一种emmc芯片寿命检测方法
【专利摘要】一种EMMC芯片寿命检测方法，所述方法包括步骤：当flash空闲存储块足够写入数据时，将数据写入EMMC芯片；上层应用程序通过对EMMC芯片写入不同大小的文件来获取底层反馈的实际写入大小，求出各种大小文件的数据缓冲率，再通过统计android系统中所有应用程序在单位时间内对EMMC存储的使用、每个应用写入文件大小及次数计算出EMMC芯片的寿命。本发明可以于检测应用对flash读写是否合理、系统中所有应用对EMMC的使用状况，同时测试不同文件系统对于文件写入的缓冲情况，提高系统的健壮性，对于EMMC芯片寿命的预测，可以在其寿命将要终止时提示用户更换芯片，防止设备读写出现问题及数据的安全。
【专利说明】—种EMMC芯片寿命检测方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及移动设备存储芯片，尤其涉及一种EMMC芯片寿命检测方法。
【背景技术】
[0002]随着智能电视和移动终端设备的飞速发展，在这些设备上存储系统数据和用户数据的芯片大都采用flash芯片实现，因此flash芯片存储对整个设备的系统安全来说是极为重要的。
[0003]在目前主流应用android系统的设备中，flash存储包括两种方案,一种是flash+专用文件系统(YAFFS, Yet Another Flash File System),另外一种是EMMC芯片(EmbeddedMulti Media Card) +传统文件系统。由于EMMC芯片具有接口统一，体积小，读写速度快，使用方便等优点，被越来越多用做智能电视，手机，MID等的存储芯片。EMMC芯片将控制器和flash存储封装在一块芯片中，因此，其可以直接使用传统文件系统。
[0004]现有技术EMMC芯片存储部分采用的是flash芯片，flash芯片的存储单元包括SLC (Single Level Cell单层单兀)和MLC (Mult1-Level Cell多层单兀)两种架构的芯片，读写仍然有存储寿命限制，其寿命主要取决于对块的擦除次数。其中，SLC芯片的擦写周期有的高达100000次，而MLC芯片有的只有3000次，甚至更低的只有1000次的擦除寿命。在Android智能电视或移动终端设备的应用环境中，有时需要向EMMC芯片上保存一些数据或者更新一些数据，这样就涉及到flash芯片的擦写，频繁的擦写会缩短flash芯片的寿命进而会影响到整个设备的寿命。然而，在设备的具体使用过程中，系统应用对EMMC芯片访问的频率是多少，每次数据的存储量是多少，均无法直观看到。对于EMMC芯片的使用情况也无法得知，EMMC芯片的寿命也无法预知。系统中每个应用是独立开发的，可能会运行在各种不同的平台上，对存储的需求也是不一样的，因此对某个设备而言，存储的操作可能是复杂的。这样就有可能导致读写出现问题，进而丢失数据或造成不必要的损失。
[0005]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0006]鉴于上述现有技术的不足之处，本发明为解决现有技术缺陷和不足，提出一种改进的方案，在EMMC驱动程序中增加测试程序的监控代码，并提供接口给测试程序操作，测试程序可通过操作接口获知EMMC芯片被访问的相关信息，确定flash芯片的使用状况，从而更加有效、安全地使用EMMC存储设备。
[0007]本发明解决技术问题所采用的技术方案如下:
一种EMMC芯片寿命检测方法，包括如下步骤:
A、统计EMMC芯片的入口处需要写入EMMC芯片的请求总数据量；
B、写入数据到EMMC芯片，判断flash空闲存储块是否足够写入数据，当flash空闲存储块足够写入数据时，将数据写入EMMC芯片；
C、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于I个块的写入次数N1、小于2个连续块的写入次数N2,直至小于η个连续块的写入次数Nn ；
D、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于I个块的数据缓冲率K1、小于2个块的数据缓冲率K2，直至小于η个连续块的数据缓冲率Kn ；
Ε、根据EMMC芯片中flash的总块数m、每个flash块可被编程的次数P、所述&、N2、……Nn参数、数据缓冲率1、K2……Kn参数计算出EMMC芯片的寿命为
【权利要求】
1.一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，包括如下步骤: A、统计EMMC芯片的入口处需要写入EMMC芯片的请求总数据量； B、写入数据到EMMC芯片，判断flash空闲存储块是否足够写入数据，当flash空闲存储块足够写入数据时，将数据写入EMMC芯片； C、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于I个块的写入次数N1、小于2个连续块的写入次数N2,直至小于η个连续块的写入次数Nn ； D、统计单位时间内写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于I个块的数据缓冲率K1、小于2个块的数据缓冲率K2，直至小于η个连续块的数据缓冲率Kn ； Ε、根据EMMC芯片中flash的总块数m、每个flash块可被编程的次数P、所述&、N2、……Nn参数、数据缓冲率1、K2……Kn参数计算出EMMC芯片的寿命为单
2.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，步骤A中具体为，对所有需要写入EMMC芯片的程序及其请求数据量进行列表存储，以统计出需要写入EMMC芯片的请求总数据量。
3.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述步骤B中写入数据到EMMC芯片是测试程序或各应用程序根据需求写入数据到EMMC芯片。
4.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，步骤C中，统计写入EMMC芯片中flash空闲存储块小于I个块的写入次数N1、小于2个连续块的写入次数N2,直至小于η个连续块的写入次数Nn是通过对EMMC芯片底层驱动程序监控读取EMMC驱动中的数据结构来实现的。
5.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，步骤D中，所述数据缓冲率等于实际写入EMMC芯片的数据量与需要写入EMMC芯片的请求总数据量的比值，数据缓冲率K1=写入flash空闲块小于I个块的数据量/需要写入EMMC芯片的请求总数据量，数据缓冲率K2=写入flash空闲块小于2个块的数据量/需要写入EMMC芯片的请求总数据量，以此类推，数据缓冲率Kn=写入flash空闲块小于η个块的数据量/需要写入EMMC芯片的请求总数据量。
6.根据权利要求5所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述实际写入EMMC芯片的数据量是通过对EMMC芯片底层驱动程序监控读取EMMC驱动中的数据结构来实现的。
7.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述每个flash块可被编程的次数为EMMC芯片生产厂商的标定值。
8.根据权利要求1所述的一种EMMC芯片寿命检测方法，其特征在于，所述单位时间为24小时。
【文档编号】G11C29/08GK103514958SQ201210589306
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2012年12月31日 优先权日:2012年12月31日
【发明者】罗宏选, 张航志 申请人:Tcl集团股份有限公司