一种led芯片寿命加速估算方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及LED技术领域，具体的说是一种LED芯片寿命加速验证方法。
【背景技术】
[0002] 随着电子信息技术应用的日益广泛，各种电子产品对现代社会的影响日益增大， 产品结构的复杂以及使用条件的严苛使得产品发生故障及潜在失效的可能性越来越大，可 靠性已经成为电子产品最重要的质量指标。传统意义的可靠性评估主要是基于数理统计和 寿命试验形成的一套理论方法和工程技术，分析的主要对象是失效时间。然而，这种方法却 无法在现代LED可靠性研究中得以应用。由于LED技术的不断进步，可靠性的大幅提高 使得一般LED的寿命可达数十万小时甚至上百万小时，即便是传统的加速寿命试验也至 少需要几千小时才能完成，这就使企业在有限的生产周期内无法评价产品的可靠性，因此 有必要针对LED产品提出寿命加速验证方法。
【发明内容】
[0003] 本发明的目的在于提供一种能更加实际评价LED芯片可靠性的LED芯片寿命加速 估算方法，可以缩短LED芯片寿命试验所需的测试时间和研发周期，从而为改善LED芯片寿 命提供了更有力的保障。
[0004] 本发明的目的通过以下技术方案实现的： 一种LED芯片寿命加速估算方法，其包括以下步骤： A、 选样品 对同一批次的LED芯片随机选取样品2个，分别编号为1号样品、2号样品，在300K温 度环境中，给1号样品加额定工作电流，测量得到初始光通量 B、 老化前的测量 给1号样品加恒定反向电压I，测量得到初始反向电流1。1; 给1号样品加恒定反向电压V2，测量得到初始反向电流1。2; C、 老化测试 将1号样品放入第1个测试箱，2号样品放入第2个测试箱，第1个和第2个测试箱分 别设定测试温度为1\和T2，其中300K<I\<T2，第1个和第2个测试箱分别设定测试电流 为额定电流，开始老化测试，选定测试箱温度较高的那个样品来测光通量，当其光通量衰减 为初始光通量的70%时，这两个样品都停止老化，记录老化时间t1; D、 老化后测量 从2个测试箱取出测试样品，给样品分别加恒定反向电压I，1号样品测量得到反向电 流In，2号样品测量得到反向电流112;给样品分别加恒定反向电压V2,1号样品测量得到反 向电流121，2号样品测量得到反向电流Iw E、 寿命估算
本发明的有益效果是：它通过施加两次不同反向电压来测得样品在光衰减前后的反 向电流，再利用计算公式就可加速估算出LED芯片的寿命，从而缩短产品研发周期，为改善 LED芯片寿命提供了更有力的保障，并能有效缩短LED芯片寿命估算时间，减小试验成本。 [0005]
【附图说明】 图1本发明的LED芯片寿命加速估算方法流程图。
[0006] 具体实施方法 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发 明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用 于限定本发明。 实施例
[0007] A、选样品 对同一批次的红光LED芯片随机选取样品2个，分别编号为1号样品、2号样品，这一批 次的红光LED芯片的额定工作电流为350mA，恒定工作电压￥。=2. 5V;在300K温度环境中， 给1号样品加额定工作电流350mA，测量得到初始光通量〇。为42LM; B、 老化前测量 给1号样品加恒定反向电压（V〇 3V，测量得到初始反向电流（4)3. 612yA; 给1号样品加恒定反向电压（V2) 2V，测量得到初始反向电流（1。2) 1. 273yA; C、 老化测试 将1号样品放入第1个测试箱，2号样品放入第2个测试箱，第1个和第2个测试箱分 别设定测试温度为300K和450K，第1个和第2个测试箱分别设定测试电流为额定电流，开 始老化测试，由于第2个测试箱的测试温度较高，于是选定第2个测试箱中的的那个样品 来测光通量，当第2个测试箱中的LED芯片光通量衰减到29. 4LM(即为初始光通量的70%) 时，停止老化，记录老化时间h= 800小时； D、 老化后测量 从2个测试箱取出测试样品，给样品分别加恒定反向电压（V03V，1号样品测量得到反 向电流（In) 3. 619yA，2号样品测量得到反向电流（112) 5. 133yA;给样品分别加恒定反向 电压（V2) 2V，1号样品测量得到反向电流（I21) 1. 500iiA，2号样品测量得到反向电流（122) 4. 928yA； E、 寿命估算
上可以看出，这批次的LED芯片经过800小时的老化试验后就可顺利估算出LED芯片 的寿命。
【主权项】
1. 一种L邸忍片寿命加速估算方法，其特征在于，包括W下步骤： A、 选样品 对同一批次的L邸忍片随机选取样品2个，分别编号为1号样品、2号样品，在300K溫 度环境中，给1号样品加额定工作电流，测量得到初始光通量?。； B、 老化前的测量 给1号样品加恒定反向电压Vi，测量得到初始反向电流1。1; 给1号样品加恒定反向电压Vz，测量得到初始反向电流1。2; C、 老化测试 将1号样品放入第1个测试箱，2号样品放入第2个测试箱，第1个和第2个测试箱分 别设定测试溫度为Ti和T2,其中300K《Ti<T2,第1个和第2个测试箱分别设定测试电流 为额定电流，开始老化测试，选定测试箱溫度较高的那个样品来测光通量，当其光通量衰减 为初始光通量的70%时，运两个样品都停止老化，记录老化时间ti; D、 老化后测量 从2个测试箱取出测试样品，给样品分别加恒定反向电压Vi，1号样品测量得到反向电 流I。，2号样品测量得到反向电流Ii2;给样品分别加恒定反向电压V2,1号样品测量得到反 向电流121，2号样品测量得到反向电流122; E、 寿命估算 将S组条件：1、T=300K，t=0，，3、T=T2,t=ti，-分别代入如下寿命估算公式将条件T=300K，代入寿命估算公式解得LED忍片寿命时间为〇
【专利摘要】本发明提供了一种LED芯片寿命加速估算方法，其包括有选两个样品、老化前两个不同反向电压下初始反向电流的测量、高温下加快光通量衰减来进行老化测试、老化后两个不同反向电压下反向电流的测量、和寿命的公式估算这几个步骤，这样通过施加两个不同反向电压来测得样品在光衰减前后的反向电流，再利用计算公式就可加速估算出LED芯片的寿命，从而缩短产品研发周期，为改善LED芯片寿命提供了更有力的保障，并能有效缩短LED芯片寿命估算时间，减小试验成本。
【IPC分类】G01R31/26
【公开号】CN105004981
【申请号】CN201510454036
【发明人】胡云峰
【申请人】电子科技大学中山学院
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2015年7月30日