡流探头检测结果对比。

本实用新型圆形相切式涡流探头在5kHz激励频率激励时的渗透深度和传统自发自收式圆形涡流探头在5kHz激励频率分别激励时所得的渗透深度的对比，见表2。

表2

由以上结果可知，本实用新型圆形相切式涡流探头能达到的渗透深度为17.6mm，而传统圆形涡流探头能达到的渗透深度为8.3mm，前者是后者的2.12倍。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非用以限制本实用新型的权利范围。任何以本申请专利范围所涵盖的权利范围实施的技术方案，或者任何熟悉本领域的技术人员，利用上述揭示的方法内容做出许多可能的变动和修饰的方案，均属于本实用新型的保护范围。