专利名称：一种离子检测探头的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种由离子敏场效应器件组装、用于离子检测装置的检测探头。特别涉及一种用于高稳定离子检测装置的检测探头。
现有离子检测装置的检测探头只包含离子敏场效应器件与参比电极以及它们的基座和引接线，不包含探测温度的元器件及其基座与引接线。然而，检测液的温度变化往往会对检测结果产生直接影响，对于高稳定的离子检测装置均要求实现精确的温度补偿或修正，要求设置测量检测液温度的元器件，特别是需要有与离子敏场效应器件紧密设置在一起的测温元器件，而现有的离子检测探头是无法满足此种要求的。
为了克服现有技术的缺陷，本实用新型离子检测探头将离子敏场效应器件、热敏元器件与参比电极三者以及它们的引接线设置在同一探头基座内，并使所有这些引接线相互电隔绝，经基座的一端引出后组成一束可与离子检测装置主机连接的电缆。
在本实用新型的一项实施例中用半导体二极管作热敏器件，并使此热敏二极管与离子敏场效应器件集成在同一半导体芯片上。
图一为本实用新型离子检测探头一项实施例的剖面示意图。由一个离子敏场效应器件与一个半导体二极管集成在一起的一块半导体芯片(3)被固定在探头基座(1)敞口探测端(2)的内壁上。图二示出此半导体芯片及其引接线端的俯视示意图。在固定半导体芯片的同一侧基座内壁上还固定有四根金属键条(5)，它们各自的一端 分别与离子敏场效应器件的源极(14)与漏极(15)以及二极管的两极(16，17)通过内引线(18)相互键连，金属键条各自的另一端(6)则与探头的外引线(7)焊连。图三为半导体芯片与键连引线以及保护涂层的剖面示意图，保护涂层(4)涂复了除场效应器件敏感栅区(19)之外的全部半导体芯片表面以及与其相连的裸露引接线。一个包含参比液(8)与参比电极(9)的可封闭参比电极管腔(10)与上述四条金属键条并列设置在探头基座上，在管腔(10)一端设置的多孔陶瓷片(11)与探头的敞口探测端(2)通连，另一端的参比电极引线(12)与探头的其它引出线合股组成连接电缆(13)。
本实用新型离子检测探头不仅增加了检测温度的功能，而且因其结构紧凑而兼有方便操作的优点。
图一为本实用新型离子检测探头一项实施例的剖面示意图。其中1为探头基座，2为敞口探测端，3为半导体芯片，4为保护涂层，5为金属键条，6为金属键条的引出端，7为外引线，8为参比液，9为参比电极，10为参比电极管腔，11为多孔陶瓷片，12为参比电极引线，13为连接电缆。
图二为半导体芯片及其引接线端的俯视示意图。其中1为探头基座，3为半导体芯片，5为金属键条，14为离子敏场效应器件的源极，15为离子敏场效应器件的漏极，16为二极管的一个电极，17为二极管的另一电极，18为内引线，19为场效应器件的敏感栅区。
图三为半导体芯片与键连引线以及保护涂层的剖面示意图。其中1为探头基座，3为半导体芯片，4为保护涂层，5为金属键条，18为内引线。
权利要求1.一种由离子敏场效应器件组装、用于离子检测装置的检测探头，其特征为，在同一探头基座内设置有离子敏场效应器件、热敏元器件、参比电极以及它们的引接线。
2.按照权利要求1所述检测探头的特征为，所述热敏元器件是一个半导体二极管。
3.按照权利要求1和2所述检测探头的特征为，所述离子敏场效应器件与所述作为热敏元器件的半导体二极管是集成在一块半导体芯片上。
4.按照权利要求1所述检测探头的特征为，所述离子敏场效应器件与热敏元器件是被固定在所述探头基座的一个敞口探测端的内壁上，它们的引线是被固定在所述探头基座的同一侧内壁上。
5.按照权利要求1和4所述检测探头的特征为，所述离子敏场效应器件与热敏元器件的引接线包括四根金属键条以及与其各自两端键连的内、外引线，并由内引线分别键连所述离子敏场效应器件的源极与漏极以及所述热敏元器件的两极。
6.按照权利要求1、4和5所述检测探头的特征为，所述参比电极是被装接在与所述金属键条并列设置在探头基座上的一个包含参比液的参比电极管腔内，所述参比电极的引线由管腔的一端引出与所述四根金属键条的外引线合股组成连接电缆，参比电极管腔的另一端设有一个多孔陶瓷片连通所述探头基座的敞口探测端。
7.按照权利要求1和3所述检测探头的特征为，在所述半导体芯片以及与其相连的裸露引线表面除去场效应器件的敏感栅区之外均涂复有保护层。
专利摘要本实用新型公开了一种用于高稳定离子检测装置的检测探头，它把离子敏场效应器件、热敏元器件与参比电极三者以及它们的引接线设置在同一探头基座内。这样的检测探头不仅增加了检测温度的功能，满足了对检测结果进行补偿修正的需要，它还兼具结构紧凑、使用方便等优点。
文档编号G01N27/27GK2052536SQ8920354
公开日1990年2月7日 申请日期1989年4月1日 优先权日1989年4月1日
发明者崔成烈 申请人:北京哈尼传感技术联合开发公司