据的每一晶片裸片包含一组重复块(例如，块116)。在另一实施例中，与所述组块的每一块相关联的图像数据包含一或多个可分辨单元图案(例如，可分辨阵列区域)。
[0070]在第二步骤304中，调整一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素。在第三步骤306中，调整一或多个图像的像素大小以将每一块映射到实质上整数数目个像素。在第四步骤308中，调整一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素。在本文中应注意，关于过程200所描述的像素选择及调整过程(或建立及维持)应被解释为可扩展到过程300的像素选择及调整过程。
[0071]在第五步骤310中，比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第六步骤312中，第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第七步骤312中，第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在本文中应注意，关于过程200所描述的过程200的比较步骤应被解释为可扩展到过程300的比较步骤。应进一步注意，可以类似于本文先前所描述的裸片及块比较步骤的方式而实施步骤312的单元间比较。进一步认识到，可同时执行比较步骤310到314。
[0072]在一个实施例中，如先前所描述，在比较步骤310之前，两个或两个以上裸片114可相对于彼此对准。类似地，在另一实施例中，在比较步骤312之前，两个或两个以上块116可相对于彼此对准。
[0073]在另一实施例中，在比较步骤314之前，两个或两个以上单元118可相对于彼此对准。在本文中应注意，在每一裸片含有足够大数目个块的设定中，在实施过程300的三层级混合模式比较之前，仅裸片间对准可为必要的。
[0074]如本文先前所提及，在一些实施例中，混合模式检验过程可能需要在裸片中存在约50个或更多个块，以在不使用运行时间块对准的情况下有效地实施混合模式块间比较及裸片间比较。类似地，在每一块具有多于50个单元的设定中，在一些实施例中，像素大小调整可对单元间比较过程(例如，步骤312)的敏感度具有微小或可忽略影响。在一个实施例中，为实现单元间比较过程，可首先设定用于实现单元中的整数数目个像素的检验像素大小。接着，可调节所述像素大小使得给定块包含整数数目个像素。最后，所述经调整的像素大小经进一步调节使得给定裸片包含整数数目个像素。通过适当调整像素大小，混合仅具有裸片间对准的单元间比较、块间比较及裸片间比较的三模式检验变成可能。
[0075]例如，在裸片大小为50，000个像素及块大小为1000个像素的情况中，可能执行仅具有裸片间对准的单元间、块间及裸片间混合模式检验过程，前提是单元大小小于20个像素。在这些约束下，可在光学上缩放检验像素大小，以使单元、块及裸片各自对应于整数数目个像素。
[0076]图4A为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的计算机实施方法400中执行的步骤的流程图。在本文中应注意，混合模式检验及分析过程400包含裸片间、块间及单元间比较技术。此可再次通过以每一块116、每一裸片114及每一单元118由整数数目个像素组成的方式调整系统100的检验像素而完成。在本文中应注意，过程400一般适用于裸片的块是不规则的(例如，不规则定位、不同类型、不同大小等等)的设定。在本文中应进一步注意，关于贯穿本发明所描述的过程200、300、500、600、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程400，除非另外说明。
[0077]在本文中应注意，在更复杂电路布局中，一或多个裸片114的块116可不规则定位于一或多个裸片114内的任何处，如图4B中所说明，其中块116的边缘未垂直或水平对准。应进一步注意，可使用过程400分析的块的不规则性可导致任何数目个因子。例如，所述块可为不同大小或不同类型。此外，在所有块的边缘无法沿至少一个轴对准的情况下，所述块可经随机定位。在本文中应注意，在经随机定位的块的情况中，经由可调整像素技术的块间比较优化是困难的。
[0078]应进一步注意，在块沿共用垂直位置对准的情况中，如图4B中所展示，所述块可沿水平轴不规则定位。在此实例中，在未首先对准所述块的情况中，将难以执行块间比较以实现检验经不规则定位的块的目的。因而，可实施运行时间块对准，以执行块间比较。
[0079]在步骤402中，接收晶片的检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据，例如(但不限于)BF检验数据或DF检验数据。
[0080]在一个实施例中，方法步骤402中所接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，由控制器101接收的一或多个图像包含一或多个晶片裸片(例如裸片114)。在进一步实施例中，所述所接收的图像数据的每一晶片裸片包含一组不规则块(例如，不同大小块、随机定位块、不同类型的块等等)。
[0081]在第二步骤404中，调整一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素。在第三步骤406中，调整一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素。在本文中应注意，关于过程200及300所描述的像素选择及调整过程(或建立及维持)应被解释为可扩展到过程400的像素选择及调整过程。
[0082]在第四步骤408中，第一块与至少第二块对准。在一个实施例中，在比较之前，两个或两个以上块116 (例如，图4B的不规则块)可相对于彼此对准。就此来说，在执行比较步骤之前，第一块的第一图案特征可与至少第二块116的第二图案对准。在一个实施例中，两个或两个以上块116的对准过程包含运行时间对准过程。在本文中应注意，用于裸片间运行时间对准的过程可扩展到块间对准的情况。就此来说，块116可被视为小裸片，其中执行运行时间对准以对准所述块。进一步认识到，可在软件中或经由专用硬件实施块间对准。
[0083]在另一实施例中，如先前所描述，在过程400的比较步骤之前，两个或两个以上裸片114可相对于彼此对准(例如运行时间对准)。在另一实施例中，在比较步骤314之前，两个或两个以上单元118可相对于彼此对准(例如运行时间对准)。
[0084]在第五步骤410中，比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第六步骤412中，继对准后，比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第七步骤414中，比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在本文中应注意，关于过程200及300所描述的过程200及300的比较步骤应被解释为可扩展到过程400的比较步骤。进一步认识到，可同时执行比较步骤408到412。
[0085]图5为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的计算机实施方法500中执行的步骤的流程图。在本文中应注意，混合模式检验及分析过程500包含块间及单元间比较技术。
[0086]在一些实施例中，可使用单元间比较而检验存储器晶片，其中忽略分页处及其它外围区域。在此实施例中，可添加块间比较以检验晶片(例如存储器晶片)而不牺牲分页处及其它外围区域。本实施例可在具有或不具有块间运行时间对准的情况下实施，如本文先前所描述。在本文中应注意，方法500 —般不需要裸片间比较。就此来说，所述方法500以类似于本文先前所描述的单元间及裸片间比较的方式提供单元间及块间比较，其中方法500的块间比较类似于先前所描述的裸片间比较。
[0087]方法500可通过以每一块116及每一单元118由整数数目个像素组成的方式调整系统100的检验像素而完成。在本文中应注意，过程500 —般适用于单元(例如存储器单元)在晶片上形成单元的重复块的设定。在本文中应进一步注意，关于贯穿本发明所描述的过程200、300、400、600、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程500，除非另外说明。
[0088]在第一步骤502中，接收晶片的检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据，例如(但不限于)光学检验数据(例如，BF检验数据或DF检验数据)或电子束检验数据。
[0089]在一个实施例中，在方法步骤502中所接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，由控制器101接收的一或多个图像包含重复单元的一或多个块(例如存储器块)。在一个实施例中，所述块可包含重复块，例如本文先前所描述及图1C中所描绘的块。在另一实施例中，所述块可包含非重复或不规则块，例如本文先前所描述及图4B中所描绘的块。
[0090]在第二步骤504中，调整一或多个图像的像素大小以将每一单元118映射到实质上整数数目个像素。在第三步骤506中，调整一或多个图像的像素大小以将每一块116映射到实质上整数数目个像素。在本文中应注意，关于过程200到400所描述的像素选择及调整过程(或建立及维持)应被解释为可扩展到过程500的像素选择及调整过程。
[0091]在第四步骤508中，比较第一晶片块与至少第二晶片块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第五步骤510中，比较给定块的第一单元与所述给定块的至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在本文中应注意，本文先前所描述的过程200到400的比较步骤应被解释为可扩展到过程500的比较步骤。进一步认识到，可同时执行比较步骤508 及 508。
[0092]在另一实施例中，在块类型为非重复(例如不同大小的块)的设定中，在比较步骤508之前，每一块类型可能需要经受对准(例如运行时间对准)，如本文先前所描述。在另一实施例中，在块类型为重复块的设定中，在比较之前，所述块可无需对准过程。例如，在在晶片上产生的存储器单元在所述晶片上形成规则重复块的设定中，可无需对准过程。
[0093]图6A为说明在根据本发明的一个实施例的用于晶片的基于图场间检验的计算机实施方法600中执行的步骤的流程图。在本文中应进一步注意，关于贯穿本发明所描述的过程200到500、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程600，除非另外说明。
[0094]出于本发明的目的，术语“图场”被解释为包含裸片内的可彼此对准且接着彼此比较以进行缺陷检测的任何重复图案结构。在本文中应注意，给定裸片的图场无需在X方向或y方向上等距间隔。
[0095]在本文中应注意，方法600及相关联的系统一般涉及检验三个或三个以上重复图场的设定。在横跨三个或三个以上裸片的裸片间检验中，裸片的多个图像一般不组合以形成单个参考图像。这是因为裸片的图像一般以大距离间隔，以至于任何组合裸片图像都将在多个裸片距离上经受失真及晶片级工艺变动(不具有进一步补救措施，例如本文先前所描述)。因而，一般在复合参考裸片图像中不能实现与个别构成图像的噪声水平相比更低的噪声。因而，复合裸片图像的噪声下限(noise floor)通常等于或劣于个别邻近参考裸片图像。
[0096]相比之下，在图场间检验中，多个图场图像可经组合以形成单个参考图像。单个复合参考图像一般将拥有于复合裸片图像中可实现的较低噪声下限，这是因为所述图场图像彼此更紧密接近。因而，图场图像不会经受像裸片间图像一样严重的失真及工艺变动差异。一般来说，方法600提供⑴比任何个别图场图像更低的噪声下限；及(ii)稳健消除由分量个别参考图场引起的“单个参考图场”中的任何缺陷。
[0097]在第一步骤602中，接收晶片的一或多个检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据，例如(但不限于)光学检验数据(例如，BF检验数据或DF检验数据)或电子束检验数据。在一个实施例中，方法步骤602中所接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，所述一或多个图像包含三个或三个以上图场，其中所述三个或三个以上图场中的每一者包含于共用裸片中。
[0098]在第二步骤604中，通过组合检验结果的三个或三个以上图场而产生参考图场图像。例如，所述检验结果的一个、两个或三个图场可组合成单个参考图场图像。一般来说，所述参考图场图像可由共用裸片的三个到N个图场图像的组合形成。
[0099]在第三步骤606中，比较一或多个图场与所述所产生的参考图场，以识别所述一或多个图场中的一或多个缺陷的发生。在一个实施例中，可比较所述所产生的参考图场图像与在与用于产生参考图场图像的采集相同的检验数据采集中所获取的一或多个图场图像。在另一实施例中，可比较所述所产生的参考图场图像与在不同于用于产生参考图场图像的采集的检验数据采集中所获取的一或多个图场图像。
[0100]在一个实施例中，比较步骤606可包含(但不限于)计算与参考图场图像相关联的图像数据的像素值和与一或多个其它图场图像相关联的图像数据的像素值之间的差异。例如，与参考图场图像相关联的图像的像素值可被从与另一(经比较)图场图像相关联的图像数据的像素值逐像素减去。就此来说，所述减法过程可用于移除或至少有助于消除存在于两组图像数据中的周期性结构。应注意，贯穿本发明所描述的图像处理技术的任何者适用于方法600。应进一步注意，方法600的比较技术中的任何者可扩展到本发明的全部各种方法。
[0101]应注意，此技术领域中已知的任何比较技术适于本发明中的实施方案。例如，可利用任何基于系综的像素处理过程来组合给定裸片的三个或三个以上图场。例如，基于系综的像素处理过程可包含(但不限于)以下:(i)中值处理；(ii)算术平均化；(iii)几何平均化；(iv)加权平均化；(V)最佳线性无偏估计；及(Vi)用于确定最佳值的任何其它统计估计技术(给定N次测量)。
[0102]一般来说，本发明的比较技术可包含(但不限于)图像减法过程。例如，本文先前所描述的逐像素差异计算过程可用于计算参考图场