1.一种测量单晶硅间隙氧含量的方法，其特征在于，包括：
将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；
形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素；
对所述单晶硅样品块进行煅烧，对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量。
2.根据权利要求1所述的测量单晶硅间隙氧含量的方法，其特征在于，形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜之前，所述方法还包括：
对所述单晶硅样品块进行清洗，去除所述单晶硅样品块表面的氧化膜。
3.根据权利要求2所述的测量单晶硅间隙氧含量的方法，其特征在于，采用hf对所述单晶硅样品块进行清洗。
4.根据权利要求1所述的测量单晶硅间隙氧含量的方法，其特征在于，对所述单晶硅样品块进行煅烧包括：
将所述单晶硅样品块放入石墨坩埚内进行煅烧。
5.根据权利要求1所述的测量单晶硅间隙氧含量的方法，其特征在于，对煅烧得到的气体进行检测包括：
通过红外检测器对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量。
6.根据权利要求1所述的测量单晶硅间隙氧含量的方法，其特征在于，所述保护膜采用石蜡。
7.一种测量单晶硅间隙氧含量的装置，其特征在于，包括：
切割单元，用于将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；
处理单元，用于形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素；
煅烧单元，用于对所述单晶硅样品块进行煅烧；
检测单元，用于对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量。
8.根据权利要求7所述的测量单晶硅间隙氧含量的装置，其特征在于，所述装置还包括：
清洗单元，用于对切割后得到的所述单晶硅样品块进行清洗，去除所述单晶硅样品块表面的氧化膜。
9.根据权利要求7所述的测量单晶硅间隙氧含量的装置，其特征在于，所述煅烧单元具体用于将所述单晶硅样品块放入石墨坩埚内进行煅烧。
10.根据权利要求7所述的测量单晶硅间隙氧含量的装置，其特征在于，所述检测单元具体用于通过红外检测器对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量。