、本发明的方法简单可行，适于推广应用。
【附图说明】
[0022]图1是本发明实施例一中四个不同测试位置的栅线截面图。
[0023]图2是本发明对比例一中四个不同测试位置的栅线截面图。
[0024]图3是本发明对比例二中不同测试位置的栅线截面图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合实施例对本发明进一步描述。
[0026]实施例一:
参见图1所示，一种晶体硅太阳能电池片栅线高度及宽度的测量方法，由如下步骤组成:
(1)将待测试的样品放入金相显微镜的载物台上，确定第一个测试点；
(2)先用粗调旋钮调节至初见物像，再改用微调旋钮调节至物像清楚为止；
(3)将物镜换成激光镜头；
(4)对栅线的顶端和底端分别进行对焦；
(5)测试，即可得到第一个测试点的栅线高度数据以及栅线宽度数据；
(6)选择确定第二个测试点；
逆时针调节微调旋钮3-5个小格，将栅线的顶端、底端以及左右两端均移到测试视野范围之内；
测试，即可得到第二个测试点的栅线高度及宽度数据；
(7)重复步骤(6)，进行40个点的测试，即可得到40个栅线高度及宽度数据；
(8)通过计算即可得到晶体硅太阳能电池片栅线的平均高度和平均宽度。
[0027]最终得到栅线的高度为13.287微米，宽度为56.425微米。
[0028]上述测试共用时1.5个小时。
[0029]对比例一
参见图2所示，一种晶体硅太阳能电池片栅线高度及宽度的测量方法，包括如下步骤:(测试过程中确保每一个测试位置和实施例一是一一对应的)
(1)将待测试的样品放入金相显微镜的载物台上，确定第一个测试点；
(2)先用粗调旋钮调节至初见物像，再改用微调旋钮调节至物像清楚为止；
(3)将物镜换成激光镜头；
(4)对栅线的顶端和底端分别进行对焦；
(5)测试，即可得到第一个测试点的栅线高度及宽度数据；
(6)重复步骤(1)~(5)进行多点测试(与实施例一相同，也测量40个点)，即可得到多个栅线高度及宽度数据；
(7)通过计算即可得到晶体硅太阳能电池片栅线的平均高度及宽度。
[0030]最终得到栅线的高度为13.287微米，宽度为60.220微米。
[0031]上述测试共用时2.5个小时。
[0032]由上可见，和对比例一相比，实施例一的测试时间大大缩短，缩短了 40%。
[0033]虽然实施例一和对比例一得到的测试数据是存在差异的，但这主要来源于在同一点上选取的不同测试位置，在实际测试过程中这种差异是没有办法避免的，是可以接受的。因此我们认为两次测试结果是一致的，测试结果是可靠的。
[0034]对比例二
一种晶体硅太阳能电池片栅线高度及宽度的测量方法，包括如下步骤:
(1)将待测试的样品放入金相显微镜的载物台上，确定第一个测试点；
(2)先用粗调旋钮调节至初见物像，再改用微调旋钮调节至物像清楚为止；
(3)将物镜换成激光镜头；
(4)对栅线的顶端和底端分别进行对焦；
(5)测试，即可得到第一个测试点的栅线高度及宽度数据；
(6)选择确定第二个测试点；
不调节微调旋钮，直接进行测试。
[0035]参见图3所示，由于第一个测试点检测之后，镜头的对焦点会发生变化，使栅线的底端超出测试视野范围，因此无法正常测试。
[0036]可见，如果不旋转微调旋钮，就无法将栅线移到测试视野范围之内，结果就是无法正常测试。
【主权项】
1.一种晶体硅太阳能电池片栅线高度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)将待测试的样品放入金相显微镜的载物台上，确定第一个测试点； (2)先用粗调旋钮调节至初见物像，再改用微调旋钮调节至物像清楚为止； (3)将物镜换成激光镜头； (4)对栅线的顶端和底端分别进行对焦； (5)测试，即可得到第一个测试点的栅线高度数据； (6)选择确定第二个测试点； 调节微调旋钮，将栅线的顶端和底端移到测试视野范围之内； 测试，即可得到第二个测试点的栅线高度数据； (7)重复步骤(6)，进行多点测试，即可得到多个栅线高度数据； (8)通过计算即可得到晶体硅太阳能电池片栅线的平均高度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤(I)中的样品为具有栅线的电池片样片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤￠)中，逆时针调节微调旋钮3-5个小格，将栅线的顶端和底端移到测试视野范围之内。
4.一种晶体硅太阳能电池片栅线宽度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)将待测试的样品放入金相显微镜的载物台上，确定第一个测试点； (2)先用粗调旋钮调节至初见物像，再改用微调旋钮调节至物像清楚为止； (3)将物镜换成激光镜头； (4)对栅线的顶端和底端分别进行对焦； (5)测试，即可得到第一个测试点的栅线宽度数据； (6)选择确定第二个测试点； 调节微调旋钮，将栅线的顶端和底端移到测试视野范围之内； 测试，即可得到第二个测试点的栅线宽度数据； (7)重复步骤(6)，进行多点测试，即可得到多个栅线宽度数据； (8)通过计算即可得到晶体硅太阳能电池片栅线的平均宽度。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:所述步骤(I)中的样品为具有栅线的电池片样片。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于:所述步骤￠)中，逆时针调节微调旋钮3-5个小格，将栅线的顶端和底端移到测试视野范围之内。
【专利摘要】本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片栅线高度的测量方法，包括如下步骤：(1)将待测试的样品放入金相显微镜的载物台上，确定第一个测试点；(2)先用粗调旋钮调节至初见物像，再改用微调旋钮调节至物像清楚为止；(3)将物镜换成激光镜头；(4)对焦；(5)测试得到第一个测试点的栅线高度数据；(6)选择确定第二个测试点；调节微调旋钮，将栅线的顶端和底端移到测试视野范围之内；测试，即可得到第二个测试点的栅线高度数据；(7)重复步骤；(6)进行多点测试；(8)计算得到平均高度。实验证明：与现有方法相比，本发明的测试时间可以缩短40%以上，取得了显著的效果；大大提升了测试效率。
【IPC分类】G01B11-02
【公开号】CN104864813
【申请号】CN201510250501
【发明人】李琰琪, 王栩生, 邢国强
【申请人】苏州阿特斯阳光电力科技有限公司, 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年5月18日